本発明は、フッ素化オレフィンと、少なくとも１つのアルコール、ハロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、またはフルオロエーテルおよびそれらの組み合わせとを含む組成物に関する。一実施形態では、これらの組成物は共沸または共沸様である。別の実施形態では、これらの組成物は、オイルおよび／または他の残渣を表面から除去するための脱脂剤またはフラックス除去剤としてクリーニング用途に有用である。 （もっと読む）

（ａ）選択された１種以上のフッ素化物類と（ｂ）選択された１種以上の有機試薬とを混合することによって得られる反応生成物（未反応構成成分を包含するもの）から本質的に成る組成物であって、その場でのフッ化物イオン類の発生を提供する、前記組成物。更には、かかる組成物を形成するためのキット類、およびかかる組成物の使用方法。 （もっと読む）

本発明は、不飽和フッ素化炭化水素類を含む清浄組成物に関する。本発明はさらに、清浄、脱脂、脱フラックス、脱水、およびフッ素系潤滑剤を被着する方法における前記清浄組成物の使用に関する。本発明はさらに、新規不飽和フッ素化炭化水素類、および上記に列挙する方法における清浄組成物としてのその使用に関する。 （もっと読む）

ポストプラズマエッチング残渣および／またはハードマスク材料を、上記残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから洗浄するための、酸化性水性洗浄組成物および方法。本発明の酸化性水性洗浄組成物は、少なくとも１種類の酸化剤と、第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン、およびアミン−Ｎ−オキシドからなる群より選択されるアミン種を含む少なくとも１種類の酸化剤安定剤と、必要に応じて少なくとも１種類の共溶媒と、必要に応じて少なくとも１種類の金属キレート剤と、必要に応じて少なくとも１種類の緩衝性化学種と、水とを含む。本発明の組成物は、マイクロ電子デバイスから残渣材料を非常に効果的に洗浄しながら、同時に、同じくデバイス上に存在する層間絶縁および金属相互接続材料は損傷しない。
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化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣、エッチング後残渣及び／又は汚染物を、その上に前記残渣及び汚染物を有するマイクロエレクトロニクス素子から洗浄するためのアルカリ性水性洗浄組成物及びプロセス。アルカリ性水性洗浄組成物は、アミンと、不活性化剤と、水とを含む。組成物は、残渣及び汚染物物質のマイクロエレクトロニクス素子からの高度に効果的な洗浄を達成する一方で、同時に金属配線材料の不活性化を達成する。
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灰化されていないイオン注入されたフォトレジストをウェハ基板から洗浄するための配線の前工程（ＦＥＯＬ）の剥離および洗浄組成物は、ａ）少なくとも１種の有機剥離溶媒、ｂ）フッ化アンモニウム、重フッ化アンモニウムまたはフッ化水素の少なくとも１種からのフッ化物イオン、ｃ）無機または有機酸から選択される少なくとも１種の酸性化剤、および、ｄ）水、を含み、場合により酸化剤も組成物中に存在する。 （もっと読む）

【課題】硬化フォトレジスト及び／又は底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料をその上に有する超小型電子装置から、該材料を除去する。
【解決手段】水性組成物は、少なくとも１つのカオトロピック溶質、少なくとも１つのアルカリ性塩基、及び脱イオン水を含む。組成物は、集積回路製造において、銅などの基板上の金属種に対する悪影響なしに、そして超小型電子装置構造中で用いられる低誘電性材料への損害なしに、硬化フォトレジスト及び／又はＢＡＲＣ材料の高効率除去を達成する。 （もっと読む）

配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

アニオンＮ−置換フッ素化スルホンアミド界面活性剤ならびにクリーニング溶液および酸エッチング溶液中での該界面活性剤の使用が記載されている。クリーニング溶液およびエッチング溶液は、例えば、酸化シリコン含有基材のクリーニングおよびエッチングにおいて多様な基材と合わせて用いられる。 （もっと読む）