【課題】複数の基板保持部材を備えた受け渡し機構を利用して、効率的に基板を搬送することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は処理された基板Ｗを基板収納部１００に戻すにあたり、搬送機構５を用いて処理済みの基板Ｗを中間受け渡し部４１ｂに搬送する。受け渡し機構２が、中間受け渡し部４１ａ、４１ｂから処理済みの基板Ｗを取り出して基板収納部１００に受け渡す際に、制御部７は、前記基板収納部１００からセットで取り出された第１の基板Ｗと第２の基板Ｗとのうち、先に処理を終えた前記第１の基板Ｗが中間受け渡し部４１ｂに受け渡された後、後続の基板Ｗが中間受け渡し部４１ｂに受け渡されることを待って両方の基板Ｗを一緒に搬送するか、後続の基板Ｗを待たずに前記第１の基板Ｗを搬送するかを判断する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を収容した搬送容器が載置されるロードポートと、搬送容器を保管する容器保管部と、を備えた基板処理装置において、ロードポートにおける搬送容器の受け渡し回数の増大を図ることができ、これにより基板を高いスループットで処理することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向の位置が互いに異なる第１の搬送路１０２Ａ及び第２の搬送路１０２Ｂの各々に沿って、複数枚の基板を収容した搬送容器１０を搬送する第１の搬送装置１０４Ａ及び第２の搬送装置１０４Ｂを利用し、第１の搬送装置１０４Ａにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第１のロードポート２１と、この第１のロードポート２１に対して階段状に設けられ、前記第２の搬送装置１０４Ｂにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第２のロードポート２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】所定の間隔を隔てて配置される容器内方に効率よく気体を導入しうるノズルの提供。
【解決手段】容器２００と非接触状態で容器２００の内方に気体を導入するためのノズル１００であって、第一流量の気体が吐出される主吐出口１０１と、主吐出口１０１を囲む環状であり、第二流量の気体が、主吐出口１０１が吐出する気体と同方向に吐出される副吐出口１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄方法及び保管方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄方法は、ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で洗浄することを特徴とする。
【効果】本発明の洗浄方法により、シリコンウエハ表面のパーティクル成分、油分汚染等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(2)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(10)と、基板(W)の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部(12)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(11)とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部(9)、リンス液供給部(10)、乾燥ガス供給部(11)を配置するとともに、これら処理液供給部(9)・リンス液供給部(10)・乾燥ガス供給部(11)よりも基板(W)の周縁部に対して内側にガス噴出部(12)を隣設した。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜１を形成する工程と、上記酸化膜１上にレジストパターン２を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン２をマスクとして上記酸化膜１をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン２を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン２を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウェーハ内部の金属系不純物を簡便にしかも高効率に除去する。
【解決手段】 ステップＳ１工程で、表面が露出したシリコンウェーハに第１の洗浄を施す。ここで、シリコンウェーハ表面は清浄化される。次に、ステップＳ２工程で、上記シリコンウェーハを、室温近くの温度の空気雰囲気中で例えば２００時間〜８００時間の間、常温保管し放置する。この工程により、シリコンウェーハの内部の金属原子は外方拡散してシリコンウェーハ表面に出てその表面部に凝集する。次に、ステップＳ３工程で、シリコンウェーハに対して第２の洗浄を施し上記シリコンウェーハ表面部に凝集した金属系不純物を除去する。このようにして、シリコンウェーハ内部の金属系不純物が簡便にしかも高効率に除去される （もっと読む）