特に、銅とlow-k誘電材料を含む基板からレジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び酸化銅の1又は2以上を除去するのに適用できる種々の組成物を開示する。基板の表面を組成物と、典型的には30秒〜30分の時間、かつ25℃〜45℃の温度で接触させることによって、レジスト、残渣、及び酸化銅を除去する。組成物は、フッ化物供給成分；少なくとも1質量%の水混和性有機溶媒；有機酸；及び少なくとも81質量%の水を含む。典型的に、組成物は約0.4%までの1又は2以上のキレーターをさらに含む。 （もっと読む）

フッ化水素酸、硝酸、酢酸及びバランス脱イオン水を含む酸溶液を使用して、シリコン表面を変色させること無しにシリコン表面から汚染物質を効率よく除去することによって電極アセンブリのシリコン表面を洗浄する方法。 （もっと読む）

本出願は、基板を乾燥させるためのシステムを説明し、そのシステムは、チャンバと、チャンバ内に位置決めされた上部エッジを有する内側容器とを含む。プロセス流体が、内側容器の中へ向けられ、そして、上部エッジを越えて流れ落ちる。内側容器の上部エッジが下げられ、それによって、基板の表面を横断するカスケードレベルを下げ、それと同時に、乾燥蒸気が、チャンバの中へ流し込まれる。カスケードレベルが、基板の表面を横断するように減少するにつれて、基板表面は、乾燥蒸気に曝される。境界層を薄くすることを使用した乾燥を促進するために、高周波超音波エネルギーが、内側容器の中へ送出されてもよい。 （もっと読む）

本発明は一般的には、基板を洗浄するためのシステムに関する。より特定的には、本発明は、シリコンウエハを含む半導体基板から、高密度二酸化炭素マトリクスに含まれる反応性逆ミセルまたはマイクロマルジョンのシステムを用いて、残留物を化学的に除去するための方法に関する。反応性ミセル系中の様々な反応性化学薬品を使用して、エッチング残留物および金属残留物を、商業的なウエハ製造および処理に対し十分なレベルまで洗浄し、除去してもよい。

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