【課題】 スピンコ−タ−カップ、半導体ウェハ、液晶ガラスなどに付着したレジスト及びレジスト被膜、油膜、塗料及び塗膜等の有機成分及び有機被膜を、短時間で除去すると共に、洗浄液を多数回繰り返し洗浄できる生産性・経済性の優れた洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄室内に被洗浄物を保持する保持カゴを回転可能に自立させ、更に洗浄液噴射用、すすぎ液噴射用及び乾燥用を共有するノズルを有するノズルヘッダーを回転可能に配設して、保持カゴとノズルヘッダーとの回転方向が双方対向するように設置して、被洗浄物を炭酸アルキレンによる洗浄後エアーで液切りさせた後、精製水によるすすぎを行って、エアー噴射により短時間で乾燥仕上げ処理することと、洗浄後の洗浄液はオゾンを用いた洗浄液再生装置で有機成分を分解して、循環再使用して経済効率を改善する。 （もっと読む）

残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから前記残渣を除去するための洗浄組成物および方法。フッ化物種、アミン種、および有機溶媒を実質的に含有しないこの組成物は、マイクロ電子デバイスからの、エッチング後残渣、アッシング後残渣および／またはＣＭＰ後残渣などの残渣物質の非常に有効な洗浄を達成すると同時に、マイクロ電子デバイス上に同じく存在する層間誘電材料および金属配線材料に損傷を与えない。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および／または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも１種の鉱酸と少なくとも１種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも１種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
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【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Ｗを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 （もっと読む）

半導体集積回路用の半導体デバイス上に回路を製作及び／又は電極を形成するのに有用な、低減された金属エッチレート、特に低減された銅エッチレートを有するレジスト剥離剤を、それらの使用法とともに提供する。好適な剥離剤は、低濃度の銅塩又はコバルト塩を、銅塩又はコバルト塩の溶解度を改良するためのアミンと共に又はアミンなしで含有する。さらに、これらの方法に従って製造された集積回路デバイス及び電子相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

【課題】基板表面のパターンが破壊されるのを防止することができ、また、ウォータマークの発生を防止することができる半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程は、前記基板に対して洗浄液を供給して前記基板表面を洗浄する工程（ステップＳ１６）と、前記基板に対して純水を含むリンス水を供給して前記洗浄後の前記基板表面をリンスする工程（ステップＳ１８）と、前記リンス後の前記基板を乾燥させる工程（ステップＳ２２）と、を有し、前記基板表面をリンスする工程では、前記リンス水にＨＦを添加する。
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【課題】真空装置を用いることなく、大気中で基板表面の清浄化処理を行うことができ、またプラズマクリーニングによることなく、基板表面の自然酸化膜あるいは有機物を除去できるようにする。
【解決手段】基板表面の全面または一部に不活性ガスを供給して酸素遮断ゾーン１０６を形成する不活性ガス供給部１２と、基板表面を所定温度に維持する加熱部１６と、酸素遮断ゾーン３０に清浄化ガスを供給して基板表面を清浄化する清浄化ガス供給部１４を有する。 （もっと読む）

【課題】加圧せずに基板を均一に洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ２０１を表面が上下方向と直交する状態で支持する基板支持部及び支持された半導体ウェハ２０１をノズルユニット１１に対して前方に相対移動させる相対移動機構を有する搬送用ローラ２０２と、相対移動される半導体ウェハ２０１の表面に上方から薬液を吐出するノズルユニット１１とを有する。ノズルユニット１１は、薬液を吐出するスリット１０１が左右方向に細長い線形で下面に形成されており、スリット１０１に同等な左右幅で上方から連通して薬液が流動する流路１０２が内部に形成されており、流路１０２が左右方向と直交する面内で少なくとも一回は曲折された形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】基板を汚染することなく基板の周端面を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】支持ピンによりスピンベース１５から上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。支持ピンに支持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向部材５が配置され、対向部材５の下面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに窒素ガスが供給される。これにより、基板Ｗが支持ピンに押圧されてスピンベース１５に保持される。また、対向部材５のノズル挿入孔５２に第１ノズル３が挿入された状態で、第１ノズル３から回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けてフッ硝酸を吐出させて該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦに供給する。これにより、基板Ｗの周端面ＥＦが全周にわたってエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板保持具３３０において、背板３３３の正面には、４本のアーム３４１〜３４４が取り付けられている。各アーム３４１〜３４４は、水平方向に延びている。背板３３３の背面には、４本のアーム３４１〜３４４に対応して４個のモータが取り付けられている。各アーム３４１〜３４４の軸心と垂直な方向における断面は、楕円形状となっている。各アーム３４１〜３４４に形成された径小部３４５に基板Ｗの外周端部が挿入される。それにより、複数の基板Ｗが各アーム３４１〜３４４の径小部３４５の外周面により保持される。基板Ｗが処理槽から引き上げられ、各アーム３４１〜３４４と基板Ｗとの当接部が処理液の液面に位置する際に、モータが各アーム３４１〜３４４を回転させる。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液から基板への放電の発生が抑制されるとともに、小型かつ軽量で十分な強度が確保されたノズルおよびそれを備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル装置のノズル６０ａは、水平方向に延びるアーム管部と、アーム管部の他端から下方に湾曲するように形成された下流管部とを有する。ノズル６０ａにおいては、金属管９１の内部に第１の樹脂管９２が挿通され、第２の樹脂管９３の内部に金属管９１が挿通されている。ボス９４が第２の樹脂管９３の内部の金属管９１の先端部に装着されている。ノズル６０ａの先端部においては、第１の樹脂管９２の外周面、第２の樹脂管９３の端面およびボス９４の端面が溶接用樹脂９５により溶接されている。このようにして、金属管９１は、第１の樹脂管９２、第２の樹脂管９３、ボス９４および溶接用樹脂９５により確実に被覆されている。 （もっと読む）

【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。
【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート（Ｐ−ＴＥＯＳ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエンハンスド酸化物（ＰＥＯＸ）、高密度プラズマ酸化物（ＨＤＰ）、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料類、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、半球状グレイン（ＨＳＱ）、炭素ドープされた酸化物（ＣＤＯ）ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び／又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の破壊や汚れを発生することなく、基板から水切りを行い、乾燥を効率よく行うこと、特に高アスペクト柱状及び／又は高アスペクトホール状の構造を有する基板の水切りを行うこと。
【解決手段】１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールを成分とする、基板上に柱状パターン及び／又はホール状パターンを有する基板用水切り剤、及びこれを使用する水切り方法、及び、水切り後にさらに乾燥を行う乾燥方法。 （もっと読む）

基板（１３）の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を該表面と接触させることを含む方法により、パーティクルが基板（１３）の表面から除去される。
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残渣を表面から除去する方法であって、表面を、式Ｅ−またはＺ−Ｒ^１ＣＨ＝ＣＨＲ^２を有する化合物（式中、Ｒ^１およびＲ^２は独立に、Ｃ_１〜Ｃ_６ペルフルオロアルキル基、またはＣ_１〜Ｃ_６ヒドロフルオロアルキル基である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フッ素化炭化水素を含む組成物と接触させるステップと、表面を組成物から回収するステップとを含む方法が開示されている。フッ素系潤滑剤を表面に被着させる方法、および少なくとも水の一部分を濡れた基板の表面から除去する方法において、フッ素化炭化水素は溶媒組成物としても使用される。 （もっと読む）

酸化に対して高安定性を有する初期状態水素終端化シリコンウェーハ表面を製造するための方法が提供される。プロセスの工程２０に従って、シリコンウェーハは陰イオン界面活性剤を伴う高純度加熱希フッ化水素酸で処理される。その後の工程３０において、水は室温で超純粋でｉｎ ｓｉｔｕですすがれて、次にその後の乾燥工程４０で乾燥される。代替的には、シリコンウェーハは工程２２で希フッ化水素酸で処理され、工程３２で水素ガス化水ですすがれて、工程４２で乾燥される。当該方法により製造されるシリコンウェーハは、３日より長い間、通常のクリーンルーム環境中で安定であり、そして８日より長い間、有意の酸化物再成長を伴わずに継続することが実証されている。 （もっと読む）

硬化フォトレジスト、エッチング後フォトレジスト、および／または下層反射防止コーティングをマイクロエレクトロニクス素子から除去するための方法および組成物が記載される。組成物は、濃厚流体、例えば、超臨界流体と、補助溶媒と、任意にフッ化物供給源と、任意に酸を含有する濃厚流体濃縮物とを含有することができる。濃厚流体組成物は、後続の加工前に汚染残渣および／または層を前記マイクロエレクトロニクス素子から実質的に除去し、したがって前記マイクロエレクトロニクス素子のモルフォロジー、性能、信頼性および収量を改善する。
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シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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