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Fターム[5F157CB16]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄の後処理(一連の後処理) (2,790) | 水切り、乾燥 (1,676) | 空気の吹き付け (406) | エアナイフ (51)

Fターム[5F157CB16]に分類される特許

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【課題】
ウェーハを効率的に洗浄、枚葉化するとともに、ウェーハ表面の加工の際にウェーハに欠損や割れを生じさせない面取り機能つき洗浄装置を提供すること。
【解決手段】
剥離洗浄部10と端面研削部20と洗浄収納部30とが設けられた面取り機能つき洗浄装置1により、ウェーハWの洗浄、枚葉化、端面研削、再洗浄を行う。 (もっと読む)


【課題】ウエット洗浄装置において、洗浄液の消費量を抑えながら短時間で基板を効果的に洗浄する。
【解決手段】基板Sに対して洗浄液を供給することにより洗浄処理を施すウエット洗浄装置であって、このウエット洗浄装置は、洗浄液の供給口24aをもつ上下一対の対向面22を有して形成される中空部26を備え、この中空部26を基板Sが通るように配備された液ノズル20と、この液ノズル20に所定流量の洗浄液を供給する供給系統とを有し、各対向面22の間を基板Sが移動する間に、供給口24aから供給される洗浄液により基板Sの主面と前記対向面22との隙間を液密状態とするように構成されている。なお、供給系統は、洗浄液としてオゾン水中に直径が10−6m未満の微小気泡を含むオゾンナノバブル水を供給する。 (もっと読む)


【課題】基板を垂直に起立させた状態で基板の両面にエッチング液を流して基板をエッチングする基板エッチング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板を垂直に起立させた状態に保持する基板垂直保持部と、垂直に起立させた基板の上端にエッチング液を噴射してエッチング液が基板の表面を流れ落ちるようにするエッチング液噴射部と、を含み、エッチング液噴射部は、基板の両側にそれぞれ具備させて基板の両面に同時にエッチング液を噴射することを特徴とする基板エッチング装置。 (もっと読む)


【課題】この発明は基板を上下駆動する際にダウンフローの乱れによって基板が汚染されることがないようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】清浄空気が上方から下方に向かって流がされるとともに、基板を上下方向に駆動する上下駆動装置27が設けられたチャンバ5aを有する基板の処理装置であって、
上下駆動装置は、基板を水平に支持する上下可動体18と、上下可動体を上下方向に駆動する上下駆動機構28と、上下可動体の幅方向両端部に設けられ上下可動体が上下駆動機構によって上下方向に駆動されたときにチャンバの上方から下方に向かって流れる清浄空気を上下可動体の幅方向両端部において幅方向外方に向かってガイドする傾斜面26とを具備する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、インターロック機構の信頼性を向上させる。
【解決手段】除電部2は、メンテナンス用の開口部20aをもつチャンバ本体と前記開口部20aを開閉する蓋体21とを備えたチャンバ20を有し、このチャンバ20の内部に、基板に対して除電処理を施す軟X線式イオナイザ26を備える。この除電部2は、閉止位置にある蓋体21が開方向に操作されることにより作動する開閉スイッチと、この開閉スイッチの作動に基づき軟X線式イオナイザ26を強制的に停止させる制御装置とを備える。また、処理用チャンバ20の蓋体21には、当該蓋体21が前記閉止位置から開方向へ所定寸法以上変位するまで前記開口部20aを閉塞するためのリブ21bが設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する2つの基板保持手段(吸着パッド2、スピンチャック3)を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材(ブラシ5)は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、2つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】片面エッチングのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置(100)は、真空室(110)を有し、穿孔ベルト(120)がこの真空室に対して配置されている。そして、エッチング室(130)は、真空室に関し、穿孔ベルトの反対側に配置される。エッチング室は開口部(132)を有し、ここを通ってエッチング剤が放出される。真空室は、エッチング剤からウェーハ(140)の背面(144)を保護する圧力差を生じるよう構成される。使用においては、ウェーハの背面は穿孔ベルトに対して配置される。ウェーハ(142)の前面は放出されたエッチング剤に露出される。圧力差は、ベルトに対してウェーハの背面を保護し、及び/又は、穿孔ベルトを通してウェーハの前側に配置されないエッチング剤を抽出する。 (もっと読む)


【課題】 ドライエッチャに洗浄工程を付加してドライエッチャの適用範囲をメタル膜エッチング工程まで拡大させるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャを提供する。
【解決手段】 エッチングガスを注入して基板上の膜をエッチングするエッチング部と、エッチング部により処理された基板を移送させる移送部と、移送部により移送された基板を洗浄する洗浄部と、を備えるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ。 (もっと読む)


【課題】 1つの工程装備にインシャワー、吸入および乾燥工程を行えるようにし、基板を塗布または剥皮したり洗浄工程を行ったりする際に時間と空間的な効率性を高めることができるインシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置を提供する。
【解決手段】 インシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置は、インシャワーナイフ、エアナイフを含むナイフユニットおよびナイフユニットが取付けられて基板上にナイフユニットを移送することができるフレームを含む。 (もっと読む)


【課題】平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させる。
【解決手段】この乾燥処理室M5は隔壁194により搬送方向に沿って2つの室M5a,M5bに分割されており、隔壁194には搬送路114上の基板Gがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部192が設けられている。搬送路114上で基板Gが隔壁194の開口部192を通り抜ける時、基板Gと開口部192との間にはわずかな隙間Kが形成され、この隙間Kを通って下流側の高圧室M5bから上流側の低圧室M5aに向って空気流Aが吹き抜けることにより、基板Gの表面に付着している液Ra,Rbは空気流Aの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストmとなって上流側の室M5a内で飛散ないし拡散する。 (もっと読む)


特に、銅とlow-k誘電材料を含む基板からレジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び酸化銅の1又は2以上を除去するのに適用できる種々の組成物を開示する。基板の表面を組成物と、典型的には30秒〜30分の時間、かつ25℃〜45℃の温度で接触させることによって、レジスト、残渣、及び酸化銅を除去する。組成物は、フッ化物供給成分;少なくとも1質量%の水混和性有機溶媒;有機酸;及び少なくとも81質量%の水を含む。典型的に、組成物は約0.4%までの1又は2以上のキレーターをさらに含む。 (もっと読む)


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