【課題】マスク基板上の残留硫酸イオンの付着量が少なく、異物の除去率が高く、また、マスク基板の遮光膜や位相シフト膜へのダメージを与えることがないマスク基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に遮光膜や位相シフト膜を設けたマスク基板の洗浄方法であって、前記マスク基板に紫外線を照射する第１の工程と、前記マスク基板をオゾン水に浸漬して洗浄する第２の工程と、前記マスク基板を水素水、またはアンモニア水、またはアンモニア過水に浸漬して洗浄する第３の工程と、前記マスク基板を乾燥させる第４の工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の加工面の傷や加工時に生じる不純物などを効果的に除去する洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により作製したＳｉＣ成形体を所望の形状に加工した後、酸洗浄し、次いで、（１）該ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を陽極として２．０Ｖ以上の正電位を印加して表面に二酸化ケイ素の膜を形成する電解研磨処理、（２）引き続き、フッ化水素酸系の酸により二酸化ケイ素膜の溶解除去処理、を施した後、純水で洗浄し、乾燥することを特徴とするＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】容易かつ効果的に洗浄されるリソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置を効果的に洗浄する方法を提供する。
【解決手段】表面を洗浄するメガソニックトランスデューサを有する液浸リソグラフィ投影装置、及び液体を通じてメガソニック波を使用して液浸リソグラフィ投影装置を洗浄する方法が開示される。液体には流れ、望ましくは放射状流れが誘起される。 （もっと読む）

真空の中で基板を放射エネルギーに曝す露光装置は、中に前記真空が形成されるチャンバーと、前記チャンバーの中に配された供給ノズルを含み、前記真空が形成された前記チャンバーの中に配された物体に対して前記供給ノズルを介してガスを噴射する噴射デバイスと、前記チャンバーの中に配された回収ノズルを含み、前記供給ノズルを介して前記チャンバー内に噴射されたガスを、前記回収ノズルを介して回収する回収デバイスとを備え、前記噴射デバイスから前記回収デバイスへ向かう方向とは逆の方向であって前記噴射デバイスによる噴射とは平行に前記物体が移動するように構成されている。 （もっと読む）

本発明は、半導体生産ラインでの自動交替式副産物捕集装置及びその制御方法に関し、特に、公知の副産物捕集装置を構成するにおいて、垂直軸の周囲に一定角度をおいて固定設置された状態でサーボモータの駆動方向に応じて上プレート及び下プレート間で左右に回動し、いずれか一個が副産物を捕集して残りは反復的に清掃を行う数個のトラップユニットと、中央部は前記トラップユニットが固定された垂直軸が貫通する形態で軸支されて、前記上蓋体及び下蓋体と一定間隔を維持する形態で設置され前記ケースの上部及び下部からトラップユニット等の上開口部及び下開口部に接触され各々のトラップユニットに副産物流入口及び副産物排出口と洗浄水供給口及び洗浄水排出口、乾燥気体供給口及び乾燥気体排気口を選択的に連結させる上プレート及び下プレートと、平常時には伸長により前記上プレート及び下プレートとユニット等との間で気密を維持させて、トラップユニット等の交替のために一定方向に回動させる際には、垂直になりトラップユニット等を円滑に回動させるトラップとプレート連結及び分離手段と、前記垂直軸の低端部に軸が連結された状態で下プレートの底面に固定設置され制御部の出力信号に応じて正、逆方向に回動し前記トラップユニット等を一定角度範囲内で回転させるサーボモータと、制御プログラムを通じて前記サーボモータとトラップとプレートの連結及び分離手段及び各種バルブの駆動を制御する制御部とから構成される。
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可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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