【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】構造の簡素化と流通させる液体の清浄度向上との両立を図り、液体の供給停止後に生じる使用部における液垂れを抑制することができる新たな構造を備えた液体供給装置を提供する。
【解決手段】液体の供給部１０と、液体の使用部２０と、供給部から使用部へ液体を流通させる供給配管部３０とを有する液体供給装置１Ａであって、供給配管部は、供給部側から供給される液体を流通させる主配管部３１と、主配管部に接続されるアスピレータ５０と、アスピレータにより分岐され使用部側に液体を供給する使用側配管部３２及び副配管部３３と、副配管部に接続され開閉機能を有する弁１６とを備えており、アスピレータの主流路側に主配管部及び副配管部が接続され、アスピレータの吸引流路側に使用側配管部が接続される。 （もっと読む）

【課題】酸性処理液とアルカリ性処理液とにより生成される生成物が付着することを防止し、排気効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、被処理体Ｗに、酸性処理液またはアルカリ性処理液を供給する液処理部４０と、液処理部４０に連結された主排気ダクト６４と、主排気ダクト６４に、排気方向下流側から順にそれぞれ連結され、液処理部４０内の雰囲気を排出する複数の個別排気ダクト６１、６２、６３と、主排気ダクト６４と複数の個別排気ダクト６１、６２、６３の各々との間に設けられた複数の排気開閉弁７１、７２、７３と、を備えている。主排気ダクト６４は、分岐部６４ｂを有し、液処理部４０と主排気ダクト６４の分岐部６４ｂとの間に、洗浄流体を噴出する洗浄流体噴出部８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】流体ナイフのスリット部の清掃を、均一な深さで容易に行うことが可能な基板の処理装置を提供すること。
【解決手段】処理槽３内を搬送装置４により搬送される基板１００の表面に流体を噴射して処理を行う処理装置１であって、処理槽３内を搬送させる基板１００の表面に対向して配置され、基板１００の上面又は下面の少なくとも一方に流体を噴射するスリット部４１を有する流体ナイフ５は、流体ナイフ５の長手方向に沿って延設された案内レール３６と、流体ナイフ５のスリット部４１にその先端が挿入可能に形成された清掃体４７を有し、案内レール４４に沿って移動可能に形成された清掃部材と３７とを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

本発明は、作製が簡単でかつ作製費が低いのはもとより、窒素ガスの噴射方向を反応副産物の流れ方向と一致させ、反応副産物ガスの流れを損なわず、効果的に噴射されるようにした半導体装備やＬＣＤ装備の窒素ガス噴射装置に関し、フランジを有する一対のフランジ配管と、一対のフランジ配管間でフランジ配管の壁体に沿ってリング状に結合され、フランジ配管の内部に窒素を供給する噴射ノズルと、窒素ガスの供給のために噴射ノズルと連結された窒素供給ラインと、を備え、噴射ノズルは、円周方向に沿って供給された窒素が移動可能に内部に中空が形成され、内部中空と連通し、供給された窒素がフランジ配管の内部に噴射されるようにする多数の噴射孔を備えるが、噴射孔は、フランジ配管の内周面から突出した位置において、前記反応副産物ガスの流れ方向に噴射されるように形成される。
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【課題】メンテナンスを行う場合であっても、処理効率の低下を抑制することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給源１４には、第１循環配管ＣＰ１、第２循環配管ＣＰ２、第３循環配管ＣＰ３および第４循環配管ＣＰ４の両端が接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１処理部Ｐ１の流通方向の上流側の部分には、第１薬液バルブ２１が介装されている。第１循環配管ＣＰ１における第１薬液バルブ２１と第１処理部Ｐ１と間の部分には、第１純水配管２２の先端が分岐接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１処理部Ｐ１の流通方向の下流側の部分には、第１廃液配管２４が分岐接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１廃液配管２４の廃液分岐部分ＤＷ１には、第１の３方弁２５が介装されている。 （もっと読む）

【課題】効率的な生産が可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液で基板Ｗを処理するための処理ユニット６と、この処理ユニット６に処理液を供給する処理液供給部２５とを含む。処理液供給部２５は、所定の大きさに統一され、処理液が流通する配管２８をそれぞれ有する複数の処理液供給モジュール２２と、複数の処理液供給モジュール２２をそれぞれ配置するための複数の配置空間が内部に設けられた流体ボックス７とを含む。 （もっと読む）

【課題】短時間で多連バルブ内をリンス液で確実に洗い流し、ひいては、高いスループットでウエハを処理すること。
【解決手段】液処理方法は、薬液供給バルブ１１ａと、リンス液供給バルブ１２ａと、排出バルブ１１ｂを有する多連バルブ１０と、多連バルブ１０を経た薬液Ｃおよびリンス液Ｒを被処理体Ｗに向かって案内する洗浄液供給管５を介して、被処理体に薬液およびリンス液を供給して処理する。液処理方法は、薬液供給バルブ１１ａを開状態にして薬液Ｃを被処理体Ｗに供給する薬液供給工程と、当該薬液供給工程の後に行われ、リンス液供給バルブ１２ａと排出バルブ１２ｂの両方を開状態にして、リンス液供給部から供給されるリンス液Ｒの一部を被処理体Ｗに供給するとともに、該リンス液Ｒの残部を多連バルブ１０内で排出路２ｂに向かって流すバルブリンス工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄処理した後、ＩＰＡ等の乾燥用溶剤を用いて乾燥した場合に、スループットを低下させることなく薬液を回収することができる洗浄装置および洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを回転させながら、ウエハＷに薬液洗浄を施し、リンス処理を施し、その後ＩＰＡによる乾燥処理を施す洗浄機構１は、排液カップ６および排液配管３１を洗浄するための洗浄液を、ウエハＷに供給されない状態で、排液カップ６に供給する洗浄液供給機構３９を有し、さらに洗浄機構１の各構成部を制御する制御部４０を有し、この制御部４０は、ウエハＷの洗浄処理、その後のリンス処理を実施させた後、ＩＰＡによる乾燥処理を行わせている際に、乾燥処理が実施されているタイミングで洗浄液を排液カップ６に供給させるように制御する。 （もっと読む）

【課題】立ち上げ期間の短縮の可能な温超純水製造装置のユースポイント配管の立上洗浄方法を提供する。
【解決手段】温超純水製造装置のユースポイント配管の立上洗浄方法は、サブシシテム３に供給された一次純水Ｗ１をサブシステム３の超純水加熱装置７で加熱する。このとき、通常は、運転時の温超純水Ｗ２と同じ温度の洗浄水により、立上洗浄を行うが、本実施形態においては、超純水加熱装置７では運転時にラインＬ３に供給される温超純水Ｗ２の温度よりも高い温度、温超純水Ｗ２の温度よりも５℃以上高い温度の洗浄水を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】各薬液供給源に設けられるバルブの設置スペースを小さくすることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】ウエハＷの処理を行う処理部１０に接続された第１のライン２２から第２のライン４４が分岐している。第２のライン４４から複数の第３のライン（アンモニア水供給ライン４８、塩酸供給ライン５２およびフッ酸供給ライン５６）が分岐している。これらの第３のラインには、第２のライン４４からの分岐箇所にそれぞれバルブ４８ａ、５２ａ、５６ａが介設されている。各第３のラインにはそれぞれ薬液供給源（アンモニア水供給源４６、塩酸供給源５０およびフッ酸供給源５４）が接続されており、これらの薬液供給源から各第３のラインに薬液が供給されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽に純水を安定して供給でき、かつ、設備の大型化やコストアップを抑えることができるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽３に設けられたノズル２７に、フープ洗浄用に純水を収容する水タンク３２をバルブ４６を介して接続し、水タンク３２に水圧送用の圧気を供給するための圧気供給手段５３を接続し、洗浄槽３に、フープ洗浄後に洗浄槽３内の水を排出すると共に、フープ乾燥時に洗浄槽３内の空気を排出するための排気排水口３４を形成し、排気排水口３４に気液分離器９を介して空気吸引手段４２を接続し、空気吸引手段４２と水タンク３２を同一のケーシング４７内に収容してユニット化したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輸送管内部の金属付着物の状況を知ることができるプラズマ処理装置の検査方法、検査装置、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置のクリーニング方法、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】放電管とマイクロ波導入手段とを有し、前記放電管内に導入されたガスにマイクロ波を作用させてプラズマを生成するプラズマ発生室と、被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ処理室と、前記プラズマ発生室と前記プラズマ処理室とを接続する輸送管と、を有するプラズマ処理装置の検査方法であって、前記放電管内に検査ガスを導入し、前記放電管内にマイクロ波を導入して前記検査ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ処理室における光の強度を測定すること、を特徴とするプラズマ処理装置の検査方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が２５回繰り返し実行されることにより、２５枚のウエハに対する処理が行われる。２５回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置内を清浄に保つことができる半導体製造装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】硫酸と過酸化水素水とが混合されて成るレジスト剥離用薬液を用いてレジスト剥離処理を行う半導体製造装置を洗浄する半導体製造装置の洗浄方法であって、レジスト剥離処理が行われた後、レジスト剥離処理に用いられたレジスト剥離用薬液に過酸化水素水を添加し、過酸化水素水が添加されたレジスト剥離用薬液を用いて、レジスト剥離処理により生じた異物を除去し、異物の除去に用いられたレジスト剥離用薬液を半導体製造装置から排出する。 （もっと読む）

【課題】処理液供給ライン内に付着する汚染物質を効果的に除去して処理液供給ライン内を洗浄することができ、更には既存の処理液供給ラインに大幅な変更を加えることなく容易に接続できる配管ユニット及び処理液供給ライン洗浄方法を提供すること。
【解決手段】上流側に薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１２Ａ、１２Ｂが接続され、下流側に処理槽２０が接続され、薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１２Ａ、１２Ｂから供給される処理液を処理槽２０に供給するための装置側薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１３Ａ、１３Ｂに分岐接続されてなる配管ユニット３０であって、装置側薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１３Ａ、１３Ｂに切換え可能に分岐接続される分岐管３１と、分岐管３１から並列に分岐接続される強流ライン３４及び弱流ライン３５と、強流ライン３４を開閉するバルブ３７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理に使用される液体の量を低減しつつ、基板処理装置の内部に付着した薬液成分を確実に除去することができる基板処理装置の中和洗浄装置および中和洗浄方法を提供する。
【解決手段】中和洗浄装置１は、基板処理装置９０の内部との間で希釈液の循環経路を構成し、希釈液を循環させつつ希釈液中に中和剤を添加する。また、中和洗浄装置１は、循環される希釈液のｐＨ値をｐＨセンサ１６により計測し、その計測値が所定の数値範囲内に入るまで中和剤の添加を継続する。このため、希釈液を循環させることにより希釈液の使用量を低減させることができ、また、ｐＨセンサ１６の計測値に基づいて希釈液中の薬液成分を確実に中和することができる。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック５９と、ウエハＷに処理液および乾燥ガスを吐出口から吐出方向に吐出する吐出ノズル７５と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズルに接続され、ウエハＷに処理液を吐出させた後で乾燥ガスを吐出する前に、吐出ノズルの内部に残留する処理液を吐出方向と逆方向に吸引する処理液吸引機構１０３ａと、処理液吸引機構に接続され、処理液供給機構と乾燥ガス供給機構から処理液および前記乾燥ガスの一方が吐出ノズルへ供給されるように、処理流体を切り替える開閉バルブ１０２ａ・１０２ｂ・１０２ｄとを具備する。 （もっと読む）