基板処理装置
【課題】基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が２５回繰り返し実行されることにより、２５枚のウエハに対する処理が行われる。２５回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。
【解決手段】基板処理装置では、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が２５回繰り返し実行されることにより、２５枚のウエハに対する処理が行われる。２５回のプロセスレシピ制御中に、タイマにより、ウエハへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマによる計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピに従った制御が実行され、プリディスペンス動作が行われる。プリディスペンス動作により、ノズルなどに溜まった薬液が廃棄されるので、プロセスレシピ制御の再開後に、劣化した薬液がウエハに供給されることを防止できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対して所定の処理を施すための基板処理装置に関する。基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、基板に対して、洗浄処理、エッチング処理および熱処理などの種々の処理が行われる。処理の方式としては、基板に対する処理を１枚ずつ行う枚葉式と、複数枚の基板に対する処理を一括して行うバッチ式とがある。
枚葉式の処理のための基板処理装置は、隔壁により区画された処理室を備えている。処理液を用いる処理の場合、処理室内には、基板に処理液を供給するためのノズルが設けられている。処理の効率を高めるため、ノズルには、処理に適した温度に調節された処理液が供給される。処理室内に基板が１枚ずつ搬入され、その搬入された基板にノズルからの処理液が供給されることにより、基板に対する処理が達成される。
【０００３】
この基板処理装置には、所定枚数（たとえば、２５枚）の基板がＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）に一括して収容された状態で搬入される。基板処理装置では、ＦＯＵＰごとに、１つのフローレシピが設定される。フローレシピは、処理の内容を定めたプロセスレシピ、一連の処理の開始前に行われる前動作の内容を定めたプリレシピ、および一連の処理の終了後に行われる後動作の内容を定めたポストレシピからなる。基板処理装置にＦＯＵＰが搬入されると、プリレシピに従った制御が実行されることにより、前動作として、たとえば、ノズルや配管内に溜まった処理液（処理に適した温度よりも低下した低温の処理液）を廃棄するプリディスペンス動作が行われる。その後、プロセスレシピに従った制御が繰り返し実行されることにより、１つのＦＯＵＰに収容された基板は、次々と連続して処理室に搬入され、処理室で処理液による処理を受ける。そして、プロセスレシピに従った制御がＦＯＵＰに収容された基板の枚数に等しい所定回数だけ実行され、一連の所定回数の処理が終了すると、ポストレシピに従った制御が実行されることにより、後動作として、処理室内に配置された部材（たとえば、ノズル）を洗浄するための動作が行われる。
【特許文献１】特開２００７−１４９８９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板に対する処理が正常に繰り返し行われている場合、基板に処理液を供給する動作が終了してから一定時間後に、次の基板が処理室に搬入され、その基板に対する処理が行われる。ところが、処理が中断し、または、処理済みの基板が処理室から搬出されてから、次の基板が処理室に搬入されるまでに時間がかかることにより、次の処理の開始が通常のタイミングよりも遅れることがある。
【０００５】
次の処理の開始が大きく遅れると、その処理の開始までにノズルや配管内に溜まった処理液が劣化し、その劣化した処理液が基板に供給されることがある。処理液の劣化には、たとえば、処理液の温度が処理に適した温度よりも低下することや、処理液に含まれる成分の析出による処理液の比重の変化などが含まれる。劣化した処理液が基板に供給されると、処理の品質が低下する。処理液が温度低下に伴って粘性が上がる薬液である場合には、処理液の供給流量の不足も生じ、処理の品質がさらに低下するおそれがある。また、次の処理の開始までに、処理室内に配置された部材に付着した処理液が乾燥により結晶化するおそれがある。処理液の結晶は、パーティクルとなって、基板の汚染の原因となる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板に対する処理の内容（手順および条件）を定めるプロセスレシピおよび予め定める予備動作の内容を定める予備動作レシピを記憶するレシピ記憶手段と、前記プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御を複数回繰り返して実行し、これによる一連の前記複数回の前記処理の開始前または開始後に、前記予備動作レシピに従った予備動作レシピ制御を１回実行するメイン制御実行手段と、前記処理のための所定の動作の終了から次回の前記プロセスレシピ制御の開始までの時間を計測する計時手段と、前記計時手段により計測された時間が予め定める基準時間以上であることを条件として、前記メイン制御実行手段により実行される前記プロセスレシピ制御に割り込み、前記予備動作レシピ制御を実行する割込制御実行手段とを備える、基板処理装置である。
【０００８】
この基板処理装置では、レシピ記憶手段に、プロセスレシピおよび予備動作レシピが記憶されている。プロセスレシピは、基板に対する処理の内容を定めるものである。予備動作レシピは、予め定める予備動作の内容を定めるものである。メイン制御実行手段により、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が複数回実行され、一連の複数回の処理が行われる。また、その一連の複数回の処理の開始前または実行後に、メイン制御実行手段により、予備動作レシピに従った予備動作レシピ制御が１回実行され、予め定める予備動作が行われる。複数回のプロセスレシピ制御の実行中には、計時手段により、処理のための所定の動作の終了から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、その計測された時間が予め定める基準時間以上であれば、割込制御実行手段により、プロセスレシピ制御に割り込んで、予備動作レシピ制御が実行される。
【０００９】
基板に対する処理が正常に繰り返し行われていれば、今回のプロセスレシピ制御による所定の動作の終了から一定時間後に、次回のプロセスレシピ制御（処理）が開始される。基準時間は、その一定時間よりも長い時間に定められる。したがって、計時手段により計測された時間が基準時間を超えるのは、処理が中断するなどが原因で、次の処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合である。この場合に、予備動作レシピ制御が実行され、予め定める予備動作が行われることにより、次の処理の開始までに生じた不具合を解消することができる。
【００１０】
たとえば、請求項２に記載のように、前記基板処理装置は、前記処理に用いられる処理液が流通する処理液流通路を備え、前記予備動作は、前記処理液流通路に溜まった処理液を廃棄する動作を含んでいてもよい。
基板処理装置が処理液流通路を備える場合、次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までに処理液流通路に溜まった処理液が劣化するということがある。予備動作が処理液流通路に溜まった処理液を廃棄する動作を含むことにより、その劣化した処理液が基板に供給されることを防止できる。また、処理液が温度低下に伴って粘性が上がる薬液である場合には、処理液の供給流量の不足をさらに防止することができる。その結果、処理の品質の低下を防止することができる。
【００１１】
請求項３に記載のように、前記基板処理装置は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルの外表面に洗浄液を供給するノズル洗浄液供給手段とを備え、前記予備動作は、前記ノズル洗浄液供給手段により前記ノズルの外表面に洗浄液を供給する動作を含んでいてもよい。
基板処理装置がノズルを備える場合、次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までにノズルの外表面に付着した処理液が乾燥により結晶化するということがある。予備動作がノズルの外表面に洗浄液を供給する動作を含むことにより、ノズルの外表面から処理液の結晶を除去することができる。その結果、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
【００１２】
請求項４に記載のように、前記基板処理装置は、基板を保持する基板保持部材と、前記基板保持部材の表面に洗浄液を供給する保持部材洗浄液供給手段とを備え、前記予備動作は、前記保持部材洗浄液供給手段により前記基板保持部材の外表面に洗浄液を供給する動作を含んでいてもよい。
基板処理装置が基板保持部材を備える場合、次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までに基板保持部材の表面に付着した処理液が乾燥により結晶化するということがある。予備動作が基板保持部材の表面に洗浄液を供給する動作を含むことにより、基板保持部材の表面から処理液の結晶を除去することができる。その結果、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
【００１３】
請求項５に記載のように、前記基板処理装置は、基板に処理液を供給するための処理液供給手段と、基板から排除された処理液を受ける受け部材と、前記受け部材に洗浄液を供給する受け部材洗浄液供給手段とを備え、前記予備動作は、前記受け部材洗浄液供給手段により前記受け部材に洗浄液を供給する動作を含んでいてもよい。
基板処理装置が受け部材を備える場合、次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までに受け部材の表面に付着した処理液が乾燥により結晶化するということがある。予備動作が受け部材の表面に洗浄液を供給する動作を含むことにより、受け部材の表面から処理液の結晶を除去することができる。その結果、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。
基板処理装置１は、基板の一例としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ］という。）Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置１は、処理チャンバ（図示せず）内に、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持しつつウエハＷを回転させる基板回転機構２と、基板回転機構２に保持されたウエハＷの表面（上面）に薬液を供給するためのノズル３と、基板回転機構２に保持されたウエハＷの表面付近の雰囲気をその周囲から遮断するための遮断板４とを備えている。
【００１５】
基板回転機構２としては、たとえば、挟持式のものが採用されている。具体的には、基板回転機構２は、モータ５と、このモータ５の駆動軸と一体化されたスピン軸６と、スピン軸６の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース７と、スピンベース７の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられた複数個の挟持部材６とを備えている。そして、複数個の挟持部材６により、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持することができる。この状態で、モータ５が駆動されると、その駆動力によってスピンベース７が鉛直軸線まわりに回転され、そのスピンベース７とともに、ウエハＷがほぼ水平な姿勢を保った状態で鉛直軸線まわりに回転される。
【００１６】
スピン軸６には、裏面供給管９が相対回転可能に挿通されている。裏面供給管９の上端は、スピンベース７の上面に配置された裏面ノズル１０に接続されている。裏面供給管９には、薬液供給管１１およびリンス液供給管１２が接続されている。薬液供給管１１には、裏面薬液バルブ１３が介装されている。リンス液供給管１２には、裏面リンス液バルブ１４が介装されている。裏面薬液バルブ１３および裏面リンス液バルブ１４が選択的に開かれると、薬液供給管１１およびリンス液供給管１２から裏面供給管９に、それぞれ薬液およびリンス液が選択的に供給される。裏面供給管９に選択的に供給される薬液およびリンス液は、裏面ノズル１０から上方に吐出される。
【００１７】
ノズル３は、基板回転機構２の上方でほぼ水平に延びるアーム１５の先端部に取り付けられている。アーム１５には、アーム１５を所定角度範囲内で揺動させるためのアーム揺動機構１６が結合されている。
ノズル３には、薬液供給管１７が接続されている。薬液供給管１７には、表面薬液バルブ１８が介装されている。表面薬液バルブ１８が開かれると、薬液供給管１７からノズル３に薬液が供給される。そして、ノズル３に供給される薬液は、ノズル３から下方に吐出される。
【００１８】
遮断板４は、ウエハＷとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成され、基板回転機構２の上方でほぼ水平に配置されている。この遮断板４の上面には、スピンベース７と共通の鉛直軸線を中心とする回転軸１９が固定されている。回転軸１９は、中空に形成されている。
回転軸１９の内部には、表面供給管２０が挿通されている。表面供給管２０の下端は、遮断板４の下面に達し、下方に開放されている。表面供給管２０には、リンス液供給管２１が接続されている。リンス液供給管２１には、表面リンス液バルブ２２が介装されている。表面リンス液バルブ２２が開かれると、リンス液供給管２１から表面供給管２０にリンス液が供給される。表面供給管２０に供給されるリンス液は、表面供給管２０の下端から下方に吐出される。
【００１９】
回転軸１９の内壁面と表面供給管２０との間は、窒素ガスが流通する窒素ガス流通路２３を形成している。窒素ガス流通路２３の下端は、遮断板４の下面において、表面供給管２０の周囲で環状に開口している。窒素ガス流通路２３には、窒素ガス供給管２４が接続されている。窒素ガス供給管２４には、窒素ガスバルブ２５が介装されている。窒素ガスバルブ２５が開かれると、窒素ガス供給管２４から窒素ガス流通路２３に窒素ガスが供給される。窒素ガス流通路２３に供給される窒素ガスは、窒素ガス流通路２３の下端の環状開口から下方に吐出される。
【００２０】
回転軸１９は、基板回転機構２の上方でほぼ水平に延びるアーム２６に取り付けられ、そのアーム２６から垂下した状態に設けられている。アーム２６には、遮断板４を基板回転機構２の上方に大きく離間した位置（図１に示す位置）と基板回転機構２に保持されたウエハＷの表面に微小な間隔を隔てて近接する位置との間で昇降させるための遮断板昇降機構２７が結合されている。
【００２１】
また、基板回転機構２は、有底円筒容器状のカップ２８内に収容されている。カップ２８の上方には、スプラッシュガード２９がカップ２８に対して昇降可能に設けられている。
カップ２８の底面には、基板回転機構２を取り囲む円筒状の第１区画壁３０と、第１区画壁３０の外側を取り囲む円筒状の第２区画壁３１とが立設されている。これにより、カップ２８内には、廃液溝３２、第１回収溝３３および第２回収溝３４が形成されている。具体的には、基板回転機構２と第１区画壁３０との間に、円環状の廃液溝３２が形成されている。また、第１区画壁３０と第２区画壁３１との間に、円環状の第１回収溝３３が形成されている。さらに、第２区画壁３１とカップ２８の外側壁との間に、円環状の第２回収溝３４が形成されている。
【００２２】
スプラッシュガード２９は、内傘状部材３５、中傘状部材３６および外傘状部材３７を備えている。
内傘状部材３５は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部３８，３９と、これら円筒部３８，３９の上端を連結し、ウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部４０とを一体的に備えている。内側の円筒部３８の下端は、廃液溝３２上に位置している。外側の円筒部３９の下端は、第１回収溝３３上に位置している。また、円筒部３８，３９は、スプラッシュガード２９が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ２８の底面に接触しないような長さに形成されている。
【００２３】
中傘状部材３６は、内傘状部材３５の外側を取り囲むように設けられている。中傘状部材３６は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部４１，４２と、これら円筒部４１，４２の上端を連結し、ウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部４３とを一体的に備えている。内側の円筒部４１の下端は、第１回収溝３３上に位置している。外側の円筒部４２の下端は、第２回収溝３４上に位置している。また、円筒部４１，４２は、スプラッシュガード２９が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ２８の底面に接触しないような長さに形成されている。
【００２４】
外傘状部材３７は、中傘状部材３６の外側を取り囲むように設けられている。外傘状部材３７は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部４４と、この円筒部４４の上端からウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部４５とを備えている。円筒部４４は、第２回収溝３４上に位置しており、スプラッシュガード２９が最下方の退避位置に下降したときに、その下端がカップ２８の底面に接触しないような長さに形成されている。
【００２５】
傾斜部４０，４３，４５は、上下方向に互いに間隔を空けて重なるように設けられている。各傾斜部４０，４３，４５の上端縁は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒面上に配置されている。これにより、傾斜部４０の上端縁の下方には、廃液溝３２と連通する廃液ポート４６が形成されている。また、傾斜部４０の上端縁と傾斜部４３の上端縁との間には、第１回収溝３３と連通する第１回収ポート４７が形成されている。さらに、傾斜部４３の上端縁と傾斜部４５の上端縁との間には、第２回収溝３４と連通する第２回収ポート４８が形成されている。
【００２６】
また、スプラッシュガード２９には、内傘状部材３５、中傘状部材３６および外傘状部材３７を一体的に昇降させるためのガード昇降機構４９が結合されている。
なお、薬液としては、たとえば、ＢＨＦ（Buffered hydrofluoric acid）、ＳＰＭ（Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture）、Ｈ２ＳＯ４、ポリマー除去液などを例示することができる。また、リンス液としては、たとえば、純水、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）および磁気水などを例示することができる。
【００２７】
図２は、基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御部５１を備えている。制御部５１には、基板処理装置１のユーザなどにより操作される操作部５２が接続されている。さらに、制御部５１には、制御対象として、モータ５、裏面薬液バルブ１３、裏面リンス液バルブ１４、表面薬液バルブ１８、表面リンス液バルブ２２、窒素ガスバルブ２５、アーム揺動機構１６、遮断板昇降機構２７およびガード昇降機構４９が接続されている。
【００２８】
また、制御部５１は、レシピ記憶部５３およびタイマ５４を内蔵している。
レシピ記憶部５３は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。レシピ記憶部５３には、操作部５２の操作により作成されるプロセスレシピ、プリレシピ、ポストレシピおよびフローレシピが記憶される。プロセスレシピは、ウエハＷに対する処理の内容（手順および条件を含む。以下同じ。）を定めたものである。プリレシピは、予備動作レシピの一例であり、予め定める前動作の内容を定めたものである。ポストレシピは、予備動作レシピの一例であり、予め定める後動作の内容を定めたものである。フローレシピは、プロセスレシピに従った制御（プロセスレシピ制御）、プリレシピに従った制御（プリレシピ制御）およびポストレシピに従った制御（ポストレシピ制御）の実行順序および実行回数を定めたものである。
【００２９】
図３は、フローレシピに従って実行される制御の流れ（プロセスレシピ制御、プリレシピ制御およびポストレシピ制御の順序）を示すフローチャートである。
基板処理装置１には、所定枚数（この実施形態では、２５枚）のウエハＷがＦＯＵＰ（図示せず）に一括して収容された状態で搬入される。基板処理装置１は、複数のＦＯＵＰを並べて載置可能な載置台（図示せず）を備えている。この載置台にＦＯＵＰが載置されると、そのＦＯＵＰに対して予め選択されたフローレシピがレシピ記憶部５３から読み出される。そして、フローレシピに従って、以下に説明する一連の制御が実行される。
【００３０】
まず、プリレシピ制御が実行される（ステップＳ１）。これにより、前動作として、たとえば、ノズル３、裏面供給管９、裏面ノズル１０および薬液供給管１７に溜まっている薬液を廃棄するプリディスペンス動作が行われる。具体的には、裏面薬液バルブ１３が開かれて、裏面供給管９および裏面ノズル１０に溜まっている薬液が裏面ノズル１０から吐出される。また、表面薬液バルブ１８が開かれて、ノズル３および薬液供給管１７に溜まっている薬液がノズル３から吐出される。このとき、ノズル３は、カップ２８の外部に設けられたプリディスペンスポッド（図示せず）に対向しており、ノズル３から吐出される薬液は、プリディスペンスポッドに受け取られる。
【００３１】
次に、プロセスレシピ制御が実行される（ステップＳ２）。プロセスレシピ制御が実行されると、図示しない搬送ロボットにより、ＦＯＵＰから１枚のウエハＷが取り出される。ＦＯＵＰから取り出されたウエハＷは、基板回転機構２に向けて搬送され、基板回転機構２に保持される。
そして、モータ５が制御されて、基板回転機構２により、ウエハＷが所定の回転速度で回転される。また、ガード昇降機構４９が制御されて、第１回収ポート４７がウエハＷの端面と対向する位置に配置される。その一方で、アーム揺動機構１６が制御されて、ノズル３がウエハＷの上方に配置される。その後、裏面薬液バルブ１３および表面薬液バルブ１８が開かれ、処理に適した温度に調節された薬液がノズル３および裏面ノズル１０からそれぞれウエハＷの表面および裏面に供給される。ウエハＷの表面および裏面に供給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面および裏面の全域にむらなく広がる。これにより、ウエハＷの表面および裏面に対して、薬液による処理（たとえば、ウエハＷから不要物を除去する洗浄処理）が施される。遠心力によりウエハＷから側方に飛散する薬液は、第１回収ポート４７に入り、第１回収溝３３に集められて、図示しない回収タンクに回収される。
【００３２】
ウエハＷに対する薬液の供給が所定時間にわたって続けられると、裏面薬液バルブ１３および表面薬液バルブ１８が閉じられる。そして、ガード昇降機構４９が制御されて、廃液ポート４６がウエハＷの端面と対向する位置に配置される。また、遮断板昇降機構２７が制御されて、遮断板４がウエハＷの表面に近接する位置に下降される。その後、裏面リンス液バルブ１４および表面リンス液バルブ２２が開かれて、リンス液が表面供給管２０および裏面ノズル１０からそれぞれウエハＷの表面および裏面に供給される。このとき、基板回転機構２によるウエハＷの回転は継続されており、ウエハＷの表面および裏面に供給されたリンス液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面および裏面の全域にむらなく広がる。これにより、ウエハＷに付着していた薬液がリンス液によって洗い流される。遠心力によりウエハＷから側方に飛散するリンス液（ウエハＷから洗い流された薬液を含む場合もある。）は、廃液ポート４６に入り、廃液溝３２に集められて、図示しない廃液設備に廃棄される。
【００３３】
ウエハＷに対するリンス液の供給が所定時間にわたって続けられると、裏面リンス液バルブ１４および表面リンス液バルブ２２が閉じられる。また、ガード昇降機構４９が制御されて、スプラッシュガード２９の傾斜部４５がウエハＷよりも低い位置（スプラッシュガード２９がウエハＷの端面と対向しない位置）まで下げられる。さらに、窒素ガスバルブ２５が開かれて、窒素ガスが窒素ガス流通路２３からウエハＷの表面と遮断板４との間に供給される。そして、モータ５が制御されて、基板回転機構２により、ウエハＷが高速回転される。これにより、ウエハＷに付着しているリンス液が振り切られ、ウエハＷが乾燥する。ウエハＷが所定時間にわたって高速回転されると、１枚のウエハＷに対する処理が完了する。
【００３４】
この後、窒素ガスバルブ２５が閉じられ、モータ５が停止される。また、遮断板昇降機構２７が制御されて、遮断板４がウエハＷの表面から大きく離間される。そして、処理済みのウエハＷは、基板回転機構２からＦＯＵＰに向けて搬送され、ＦＯＵＰに収納される。
このようにして、１回のプロセスレシピ制御により、１枚のウエハＷに対する処理が行われる。１回のプロセスレシピ制御が終了すると、制御部５１に備えられているＲＡＭに設定されたカウンタの値Ｎがインクリメント（＋１）される（ステップＳ３）。
【００３５】
そして、カウンタの値Ｎが１つのＦＯＵＰに収容されているウエハＷの枚数である２５に達したか否かが判断される（ステップＳ４）。カウンタの値Ｎが２５に達していなければ（ステップＳ４のＮＯ）、ステップＳ２に戻り、プロセスレシピ制御が新たに実行される。こうして、カウンタの値Ｎが２５に達するまで、２５回のプロセスレシピ制御が連続して実行される。
【００３６】
カウンタの値Ｎが２５に達すると（ステップＳ４のＹＥＳ）、ポストレシピ制御が実行される(ステップＳ５）。これにより、後動作として、たとえば、ノズル３を洗浄するためのノズル洗浄動作が行われる。具体的には、ガード昇降機構４９が制御されて、廃液ポート４６がウエハＷの端面と対向する位置に配置される。また、アーム揺動機構１６が制御されて、ノズル３が遮断板４の下方に配置される。そして、表面リンス液バルブ２２が開かれて、リンス液が表面供給管２０からノズル３に供給される。これにより、ノズル３に付着している薬液などがリンス液によって洗い流される。ノズル３から流下するリンス液は、廃液溝３２に集められて、図示しない廃液設備に廃棄される。
【００３７】
図４は、中断監視処理のフローチャートである。
以下に説明する中断監視処理は、フローレシピに従って実行されるプロセスレシピ制御と並行して実行される。
プロセスレシピ制御の実行中に、ノズル３および裏面ノズル１０からウエハＷへの薬液の供給が停止されると（ステップＳ１１のＹＥＳ）、タイマ５４がスタートされ（ステップＳ１２）、薬液の供給が停止されてからの経過時間が計測される。
【００３８】
その後、今回のプロセスレシピ制御が終了し、次回のプロセスレシピ制御が新たに開始されたか否かが判断される（ステップＳ１３）。
プロセスレシピ制御が新たに開始されると（ステップＳ１３のＹＥＳ）、タイマ５４がストップされる（ステップＳ１４）。そして、タイマ５４による計測時間、つまり薬液の供給の停止からプロセスレシピ制御が新たに開始されるまでの経過時間が予め定める基準時間（たとえば、１０分間）以上であるかが判断される（ステップＳ１５）。
【００３９】
タイマ５４による計測時間が基準時間以上であれば（ステップＳ１５のＹＥＳ）、プロセスレシピ制御が中断され（ステップＳ１６）、予備動作レシピ制御の一例としてのプリレシピ制御が実行される（ステップＳ１７）。このプリレシピ制御の実行により、プリディスペンス動作が行われる。プリレシピ制御の終了後は、プロセスレシピ制御が再開される（ステップＳ１８）。
【００４０】
一方、タイマ５４による計測時間が基準時間未満であれば（ステップＳ１５のＮＯ）、プロセスレシピ制御が中断されず、プリレシピ制御が実行されることなく、この中断監視処理が終了する。
図５は、チャンバ内洗浄処理のフローチャートである。
基板処理装置１では、処理チャンバ（図示せず）内に配置されたノズル３、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するためのチャンバ内洗浄が定期的に実行される。
【００４１】
前回のチャンバ内洗浄が終了すると（ステップＳ２１のＹＥＳ）、タイマ５４がスタートされ（ステップＳ２２）、その後の経過時間が計測される。そして、タイマ５４による計測時間が所定時間（たとえば、１４４０分間）に達すると（ステップＳ２３のＹＥＳ）、タイマ５４がストップされる（ステップＳ２４）。その後、処理チャンバが使用中であるか否か、すなわち処理チャンバ内でウエハＷに対する処理が行われているか否かが判断される（ステップＳ２５）。
【００４２】
処理チャンバが使用中でなければ（ステップＳ２５のＮＯ）、チャンバ内洗浄が実行される（ステップＳ２６）。具体的には、レシピ記憶部５３から各種のポストレシピが読み出されて、ポストレシピ制御が順次に実行されることにより、ノズル洗浄動作およびスピンベース・ポート洗浄動作が行われる。
ノズル洗浄動作は、前述したように、ノズル３を洗浄するための動作である。
【００４３】
スピンベース・ポート洗浄動作は、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するための動作である。スピンベース・ポート洗浄動作は、たとえば、ノズル洗浄動作の後に行われる。
スピンベース・ポート洗浄動作では、まず、モータ５が制御されて、スピンベース７が所定の回転速度で回転される。そして、裏面リンス液バルブ１４および表面リンス液バルブ２２が開かれる。これにより、リンス液が表面供給管２０および裏面ノズル１０から回転中のスピンベース７に供給され、スピンベース７に付着している薬液などがリンス液によって洗い流される。
【００４４】
その一方で、ガード昇降機構４９が制御されて、廃液ポート４６、第１回収ポート４７および第２回収ポート４８が順次にスピンベース７と対向する位置に配置される。廃液ポート４６がスピンベース７と対向する位置に配置されているときには、スピンベース７から遠心力により側方に飛散するリンス液（ウエハＷから洗い流された薬液を含む場合もある。）は、廃液ポート４６に入り、廃液溝３２に集められて、図示しない廃液設備に廃棄される。これにより、スピンベース７の洗浄とともに、廃液ポート４６および廃液溝３２の洗浄が達成される。第１回収ポート４７がスピンベース７と対向する位置に配置されているときには、スピンベース７から遠心力により側方に飛散するリンス液は、第１回収ポート４７に入り、第１回収溝３３に集められる。このとき、第１回収溝３３に集められるリンス液は、図示しない廃液設備に廃棄される。これにより、スピンベース７の洗浄とともに、第１回収ポート４７および第１回収溝３３の洗浄が達成される。第２回収ポート４８がスピンベース７と対向する位置に配置されているときには、スピンベース７から遠心力により側方に飛散するリンス液は、第２回収ポート４８に入り、第２回収溝３４に集められる。このとき、第２回収溝３４に集められるリンス液は、図示しない廃液設備に廃棄される。これにより、スピンベース７の洗浄とともに、第２回収ポート４８および第２回収溝３４の洗浄が達成される。
【００４５】
このようなチャンバ内洗浄が定期的に実行されることにより、ノズル３、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９に付着した薬液が乾燥により結晶化するのを防止できる。また、ノズル３、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９に薬液の結晶が生じても、その結晶を除去することができる。その結果、薬液の結晶によるウエハＷの汚染を防止することができる。
【００４６】
処理チャンバが使用中である場合には（ステップＳ２５のＹＥＳ）、処理チャンバの使用の終了後（処理チャンバから処理済みのウエハＷが搬出された後）に、チャンバ内洗浄が実行される（ステップＳ２６）。
以上のように、基板処理装置１では、２５回のプロセスレシピ制御の実行中に、タイマ５４により、ウエハＷへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマ５４による計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピ制御が実行される。
【００４７】
ウエハＷに対する処理が正常に繰り返し行われていれば、今回のプロセスレシピ制御による薬液の供給の停止から一定時間後に、次回のプロセスレシピ制御が開始される。基準時間は、その一定時間よりも長い時間に定められる。したがって、タイマ５４による計測時間が基準時間を超えるのは、ウエハＷに対する処理が中断するなどが原因で、次の処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合である。この場合に、プリレシピ制御が実行され、プリディスペンス動作が行われることにより、次の処理の開始までに生じた不具合を解消することができる。
【００４８】
次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までに、ノズル３、裏面供給管９、裏面ノズル１０および薬液供給管１７に溜まっている薬液が劣化するということがある。プリディスペンス動作が行われることにより、その劣化した薬液をノズル３、裏面供給管９、裏面ノズル１０および薬液供給管１７から排除することができる。よって、プロセスレシピ制御が再開されたときに、劣化した薬液がウエハＷに供給されることを防止できる。また、薬液が温度低下に伴って粘性が上がるものである場合には、薬液の供給流量の不足をさらに防止することができる。その結果、ウエハＷに対する処理の品質の低下を防止することができる。
【００４９】
図６は、他の中断監視処理のフローチャートである。
以下に説明する中断監視処理は、図４に示す中断監視処理に代えて採用することができる。
プロセスレシピ制御の実行中に、ノズル３および裏面ノズル１０からウエハＷへの薬液の供給が停止されると（ステップＳ３１のＹＥＳ）、タイマ５４がスタートされ（ステップＳ３２）、薬液の供給が停止されてからの経過時間が計測される。
【００５０】
その後、今回のプロセスレシピ制御が終了し、次回のプロセスレシピ制御が新たに開始されたか否かが判断される（ステップＳ３３）。
プロセスレシピ制御が新たに開始されると（ステップＳ３３のＹＥＳ）、タイマ５４がストップされる（ステップＳ３４）。そして、タイマ５４による計測時間、つまり薬液の供給の停止からプロセスレシピ制御が新たに開始されるまでの経過時間が予め定める第１基準時間（たとえば、１０分間）以上であるかが判断される（ステップＳ３５）。
【００５１】
タイマ５４による計測時間が第１基準時間以上であれば（ステップＳ３５のＹＥＳ）、プロセスレシピ制御が中断される（ステップＳ３６）。そして、タイマ５４による計測時間が予め定める第２基準時間（たとえば、６０分間）以上であるかが判断される（ステップＳ３７）。
タイマ５４による計測時間が第２基準時間以上であれば、予備動作レシピ制御の一例としてのポストレシピ制御が実行された後（ステップＳ３８）、プリレシピ制御が実行される（ステップＳ３９）。一方、タイマ５４による計測時間が第２基準時間未満であれば、ポストレシピ制御は実行されずに、プリレシピ制御が実行される（ステップＳ３９）。プリレシピ制御の終了後は、プロセスレシピ制御が再開される（ステップＳ４０）。
【００５２】
ポストレシピ制御の実行により、ノズル洗浄動作および／またはスピンベース・ポート洗浄動作が行われる。これにより、プロセスレシピ制御が新たに開始されるまでの期間に、ノズル３、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９に薬液の結晶が生じていても、ウエハＷが処理チャンバ内に搬入される前に、その結晶を除去することができる。その結果、薬液の結晶によるウエハＷの汚染を防止することができる。
【００５３】
また、プリレシピ制御の実行により、プリディスペンス動作が行われる。これにより、プロセスレシピ制御が再開されたときに、劣化した薬液がウエハＷに供給されることを防止できる。また、薬液が温度低下に伴って粘性が上がるものである場合には、薬液の供給流量の不足をさらに防止することができる。その結果、ウエハＷに対する処理の品質の低下を防止することができる。
【００５４】
一方、タイマ５４による計測時間が基準時間未満であれば（ステップＳ３５のＮＯ）、この中断監視処理が直ちに終了する。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、スピンベース７に向けて洗浄液を吐出するノズルが追加して設けられ、そのノズルからスピンベース７に洗浄液が供給されることにより、スピンベース７の洗浄が達成されてもよい。
【００５５】
また、スプラッシュガード２９の昇降により、廃液ポート４６、第１回収ポート４７および第２回収ポート４８と選択的に対向する位置にノズルが追加して設けられ、そのノズルから廃液ポート４６、第１回収ポート４７および第２回収ポート４８に選択的に洗浄液が供給されることにより、カップ２８およびスプラッシュガード２９の洗浄が達成されてもよい。
【００５６】
そして、それらのノズルが追加して設けられる場合、スピンベース７を洗浄するための動作と、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するための動作とは、別動作であってもよい。この場合、スピンベース７を洗浄するための動作と、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するための動作とは、互いに異なる周期で行われてもよい。たとえば、スピンベース７を洗浄するための動作は、７２０分ごとに行われ、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するための動作は、１４４０分ごとに行われてもよい。
【００５７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。
【図２】図２は、基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、フローレシピに従って実行される制御の流れ（プロセスレシピ制御、プリレシピ制御およびポストレシピ制御の順序）を示すフローチャートである。
【図４】図４は、中断監視処理のフローチャートである。
【図５】図５は、チャンバ内洗浄処理のフローチャートである。
【図６】図６は、他の中断監視処理のフローチャートである。
【符号の説明】
【００５９】
１ 基板処理装置
３ ノズル（処理液流通路）
６ 挟持部材（基板保持部材）
７ スピンベース（基板保持部材）
９ 裏面供給管（処理液流通路、保持部材洗浄液供給手段、受け部材洗浄液供給手段）
１０ 裏面ノズル（処理液流通路、保持部材洗浄液供給手段、受け部材洗浄液供給手段）
１１ 薬液供給管（処理液流通路）
１２ リンス液供給管（保持部材洗浄液供給手段、受け部材洗浄液供給手段）
１４ 裏面リンス液バルブ（保持部材洗浄液供給手段、受け部材洗浄液供給手段）
１７ 薬液供給管（処理液流通路）
２０ 表面供給管（ノズル洗浄液供給手段、保持部材洗浄液供給手段）
２１ リンス液供給管（ノズル洗浄液供給手段、保持部材洗浄液供給手段）
２２ 表面リンス液バルブ（ノズル洗浄液供給手段、保持部材洗浄液供給手段）
２８ カップ（受け部材）
２９ スプラッシュガード（受け部材）
５１ 制御部（メイン制御実行手段、割込制御実行手段）
５３ レシピ記憶部（レシピ記憶手段）
５４ タイマ（計時手段）
Ｗ ウエハ（基板）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対して所定の処理を施すための基板処理装置に関する。基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、基板に対して、洗浄処理、エッチング処理および熱処理などの種々の処理が行われる。処理の方式としては、基板に対する処理を１枚ずつ行う枚葉式と、複数枚の基板に対する処理を一括して行うバッチ式とがある。
枚葉式の処理のための基板処理装置は、隔壁により区画された処理室を備えている。処理液を用いる処理の場合、処理室内には、基板に処理液を供給するためのノズルが設けられている。処理の効率を高めるため、ノズルには、処理に適した温度に調節された処理液が供給される。処理室内に基板が１枚ずつ搬入され、その搬入された基板にノズルからの処理液が供給されることにより、基板に対する処理が達成される。
【０００３】
この基板処理装置には、所定枚数（たとえば、２５枚）の基板がＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）に一括して収容された状態で搬入される。基板処理装置では、ＦＯＵＰごとに、１つのフローレシピが設定される。フローレシピは、処理の内容を定めたプロセスレシピ、一連の処理の開始前に行われる前動作の内容を定めたプリレシピ、および一連の処理の終了後に行われる後動作の内容を定めたポストレシピからなる。基板処理装置にＦＯＵＰが搬入されると、プリレシピに従った制御が実行されることにより、前動作として、たとえば、ノズルや配管内に溜まった処理液（処理に適した温度よりも低下した低温の処理液）を廃棄するプリディスペンス動作が行われる。その後、プロセスレシピに従った制御が繰り返し実行されることにより、１つのＦＯＵＰに収容された基板は、次々と連続して処理室に搬入され、処理室で処理液による処理を受ける。そして、プロセスレシピに従った制御がＦＯＵＰに収容された基板の枚数に等しい所定回数だけ実行され、一連の所定回数の処理が終了すると、ポストレシピに従った制御が実行されることにより、後動作として、処理室内に配置された部材（たとえば、ノズル）を洗浄するための動作が行われる。
【特許文献１】特開２００７−１４９８９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板に対する処理が正常に繰り返し行われている場合、基板に処理液を供給する動作が終了してから一定時間後に、次の基板が処理室に搬入され、その基板に対する処理が行われる。ところが、処理が中断し、または、処理済みの基板が処理室から搬出されてから、次の基板が処理室に搬入されるまでに時間がかかることにより、次の処理の開始が通常のタイミングよりも遅れることがある。
【０００５】
次の処理の開始が大きく遅れると、その処理の開始までにノズルや配管内に溜まった処理液が劣化し、その劣化した処理液が基板に供給されることがある。処理液の劣化には、たとえば、処理液の温度が処理に適した温度よりも低下することや、処理液に含まれる成分の析出による処理液の比重の変化などが含まれる。劣化した処理液が基板に供給されると、処理の品質が低下する。処理液が温度低下に伴って粘性が上がる薬液である場合には、処理液の供給流量の不足も生じ、処理の品質がさらに低下するおそれがある。また、次の処理の開始までに、処理室内に配置された部材に付着した処理液が乾燥により結晶化するおそれがある。処理液の結晶は、パーティクルとなって、基板の汚染の原因となる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、基板に対する処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合に、その処理の開始までに生じた不具合を解消することができる、基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板に対する処理の内容（手順および条件）を定めるプロセスレシピおよび予め定める予備動作の内容を定める予備動作レシピを記憶するレシピ記憶手段と、前記プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御を複数回繰り返して実行し、これによる一連の前記複数回の前記処理の開始前または開始後に、前記予備動作レシピに従った予備動作レシピ制御を１回実行するメイン制御実行手段と、前記処理のための所定の動作の終了から次回の前記プロセスレシピ制御の開始までの時間を計測する計時手段と、前記計時手段により計測された時間が予め定める基準時間以上であることを条件として、前記メイン制御実行手段により実行される前記プロセスレシピ制御に割り込み、前記予備動作レシピ制御を実行する割込制御実行手段とを備える、基板処理装置である。
【０００８】
この基板処理装置では、レシピ記憶手段に、プロセスレシピおよび予備動作レシピが記憶されている。プロセスレシピは、基板に対する処理の内容を定めるものである。予備動作レシピは、予め定める予備動作の内容を定めるものである。メイン制御実行手段により、プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御が複数回実行され、一連の複数回の処理が行われる。また、その一連の複数回の処理の開始前または実行後に、メイン制御実行手段により、予備動作レシピに従った予備動作レシピ制御が１回実行され、予め定める予備動作が行われる。複数回のプロセスレシピ制御の実行中には、計時手段により、処理のための所定の動作の終了から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、その計測された時間が予め定める基準時間以上であれば、割込制御実行手段により、プロセスレシピ制御に割り込んで、予備動作レシピ制御が実行される。
【０００９】
基板に対する処理が正常に繰り返し行われていれば、今回のプロセスレシピ制御による所定の動作の終了から一定時間後に、次回のプロセスレシピ制御（処理）が開始される。基準時間は、その一定時間よりも長い時間に定められる。したがって、計時手段により計測された時間が基準時間を超えるのは、処理が中断するなどが原因で、次の処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合である。この場合に、予備動作レシピ制御が実行され、予め定める予備動作が行われることにより、次の処理の開始までに生じた不具合を解消することができる。
【００１０】
たとえば、請求項２に記載のように、前記基板処理装置は、前記処理に用いられる処理液が流通する処理液流通路を備え、前記予備動作は、前記処理液流通路に溜まった処理液を廃棄する動作を含んでいてもよい。
基板処理装置が処理液流通路を備える場合、次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までに処理液流通路に溜まった処理液が劣化するということがある。予備動作が処理液流通路に溜まった処理液を廃棄する動作を含むことにより、その劣化した処理液が基板に供給されることを防止できる。また、処理液が温度低下に伴って粘性が上がる薬液である場合には、処理液の供給流量の不足をさらに防止することができる。その結果、処理の品質の低下を防止することができる。
【００１１】
請求項３に記載のように、前記基板処理装置は、基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記ノズルの外表面に洗浄液を供給するノズル洗浄液供給手段とを備え、前記予備動作は、前記ノズル洗浄液供給手段により前記ノズルの外表面に洗浄液を供給する動作を含んでいてもよい。
基板処理装置がノズルを備える場合、次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までにノズルの外表面に付着した処理液が乾燥により結晶化するということがある。予備動作がノズルの外表面に洗浄液を供給する動作を含むことにより、ノズルの外表面から処理液の結晶を除去することができる。その結果、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
【００１２】
請求項４に記載のように、前記基板処理装置は、基板を保持する基板保持部材と、前記基板保持部材の表面に洗浄液を供給する保持部材洗浄液供給手段とを備え、前記予備動作は、前記保持部材洗浄液供給手段により前記基板保持部材の外表面に洗浄液を供給する動作を含んでいてもよい。
基板処理装置が基板保持部材を備える場合、次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までに基板保持部材の表面に付着した処理液が乾燥により結晶化するということがある。予備動作が基板保持部材の表面に洗浄液を供給する動作を含むことにより、基板保持部材の表面から処理液の結晶を除去することができる。その結果、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
【００１３】
請求項５に記載のように、前記基板処理装置は、基板に処理液を供給するための処理液供給手段と、基板から排除された処理液を受ける受け部材と、前記受け部材に洗浄液を供給する受け部材洗浄液供給手段とを備え、前記予備動作は、前記受け部材洗浄液供給手段により前記受け部材に洗浄液を供給する動作を含んでいてもよい。
基板処理装置が受け部材を備える場合、次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までに受け部材の表面に付着した処理液が乾燥により結晶化するということがある。予備動作が受け部材の表面に洗浄液を供給する動作を含むことにより、受け部材の表面から処理液の結晶を除去することができる。その結果、処理液の結晶による基板の汚染を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。
基板処理装置１は、基板の一例としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ］という。）Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置１は、処理チャンバ（図示せず）内に、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持しつつウエハＷを回転させる基板回転機構２と、基板回転機構２に保持されたウエハＷの表面（上面）に薬液を供給するためのノズル３と、基板回転機構２に保持されたウエハＷの表面付近の雰囲気をその周囲から遮断するための遮断板４とを備えている。
【００１５】
基板回転機構２としては、たとえば、挟持式のものが採用されている。具体的には、基板回転機構２は、モータ５と、このモータ５の駆動軸と一体化されたスピン軸６と、スピン軸６の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース７と、スピンベース７の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられた複数個の挟持部材６とを備えている。そして、複数個の挟持部材６により、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持することができる。この状態で、モータ５が駆動されると、その駆動力によってスピンベース７が鉛直軸線まわりに回転され、そのスピンベース７とともに、ウエハＷがほぼ水平な姿勢を保った状態で鉛直軸線まわりに回転される。
【００１６】
スピン軸６には、裏面供給管９が相対回転可能に挿通されている。裏面供給管９の上端は、スピンベース７の上面に配置された裏面ノズル１０に接続されている。裏面供給管９には、薬液供給管１１およびリンス液供給管１２が接続されている。薬液供給管１１には、裏面薬液バルブ１３が介装されている。リンス液供給管１２には、裏面リンス液バルブ１４が介装されている。裏面薬液バルブ１３および裏面リンス液バルブ１４が選択的に開かれると、薬液供給管１１およびリンス液供給管１２から裏面供給管９に、それぞれ薬液およびリンス液が選択的に供給される。裏面供給管９に選択的に供給される薬液およびリンス液は、裏面ノズル１０から上方に吐出される。
【００１７】
ノズル３は、基板回転機構２の上方でほぼ水平に延びるアーム１５の先端部に取り付けられている。アーム１５には、アーム１５を所定角度範囲内で揺動させるためのアーム揺動機構１６が結合されている。
ノズル３には、薬液供給管１７が接続されている。薬液供給管１７には、表面薬液バルブ１８が介装されている。表面薬液バルブ１８が開かれると、薬液供給管１７からノズル３に薬液が供給される。そして、ノズル３に供給される薬液は、ノズル３から下方に吐出される。
【００１８】
遮断板４は、ウエハＷとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成され、基板回転機構２の上方でほぼ水平に配置されている。この遮断板４の上面には、スピンベース７と共通の鉛直軸線を中心とする回転軸１９が固定されている。回転軸１９は、中空に形成されている。
回転軸１９の内部には、表面供給管２０が挿通されている。表面供給管２０の下端は、遮断板４の下面に達し、下方に開放されている。表面供給管２０には、リンス液供給管２１が接続されている。リンス液供給管２１には、表面リンス液バルブ２２が介装されている。表面リンス液バルブ２２が開かれると、リンス液供給管２１から表面供給管２０にリンス液が供給される。表面供給管２０に供給されるリンス液は、表面供給管２０の下端から下方に吐出される。
【００１９】
回転軸１９の内壁面と表面供給管２０との間は、窒素ガスが流通する窒素ガス流通路２３を形成している。窒素ガス流通路２３の下端は、遮断板４の下面において、表面供給管２０の周囲で環状に開口している。窒素ガス流通路２３には、窒素ガス供給管２４が接続されている。窒素ガス供給管２４には、窒素ガスバルブ２５が介装されている。窒素ガスバルブ２５が開かれると、窒素ガス供給管２４から窒素ガス流通路２３に窒素ガスが供給される。窒素ガス流通路２３に供給される窒素ガスは、窒素ガス流通路２３の下端の環状開口から下方に吐出される。
【００２０】
回転軸１９は、基板回転機構２の上方でほぼ水平に延びるアーム２６に取り付けられ、そのアーム２６から垂下した状態に設けられている。アーム２６には、遮断板４を基板回転機構２の上方に大きく離間した位置（図１に示す位置）と基板回転機構２に保持されたウエハＷの表面に微小な間隔を隔てて近接する位置との間で昇降させるための遮断板昇降機構２７が結合されている。
【００２１】
また、基板回転機構２は、有底円筒容器状のカップ２８内に収容されている。カップ２８の上方には、スプラッシュガード２９がカップ２８に対して昇降可能に設けられている。
カップ２８の底面には、基板回転機構２を取り囲む円筒状の第１区画壁３０と、第１区画壁３０の外側を取り囲む円筒状の第２区画壁３１とが立設されている。これにより、カップ２８内には、廃液溝３２、第１回収溝３３および第２回収溝３４が形成されている。具体的には、基板回転機構２と第１区画壁３０との間に、円環状の廃液溝３２が形成されている。また、第１区画壁３０と第２区画壁３１との間に、円環状の第１回収溝３３が形成されている。さらに、第２区画壁３１とカップ２８の外側壁との間に、円環状の第２回収溝３４が形成されている。
【００２２】
スプラッシュガード２９は、内傘状部材３５、中傘状部材３６および外傘状部材３７を備えている。
内傘状部材３５は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部３８，３９と、これら円筒部３８，３９の上端を連結し、ウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部４０とを一体的に備えている。内側の円筒部３８の下端は、廃液溝３２上に位置している。外側の円筒部３９の下端は、第１回収溝３３上に位置している。また、円筒部３８，３９は、スプラッシュガード２９が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ２８の底面に接触しないような長さに形成されている。
【００２３】
中傘状部材３６は、内傘状部材３５の外側を取り囲むように設けられている。中傘状部材３６は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部４１，４２と、これら円筒部４１，４２の上端を連結し、ウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部４３とを一体的に備えている。内側の円筒部４１の下端は、第１回収溝３３上に位置している。外側の円筒部４２の下端は、第２回収溝３４上に位置している。また、円筒部４１，４２は、スプラッシュガード２９が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ２８の底面に接触しないような長さに形成されている。
【００２４】
外傘状部材３７は、中傘状部材３６の外側を取り囲むように設けられている。外傘状部材３７は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部４４と、この円筒部４４の上端からウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部４５とを備えている。円筒部４４は、第２回収溝３４上に位置しており、スプラッシュガード２９が最下方の退避位置に下降したときに、その下端がカップ２８の底面に接触しないような長さに形成されている。
【００２５】
傾斜部４０，４３，４５は、上下方向に互いに間隔を空けて重なるように設けられている。各傾斜部４０，４３，４５の上端縁は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒面上に配置されている。これにより、傾斜部４０の上端縁の下方には、廃液溝３２と連通する廃液ポート４６が形成されている。また、傾斜部４０の上端縁と傾斜部４３の上端縁との間には、第１回収溝３３と連通する第１回収ポート４７が形成されている。さらに、傾斜部４３の上端縁と傾斜部４５の上端縁との間には、第２回収溝３４と連通する第２回収ポート４８が形成されている。
【００２６】
また、スプラッシュガード２９には、内傘状部材３５、中傘状部材３６および外傘状部材３７を一体的に昇降させるためのガード昇降機構４９が結合されている。
なお、薬液としては、たとえば、ＢＨＦ（Buffered hydrofluoric acid）、ＳＰＭ（Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture）、Ｈ２ＳＯ４、ポリマー除去液などを例示することができる。また、リンス液としては、たとえば、純水、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）および磁気水などを例示することができる。
【００２７】
図２は、基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御部５１を備えている。制御部５１には、基板処理装置１のユーザなどにより操作される操作部５２が接続されている。さらに、制御部５１には、制御対象として、モータ５、裏面薬液バルブ１３、裏面リンス液バルブ１４、表面薬液バルブ１８、表面リンス液バルブ２２、窒素ガスバルブ２５、アーム揺動機構１６、遮断板昇降機構２７およびガード昇降機構４９が接続されている。
【００２８】
また、制御部５１は、レシピ記憶部５３およびタイマ５４を内蔵している。
レシピ記憶部５３は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。レシピ記憶部５３には、操作部５２の操作により作成されるプロセスレシピ、プリレシピ、ポストレシピおよびフローレシピが記憶される。プロセスレシピは、ウエハＷに対する処理の内容（手順および条件を含む。以下同じ。）を定めたものである。プリレシピは、予備動作レシピの一例であり、予め定める前動作の内容を定めたものである。ポストレシピは、予備動作レシピの一例であり、予め定める後動作の内容を定めたものである。フローレシピは、プロセスレシピに従った制御（プロセスレシピ制御）、プリレシピに従った制御（プリレシピ制御）およびポストレシピに従った制御（ポストレシピ制御）の実行順序および実行回数を定めたものである。
【００２９】
図３は、フローレシピに従って実行される制御の流れ（プロセスレシピ制御、プリレシピ制御およびポストレシピ制御の順序）を示すフローチャートである。
基板処理装置１には、所定枚数（この実施形態では、２５枚）のウエハＷがＦＯＵＰ（図示せず）に一括して収容された状態で搬入される。基板処理装置１は、複数のＦＯＵＰを並べて載置可能な載置台（図示せず）を備えている。この載置台にＦＯＵＰが載置されると、そのＦＯＵＰに対して予め選択されたフローレシピがレシピ記憶部５３から読み出される。そして、フローレシピに従って、以下に説明する一連の制御が実行される。
【００３０】
まず、プリレシピ制御が実行される（ステップＳ１）。これにより、前動作として、たとえば、ノズル３、裏面供給管９、裏面ノズル１０および薬液供給管１７に溜まっている薬液を廃棄するプリディスペンス動作が行われる。具体的には、裏面薬液バルブ１３が開かれて、裏面供給管９および裏面ノズル１０に溜まっている薬液が裏面ノズル１０から吐出される。また、表面薬液バルブ１８が開かれて、ノズル３および薬液供給管１７に溜まっている薬液がノズル３から吐出される。このとき、ノズル３は、カップ２８の外部に設けられたプリディスペンスポッド（図示せず）に対向しており、ノズル３から吐出される薬液は、プリディスペンスポッドに受け取られる。
【００３１】
次に、プロセスレシピ制御が実行される（ステップＳ２）。プロセスレシピ制御が実行されると、図示しない搬送ロボットにより、ＦＯＵＰから１枚のウエハＷが取り出される。ＦＯＵＰから取り出されたウエハＷは、基板回転機構２に向けて搬送され、基板回転機構２に保持される。
そして、モータ５が制御されて、基板回転機構２により、ウエハＷが所定の回転速度で回転される。また、ガード昇降機構４９が制御されて、第１回収ポート４７がウエハＷの端面と対向する位置に配置される。その一方で、アーム揺動機構１６が制御されて、ノズル３がウエハＷの上方に配置される。その後、裏面薬液バルブ１３および表面薬液バルブ１８が開かれ、処理に適した温度に調節された薬液がノズル３および裏面ノズル１０からそれぞれウエハＷの表面および裏面に供給される。ウエハＷの表面および裏面に供給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面および裏面の全域にむらなく広がる。これにより、ウエハＷの表面および裏面に対して、薬液による処理（たとえば、ウエハＷから不要物を除去する洗浄処理）が施される。遠心力によりウエハＷから側方に飛散する薬液は、第１回収ポート４７に入り、第１回収溝３３に集められて、図示しない回収タンクに回収される。
【００３２】
ウエハＷに対する薬液の供給が所定時間にわたって続けられると、裏面薬液バルブ１３および表面薬液バルブ１８が閉じられる。そして、ガード昇降機構４９が制御されて、廃液ポート４６がウエハＷの端面と対向する位置に配置される。また、遮断板昇降機構２７が制御されて、遮断板４がウエハＷの表面に近接する位置に下降される。その後、裏面リンス液バルブ１４および表面リンス液バルブ２２が開かれて、リンス液が表面供給管２０および裏面ノズル１０からそれぞれウエハＷの表面および裏面に供給される。このとき、基板回転機構２によるウエハＷの回転は継続されており、ウエハＷの表面および裏面に供給されたリンス液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面および裏面の全域にむらなく広がる。これにより、ウエハＷに付着していた薬液がリンス液によって洗い流される。遠心力によりウエハＷから側方に飛散するリンス液（ウエハＷから洗い流された薬液を含む場合もある。）は、廃液ポート４６に入り、廃液溝３２に集められて、図示しない廃液設備に廃棄される。
【００３３】
ウエハＷに対するリンス液の供給が所定時間にわたって続けられると、裏面リンス液バルブ１４および表面リンス液バルブ２２が閉じられる。また、ガード昇降機構４９が制御されて、スプラッシュガード２９の傾斜部４５がウエハＷよりも低い位置（スプラッシュガード２９がウエハＷの端面と対向しない位置）まで下げられる。さらに、窒素ガスバルブ２５が開かれて、窒素ガスが窒素ガス流通路２３からウエハＷの表面と遮断板４との間に供給される。そして、モータ５が制御されて、基板回転機構２により、ウエハＷが高速回転される。これにより、ウエハＷに付着しているリンス液が振り切られ、ウエハＷが乾燥する。ウエハＷが所定時間にわたって高速回転されると、１枚のウエハＷに対する処理が完了する。
【００３４】
この後、窒素ガスバルブ２５が閉じられ、モータ５が停止される。また、遮断板昇降機構２７が制御されて、遮断板４がウエハＷの表面から大きく離間される。そして、処理済みのウエハＷは、基板回転機構２からＦＯＵＰに向けて搬送され、ＦＯＵＰに収納される。
このようにして、１回のプロセスレシピ制御により、１枚のウエハＷに対する処理が行われる。１回のプロセスレシピ制御が終了すると、制御部５１に備えられているＲＡＭに設定されたカウンタの値Ｎがインクリメント（＋１）される（ステップＳ３）。
【００３５】
そして、カウンタの値Ｎが１つのＦＯＵＰに収容されているウエハＷの枚数である２５に達したか否かが判断される（ステップＳ４）。カウンタの値Ｎが２５に達していなければ（ステップＳ４のＮＯ）、ステップＳ２に戻り、プロセスレシピ制御が新たに実行される。こうして、カウンタの値Ｎが２５に達するまで、２５回のプロセスレシピ制御が連続して実行される。
【００３６】
カウンタの値Ｎが２５に達すると（ステップＳ４のＹＥＳ）、ポストレシピ制御が実行される(ステップＳ５）。これにより、後動作として、たとえば、ノズル３を洗浄するためのノズル洗浄動作が行われる。具体的には、ガード昇降機構４９が制御されて、廃液ポート４６がウエハＷの端面と対向する位置に配置される。また、アーム揺動機構１６が制御されて、ノズル３が遮断板４の下方に配置される。そして、表面リンス液バルブ２２が開かれて、リンス液が表面供給管２０からノズル３に供給される。これにより、ノズル３に付着している薬液などがリンス液によって洗い流される。ノズル３から流下するリンス液は、廃液溝３２に集められて、図示しない廃液設備に廃棄される。
【００３７】
図４は、中断監視処理のフローチャートである。
以下に説明する中断監視処理は、フローレシピに従って実行されるプロセスレシピ制御と並行して実行される。
プロセスレシピ制御の実行中に、ノズル３および裏面ノズル１０からウエハＷへの薬液の供給が停止されると（ステップＳ１１のＹＥＳ）、タイマ５４がスタートされ（ステップＳ１２）、薬液の供給が停止されてからの経過時間が計測される。
【００３８】
その後、今回のプロセスレシピ制御が終了し、次回のプロセスレシピ制御が新たに開始されたか否かが判断される（ステップＳ１３）。
プロセスレシピ制御が新たに開始されると（ステップＳ１３のＹＥＳ）、タイマ５４がストップされる（ステップＳ１４）。そして、タイマ５４による計測時間、つまり薬液の供給の停止からプロセスレシピ制御が新たに開始されるまでの経過時間が予め定める基準時間（たとえば、１０分間）以上であるかが判断される（ステップＳ１５）。
【００３９】
タイマ５４による計測時間が基準時間以上であれば（ステップＳ１５のＹＥＳ）、プロセスレシピ制御が中断され（ステップＳ１６）、予備動作レシピ制御の一例としてのプリレシピ制御が実行される（ステップＳ１７）。このプリレシピ制御の実行により、プリディスペンス動作が行われる。プリレシピ制御の終了後は、プロセスレシピ制御が再開される（ステップＳ１８）。
【００４０】
一方、タイマ５４による計測時間が基準時間未満であれば（ステップＳ１５のＮＯ）、プロセスレシピ制御が中断されず、プリレシピ制御が実行されることなく、この中断監視処理が終了する。
図５は、チャンバ内洗浄処理のフローチャートである。
基板処理装置１では、処理チャンバ（図示せず）内に配置されたノズル３、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するためのチャンバ内洗浄が定期的に実行される。
【００４１】
前回のチャンバ内洗浄が終了すると（ステップＳ２１のＹＥＳ）、タイマ５４がスタートされ（ステップＳ２２）、その後の経過時間が計測される。そして、タイマ５４による計測時間が所定時間（たとえば、１４４０分間）に達すると（ステップＳ２３のＹＥＳ）、タイマ５４がストップされる（ステップＳ２４）。その後、処理チャンバが使用中であるか否か、すなわち処理チャンバ内でウエハＷに対する処理が行われているか否かが判断される（ステップＳ２５）。
【００４２】
処理チャンバが使用中でなければ（ステップＳ２５のＮＯ）、チャンバ内洗浄が実行される（ステップＳ２６）。具体的には、レシピ記憶部５３から各種のポストレシピが読み出されて、ポストレシピ制御が順次に実行されることにより、ノズル洗浄動作およびスピンベース・ポート洗浄動作が行われる。
ノズル洗浄動作は、前述したように、ノズル３を洗浄するための動作である。
【００４３】
スピンベース・ポート洗浄動作は、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するための動作である。スピンベース・ポート洗浄動作は、たとえば、ノズル洗浄動作の後に行われる。
スピンベース・ポート洗浄動作では、まず、モータ５が制御されて、スピンベース７が所定の回転速度で回転される。そして、裏面リンス液バルブ１４および表面リンス液バルブ２２が開かれる。これにより、リンス液が表面供給管２０および裏面ノズル１０から回転中のスピンベース７に供給され、スピンベース７に付着している薬液などがリンス液によって洗い流される。
【００４４】
その一方で、ガード昇降機構４９が制御されて、廃液ポート４６、第１回収ポート４７および第２回収ポート４８が順次にスピンベース７と対向する位置に配置される。廃液ポート４６がスピンベース７と対向する位置に配置されているときには、スピンベース７から遠心力により側方に飛散するリンス液（ウエハＷから洗い流された薬液を含む場合もある。）は、廃液ポート４６に入り、廃液溝３２に集められて、図示しない廃液設備に廃棄される。これにより、スピンベース７の洗浄とともに、廃液ポート４６および廃液溝３２の洗浄が達成される。第１回収ポート４７がスピンベース７と対向する位置に配置されているときには、スピンベース７から遠心力により側方に飛散するリンス液は、第１回収ポート４７に入り、第１回収溝３３に集められる。このとき、第１回収溝３３に集められるリンス液は、図示しない廃液設備に廃棄される。これにより、スピンベース７の洗浄とともに、第１回収ポート４７および第１回収溝３３の洗浄が達成される。第２回収ポート４８がスピンベース７と対向する位置に配置されているときには、スピンベース７から遠心力により側方に飛散するリンス液は、第２回収ポート４８に入り、第２回収溝３４に集められる。このとき、第２回収溝３４に集められるリンス液は、図示しない廃液設備に廃棄される。これにより、スピンベース７の洗浄とともに、第２回収ポート４８および第２回収溝３４の洗浄が達成される。
【００４５】
このようなチャンバ内洗浄が定期的に実行されることにより、ノズル３、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９に付着した薬液が乾燥により結晶化するのを防止できる。また、ノズル３、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９に薬液の結晶が生じても、その結晶を除去することができる。その結果、薬液の結晶によるウエハＷの汚染を防止することができる。
【００４６】
処理チャンバが使用中である場合には（ステップＳ２５のＹＥＳ）、処理チャンバの使用の終了後（処理チャンバから処理済みのウエハＷが搬出された後）に、チャンバ内洗浄が実行される（ステップＳ２６）。
以上のように、基板処理装置１では、２５回のプロセスレシピ制御の実行中に、タイマ５４により、ウエハＷへの薬液の供給の停止から次回のプロセスレシピ制御の開始までの時間が計測される。そして、タイマ５４による計測時間が予め定める基準時間以上であれば、プロセスレシピ制御に割り込んで、プリレシピ制御が実行される。
【００４７】
ウエハＷに対する処理が正常に繰り返し行われていれば、今回のプロセスレシピ制御による薬液の供給の停止から一定時間後に、次回のプロセスレシピ制御が開始される。基準時間は、その一定時間よりも長い時間に定められる。したがって、タイマ５４による計測時間が基準時間を超えるのは、ウエハＷに対する処理が中断するなどが原因で、次の処理の開始が通常のタイミングよりも遅れた場合である。この場合に、プリレシピ制御が実行され、プリディスペンス動作が行われることにより、次の処理の開始までに生じた不具合を解消することができる。
【００４８】
次の処理の開始までに生じる不具合として、その処理の開始までに、ノズル３、裏面供給管９、裏面ノズル１０および薬液供給管１７に溜まっている薬液が劣化するということがある。プリディスペンス動作が行われることにより、その劣化した薬液をノズル３、裏面供給管９、裏面ノズル１０および薬液供給管１７から排除することができる。よって、プロセスレシピ制御が再開されたときに、劣化した薬液がウエハＷに供給されることを防止できる。また、薬液が温度低下に伴って粘性が上がるものである場合には、薬液の供給流量の不足をさらに防止することができる。その結果、ウエハＷに対する処理の品質の低下を防止することができる。
【００４９】
図６は、他の中断監視処理のフローチャートである。
以下に説明する中断監視処理は、図４に示す中断監視処理に代えて採用することができる。
プロセスレシピ制御の実行中に、ノズル３および裏面ノズル１０からウエハＷへの薬液の供給が停止されると（ステップＳ３１のＹＥＳ）、タイマ５４がスタートされ（ステップＳ３２）、薬液の供給が停止されてからの経過時間が計測される。
【００５０】
その後、今回のプロセスレシピ制御が終了し、次回のプロセスレシピ制御が新たに開始されたか否かが判断される（ステップＳ３３）。
プロセスレシピ制御が新たに開始されると（ステップＳ３３のＹＥＳ）、タイマ５４がストップされる（ステップＳ３４）。そして、タイマ５４による計測時間、つまり薬液の供給の停止からプロセスレシピ制御が新たに開始されるまでの経過時間が予め定める第１基準時間（たとえば、１０分間）以上であるかが判断される（ステップＳ３５）。
【００５１】
タイマ５４による計測時間が第１基準時間以上であれば（ステップＳ３５のＹＥＳ）、プロセスレシピ制御が中断される（ステップＳ３６）。そして、タイマ５４による計測時間が予め定める第２基準時間（たとえば、６０分間）以上であるかが判断される（ステップＳ３７）。
タイマ５４による計測時間が第２基準時間以上であれば、予備動作レシピ制御の一例としてのポストレシピ制御が実行された後（ステップＳ３８）、プリレシピ制御が実行される（ステップＳ３９）。一方、タイマ５４による計測時間が第２基準時間未満であれば、ポストレシピ制御は実行されずに、プリレシピ制御が実行される（ステップＳ３９）。プリレシピ制御の終了後は、プロセスレシピ制御が再開される（ステップＳ４０）。
【００５２】
ポストレシピ制御の実行により、ノズル洗浄動作および／またはスピンベース・ポート洗浄動作が行われる。これにより、プロセスレシピ制御が新たに開始されるまでの期間に、ノズル３、スピンベース７、カップ２８およびスプラッシュガード２９に薬液の結晶が生じていても、ウエハＷが処理チャンバ内に搬入される前に、その結晶を除去することができる。その結果、薬液の結晶によるウエハＷの汚染を防止することができる。
【００５３】
また、プリレシピ制御の実行により、プリディスペンス動作が行われる。これにより、プロセスレシピ制御が再開されたときに、劣化した薬液がウエハＷに供給されることを防止できる。また、薬液が温度低下に伴って粘性が上がるものである場合には、薬液の供給流量の不足をさらに防止することができる。その結果、ウエハＷに対する処理の品質の低下を防止することができる。
【００５４】
一方、タイマ５４による計測時間が基準時間未満であれば（ステップＳ３５のＮＯ）、この中断監視処理が直ちに終了する。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、スピンベース７に向けて洗浄液を吐出するノズルが追加して設けられ、そのノズルからスピンベース７に洗浄液が供給されることにより、スピンベース７の洗浄が達成されてもよい。
【００５５】
また、スプラッシュガード２９の昇降により、廃液ポート４６、第１回収ポート４７および第２回収ポート４８と選択的に対向する位置にノズルが追加して設けられ、そのノズルから廃液ポート４６、第１回収ポート４７および第２回収ポート４８に選択的に洗浄液が供給されることにより、カップ２８およびスプラッシュガード２９の洗浄が達成されてもよい。
【００５６】
そして、それらのノズルが追加して設けられる場合、スピンベース７を洗浄するための動作と、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するための動作とは、別動作であってもよい。この場合、スピンベース７を洗浄するための動作と、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するための動作とは、互いに異なる周期で行われてもよい。たとえば、スピンベース７を洗浄するための動作は、７２０分ごとに行われ、カップ２８およびスプラッシュガード２９を洗浄するための動作は、１４４０分ごとに行われてもよい。
【００５７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図である。
【図２】図２は、基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、フローレシピに従って実行される制御の流れ（プロセスレシピ制御、プリレシピ制御およびポストレシピ制御の順序）を示すフローチャートである。
【図４】図４は、中断監視処理のフローチャートである。
【図５】図５は、チャンバ内洗浄処理のフローチャートである。
【図６】図６は、他の中断監視処理のフローチャートである。
【符号の説明】
【００５９】
１ 基板処理装置
３ ノズル（処理液流通路）
６ 挟持部材（基板保持部材）
７ スピンベース（基板保持部材）
９ 裏面供給管（処理液流通路、保持部材洗浄液供給手段、受け部材洗浄液供給手段）
１０ 裏面ノズル（処理液流通路、保持部材洗浄液供給手段、受け部材洗浄液供給手段）
１１ 薬液供給管（処理液流通路）
１２ リンス液供給管（保持部材洗浄液供給手段、受け部材洗浄液供給手段）
１４ 裏面リンス液バルブ（保持部材洗浄液供給手段、受け部材洗浄液供給手段）
１７ 薬液供給管（処理液流通路）
２０ 表面供給管（ノズル洗浄液供給手段、保持部材洗浄液供給手段）
２１ リンス液供給管（ノズル洗浄液供給手段、保持部材洗浄液供給手段）
２２ 表面リンス液バルブ（ノズル洗浄液供給手段、保持部材洗浄液供給手段）
２８ カップ（受け部材）
２９ スプラッシュガード（受け部材）
５１ 制御部（メイン制御実行手段、割込制御実行手段）
５３ レシピ記憶部（レシピ記憶手段）
５４ タイマ（計時手段）
Ｗ ウエハ（基板）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対する処理の内容を定めるプロセスレシピおよび予め定める予備動作の内容を定める予備動作レシピを記憶するレシピ記憶手段と、
前記プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御を複数回繰り返して実行し、これによる一連の前記複数回の前記処理の開始前または開始後に、前記予備動作レシピに従った予備動作レシピ制御を１回実行するメイン制御実行手段と、
前記処理のための所定の動作の終了から次回の前記プロセスレシピ制御の開始までの時間を計測する計時手段と、
前記計時手段により計測された時間が予め定める基準時間以上であることを条件として、前記メイン制御実行手段により実行される前記プロセスレシピ制御に割り込み、前記予備動作レシピ制御を実行する割込制御実行手段とを備える、基板処理装置。
【請求項２】
前記処理に用いられる処理液が流通する処理液流通路を備え、
前記予備動作は、前記処理液流通路に溜まった処理液を廃棄する動作を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルの外表面に洗浄液を供給するノズル洗浄液供給手段とを備え、
前記予備動作は、前記ノズル洗浄液供給手段により前記ノズルの外表面に洗浄液を供給する動作を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板を保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材の表面に洗浄液を供給する保持部材洗浄液供給手段とを備え、
前記予備動作は、前記保持部材洗浄液供給手段により前記基板保持部材の外表面に洗浄液を供給する動作を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板に処理液を供給するための処理液供給手段と、
基板から排除された処理液を受ける受け部材と、
前記受け部材に洗浄液を供給する受け部材洗浄液供給手段とを備え、
前記予備動作は、前記受け部材洗浄液供給手段により前記受け部材に洗浄液を供給する動作を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板に対する処理の内容を定めるプロセスレシピおよび予め定める予備動作の内容を定める予備動作レシピを記憶するレシピ記憶手段と、
前記プロセスレシピに従ったプロセスレシピ制御を複数回繰り返して実行し、これによる一連の前記複数回の前記処理の開始前または開始後に、前記予備動作レシピに従った予備動作レシピ制御を１回実行するメイン制御実行手段と、
前記処理のための所定の動作の終了から次回の前記プロセスレシピ制御の開始までの時間を計測する計時手段と、
前記計時手段により計測された時間が予め定める基準時間以上であることを条件として、前記メイン制御実行手段により実行される前記プロセスレシピ制御に割り込み、前記予備動作レシピ制御を実行する割込制御実行手段とを備える、基板処理装置。
【請求項２】
前記処理に用いられる処理液が流通する処理液流通路を備え、
前記予備動作は、前記処理液流通路に溜まった処理液を廃棄する動作を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記ノズルの外表面に洗浄液を供給するノズル洗浄液供給手段とを備え、
前記予備動作は、前記ノズル洗浄液供給手段により前記ノズルの外表面に洗浄液を供給する動作を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板を保持する基板保持部材と、
前記基板保持部材の表面に洗浄液を供給する保持部材洗浄液供給手段とを備え、
前記予備動作は、前記保持部材洗浄液供給手段により前記基板保持部材の外表面に洗浄液を供給する動作を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板に処理液を供給するための処理液供給手段と、
基板から排除された処理液を受ける受け部材と、
前記受け部材に洗浄液を供給する受け部材洗浄液供給手段とを備え、
前記予備動作は、前記受け部材洗浄液供給手段により前記受け部材に洗浄液を供給する動作を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００９−２３１７３３（Ｐ２００９−２３１７３３Ａ）
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−７８２００（Ｐ２００８−７８２００）
【出願日】平成２０年３月２５日（２００８．３．２５）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月２５日（２００８．３．２５）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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