【課題】簡易な装置構成にて良好な乾燥性能を得ることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板乾燥装置１はチャンバ１０内に処理槽２０を備える。また、基板乾燥装置１は乾燥ガス生成ユニット４５を備える。乾燥ガス生成ユニット４５は、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールを成分とする水切り剤を加熱して蒸発させて蒸気を発生させる。その蒸気を窒素ガスをキャリアガスとしてガス供給ノズル４１に送給し、ガス供給ノズル４１から１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールの蒸気を含む乾燥ガスをチャンバ１０内に供給し、乾燥ガスの雰囲気を形成する。処理槽２０にて純水による洗浄処理が終了した基板Ｗは昇降機構３０によって純水から乾燥ガスの雰囲気中に引き揚げられる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの乾燥プロセスで発生した有機溶剤を効率よく除去してＶＯＣガスの発生を抑制する。
【解決手段】ウェーハＷを洗浄するウェーハ洗浄装置３０Ａ〜３０Ｃと、洗浄された前記ウェーハＷをＩＰＡにより乾燥させる乾燥機ＤＳと、を備える半導体製造装置１に、乾燥処理で用いられたＩＰＡを除去するスクラバーとして機能する気液分離タンクＤＴを内蔵させる。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板移動機構３０が基板Ｗを保持する保持部３１を洗浄液が貯留された内槽４０内に移動させる。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液ＲＬで置換する。続いて、基板移動機構３０が基板Ｗを内槽４０の上方へ引き上げる。このとき、ドライエア供給ダクト６２から基板ＷにドライエアＤＦを供給する。基板Ｗの引き上げ時において、保持部３１に当接する基板Ｗの部分ｙ１，ｙ２，ｙ３が処理槽４上方の所定の高さに引き上げられることにより、基板移動機構３０による基板Ｗの引き上げ動作を停止する。そして、バルブＶ１を閉塞状態にし、バルブＶ２を開放状態にする。これにより、内槽４０内の全てのリンス液ＲＬが処理液排出管４２から図示しない工場の排出設備に送られる。 （もっと読む）

【課題】基板の上方の雰囲気が周囲に拡散することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。基板の周囲の側方の雰囲気が基板の上方の空間に流入するのを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック１と、スピンチャック１に保持されたウエハＷに処理液（たとえばＳＰＭ）を供給するための処理液ノズル２と、スピンチャック１を取り囲み、開口３３が形成された筒状の処理カップ３と、スピンチャック１の上方に配置された雰囲気遮断機構４とを備えている。雰囲気遮断機構４の雰囲気遮断部材３８からは、処理カップ３の上端１８ｄに沿うように空気が筒状に吐出される。ウエハＷにＳＰＭが供給されるとき、開口３３の上方の空間は、雰囲気遮断部材３８から吐出された筒状のエアーカーテンによって取り囲まれる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成された基板であっても乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、処理槽１に純水を処理液として供給して、処理位置にある基板Ｗを純水で処理した後、排出ポンプ５２によりチャンバ２７内を減圧するとともに溶剤ノズル３３からチャンバ２７内に溶剤蒸気を供給する。これにより基板Ｗの表面の純水は溶剤によって置換されるものの、微細パターンの奥に入り込んだ純水までは置換できない。基板Ｗを乾燥位置へ移動させた状態で、溶剤濃度が所定値に達した場合には、排出ポンプ５２によりチャンバ２７内を再び減圧する。これにより、微細パターンの表面にできた蓋状のものが取り除かれ、微細パターンの奥に入り込んだ純水が溶剤によって置換される。したがって、微細パターンが形成された基板Ｗであっても乾燥不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】溶剤蒸気供給管の供給箇所における溶剤の液状化を防止して、溶剤に起因する乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】溶剤ノズル３３の先端部７９には、噴出孔８１と同程度の開口を有する先端孔８５が形成されているので、蒸気発生タンクから溶剤ノズル３３の基端部７７に供給されたイソプロピルアルコール蒸気は、外周面の噴出孔８１から噴出されるだけでなく、先端孔８５からも噴出される。その上、先端部７９の肉厚ｄ１が外周面の肉厚ｄ２と同程度であるので、イソプロピルアルコール蒸気の熱が極端に低下することがなく、先端部７９においてイソプロピルアルコール蒸気が凝結するのを防止できる。したがって、リフタが乾燥位置に移動され、処理槽内からチャンバ内の雰囲気に露出された基板Ｗに対して液状化したイソプロピルアルコールが噴出されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ノズル部材に付着した処理液が基板上に滴下するのを防止する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、この液ナイフ１６に向けてエアを噴射するエアノズル３２を有する気体噴射手段とを有する。そして、コントローラ４０による制御に基づき、液ナイフ１６の下方に基板Ｓが存在しないときに、前記エアノズル３２から液ナイフ１６に対してエアが吹き付けられるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア排出ダクト６３は、吸気装置６５０に接続されている。吸気装置６５０は、ドライエア排出ダクト６３を通して処理槽４上の雰囲気を吸引し、吸引した雰囲気を外部へ排出する。ドライエア排出ダクト６３は、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅからなる。基板の処理前には、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅに対応する処理槽４上の複数の測定点Ｐ１〜Ｐ５でドライエアＤＦの流速が測定される。基板の乾燥処理時には、処理槽４に貯留された処理液から基板が引き上げられる。そして、引き上げられる基板にドライエアＤＦが供給される。このとき、予め得られた流速分布の測定結果に基づいて、排出ダクト６３ａ〜６３ｅの内部に取り付けられた弁ｖａ〜ｖｅの開度が個別に調整される。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持ローラ１１により直立姿勢に立てた状態で保持された基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂにそれぞれ、対向部材１２Ａ，１２Ｂが近接しながら離間配置される。間隙空間Ｓ１１，Ｓ１２に処理液（薬液およびリンス液）が液密に満たされた状態に供給され、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂが処理液により均一に処理される。また、基板Ｗを乾燥させる際に、処理液が自然落下する状態に基板Ｗが直立姿勢で保持されているので、乾燥ガスの吐出により処理液（リンス液）を押し出すとともに該処理液に作用する重力を利用して基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂからリンス液が除去される。このため、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程のいわゆる前工程で好適に使用されるものであり、簡便な制御機構によって炭酸ガスの流量を制御可能で、設置スペースが小さく、その製造コストが低廉である比抵抗制御装置を提供する。
【解決手段】薬液流体を供給する薬液流体供給手段１０と、超純水を供給する稀釈流体供給手段２０と、薬液流体及び超純水を混合させて処理水として排出する処理水調合手段３０とを備え、薬液流体供給手段１０が、分岐した第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３からなる送液路４０と、第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３に配置され、処理水調合手段３０に流入する薬液流体の流量を制限するフィルタ５１と、処理水調合手段３０から排出される処理水の比抵抗値に対応して、第一の分岐路４２、または第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３を開閉する一つの開閉弁５２とを備える比抵抗制御装置１００。 （もっと読む）

【課題】ウォータマークを発生させず，レジストの溶解もなく安全に処理することができる，基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽６０の下部から第１の処理液を供給して、処理槽６０内において第１の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０の下部から第１の処理液よりも比重が重い第２の処理液を供給しつつ、処理槽６０の上部から第１の処理液を排液して、処理槽６０内の第１の処理液を第２の処理液に置換し、処理槽６０内において第２の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０内から処理槽６０の上方に設けられた乾燥室に基板Ｗを引き上げる工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造においてウエハ上のウォーターマークの発生を著しく減少させたウエハの乾燥方法及びこの方法を実施する乾燥装置を提供する。
【解決手段】 ウエハの乾燥装置及び乾燥方法に関するものであり、洗浄処理されたウエハ１が乾燥機のチャンバー内に搬入され、乾燥開始前から乾燥終了に至る間、冷却装置８によって冷却を受け続ける。冷却方法としては、チャンバー内に導入される窒素などのパージガス９を供給する個所に冷却装置を付帯させ、パージ窒素を冷却した状態でチャンバー中に導入する。チャンバーに搬入されたウエハに冷却窒素ブローが施されることによりウエハが冷却され、ウエハ上に洗浄工程から残留している水滴も同様に冷却される。そして、乾燥後に出現することのある水ガラスは、残留水滴温度が低いほど水ガラス反応速度は遅くなるため水ガラス出現が抑制されることになって歩留まり低下が防がれる。 （もっと読む）