【課題】ダウンフローを発生させるための機構を簡素化した処理装置を提供すること。
【解決手段】ダウンフローを発生させる気流発生手段１５０と、循環経路部材２００内に配設され、ダウンフローを発生させる気体に含まれるミストを気体から分離させるミスト分離手段２４０と、循環経路部材２００内に配設され、ミスト分離手段２４０によって分離されて液化したミストを回収する廃液口２１３と、を有し、ダウンフローを発生させる気体を処理チャンバー１００と循環経路部材２００との間で、循環させるようにした。 （もっと読む）

【課題】局所密閉型清浄化装置冷却部の性能を向上することなく、局所密閉型清浄化装置の冷却部に起こりうる急な負荷変動を低減できる技術を提供する。
【解決手段】電子部品を製造する電子部品製造装置と該電子部品を搬送する電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、チャンバから排出される清浄空気を循環清浄空気として該チャンバへ導く清浄空気循環通路と、清浄空気循環通路を流れる循環清浄空気を循環させる送風部と、清浄空気循環通路上に設けられ、循環清浄空気を冷却する冷却部と、清浄空気循環通路上の、循環清浄空気の流れにおける、冷却部の上流側に設けられる蓄熱部と、を備える。蓄熱部は、循環清浄空気の熱を蓄熱して冷却部の負荷の低減を図ると共に、循環清浄空気に含まれる分子状の汚染物質を捕集する。 （もっと読む）

【課題】所定の液供給地点に基板が到達する以前に、ミスト状の処理液が基板に付着することを抑制し、これによって基板の品質向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、処理室１０を備え、この処理室１０内で基板Ｓを搬送しながら当該基板Ｓにリンス液を供給して洗浄処理を施すように構成される。処理室１０内には、搬入されてきた基板Ｓの上面全幅に亘って搬送方向上流側から下流側に向かって垂直方向に対して斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、当該液ナイフ１６から吐出されるリンス液の軌道よりも上流側の位置であって、かつ基板Ｓの搬送経路の下方に配置され、前記搬送方向上流側へのミスト状処理液の拡散を防止する遮蔽板１７とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄液などの液体が付着した基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板に対して、互いに対向する側方及び上方から乾燥空気を吹き付ける吹き出し部を備えさせることで、基板表面に付着した液体を短時間で効果的に除去する。さらに、乾燥チャンバの内壁部に沿って乾燥空気の一部を循環させて、この循環された空気を加熱ヒータにて加熱して、再び基板に吹き付けるような構成を採用することで、乾燥効率をさらに向上させる。 （もっと読む）