半導体ウエハなどの平らな物を音響エネルギを用いて処理するシステム、装置及び方法。本発明によるシステム、装置及び方法は、洗浄処理において、ウエハの両面から微粒子を効率的かつ効果的に除去することが出来る観点を有する。本発明は、平らな物を処理する装置であり、装置は、平らな物を支持する回転可能な支持体、回転可能な支持体上の平らな物の第１の表面に液体を供給する第１のディスペンサ、及び、回転可能な支持体上の平らな物の第２の表面に液体を供給する第２のディスペンサ、を有し、更に、装置は、音響エネルギを生成する第１のトランスデューサ及び該第１のトランスデューサに音響的に接続された第１のトランスミッタを有する第１のトランスデューサ装置を有し、第１のトランスデューサ装置は、前記第１のディスペンサが前記回転支持体上の平らな物の前記第１の表面に液体を供給すると、前記第１のトランスデューサの一部分と前記平らな物の第１の表面の間に液体の第１のメニスカスが形成されるように位置決めされており、更に、装置は、音響エネルギを生成する第２のトランスデューサ及び該第２のトランスデューサに音響的に接続された第２のトランスミッタを有する第２のトランスデューサ装置を有し、該第２のトランスデューサ装置は、第２のディスペンサが回転支持体上の前記平らな物の第２の表面に液体を供給すると、前記第２のトランスデューサの一部分と前記平らな物の第２の表面の間に液体の第２のメニスカスが形成されるように位置決めされている。
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基板の縁を研磨するように適応される装置及び方法は、研磨膜と、該研磨膜に張力及び荷重をかけて、膜の少なくとも一部分を平面内に支持するように適応されるフレームと、研磨膜の平面に対して基板を回転して、研磨膜が基板に力を付与し、少なくとも外縁及び第１斜面を含む基板の縁に輪郭合わせし、更に、基板回転時に外縁及び第１斜面を研磨するように適応される基板回転駆動装置と、を備えている。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

酸化に対して高安定性を有する初期状態水素終端化シリコンウェーハ表面を製造するための方法が提供される。プロセスの工程２０に従って、シリコンウェーハは陰イオン界面活性剤を伴う高純度加熱希フッ化水素酸で処理される。その後の工程３０において、水は室温で超純粋でｉｎ ｓｉｔｕですすがれて、次にその後の乾燥工程４０で乾燥される。代替的には、シリコンウェーハは工程２２で希フッ化水素酸で処理され、工程３２で水素ガス化水ですすがれて、工程４２で乾燥される。当該方法により製造されるシリコンウェーハは、３日より長い間、通常のクリーンルーム環境中で安定であり、そして８日より長い間、有意の酸化物再成長を伴わずに継続することが実証されている。 （もっと読む）

水性清浄化媒体が前記半導体表面に供給され、清浄化媒体がコロイド状の形状で懸濁されている清浄化粒子を含んでなり、そして機械的振盪が粒子に印加されて、清浄化段階の間の少なくとも一部の時間除去される清浄化段階を含んでなる、表面を清浄化する方法が開示されている。 （もっと読む）

１個の円板状基板を保持するための手段、円板状基板の表面上にリンス液を供給するための手段、エアゾールを発生させるための手段、及び円板状基板の表面上に前記エアゾールを供給するための手段を備えた円板状基板の乾燥装置が明らかにされる。更に、１個の円板状基板を準備し、円板状基板の表面にリンス液を適用し、円板状基板の表面にエアゾールを適用する諸段階を含み、ここに、エアゾールは分散相として乾燥用液体及び連続相として不活性気体よりなる円板状基板の乾燥方法が明らかにされる。エアゾールの供給中、液体の少なくも一部分が円板状基板上にあり、エアゾールの滴は液体面において凝結する。
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新しい又は使用済みの静電チャックを洗浄する非破壊でかつ簡素な方法は、静電チャックの表面上に付着した汚染物質を除去する湿式洗浄プロセスを含む。 （もっと読む）

処理すべき円板状基板に重なり得る寸法と形状とを有する第１のプレート（１０）、円板状基板（Ｗ）を０．２から５ｍｍの距離で前記第１のプレートと平行に保持するための保持手段（２２）、前記第１のプレートに対して実質的に直角な回転軸線（Ａ）まわりに円板状基板（Ｗ）を回転させるための回転手段（３７）、処理中に前記第１のプレート（１０）と円板状基板（Ｗ）との間の第１の間隙（１１）内に流体を導くために第１の間隙内に第１の分配用開口（１６）を有する第１の分配用手段（１４）、及び前記第１の分配用開口（１６）の位置を第１の位置（Ｐ１）から第２の位置（Ｐ２）に移動させるための移動手段（３４）であって、前記第１の位置（Ｐ１）の回転軸線（Ａ）までの距離が前記第２の位置（Ｐ２）の回転軸線（Ａ）までの距離より小さい前記移動手段を備えた円板状基板の湿式処理装置が開示される。
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処理効率及び／又は有効性を増大させつつ、処理中に基板装置へのダメージを最小限にすることのできる、音響エネルギ源にパワーを供給する方法及び装置。本装置及び方法は、音響エネルギ源を駆動するために使用する電気信号の振幅を変動させ、及び／又は振動数を変化させるというコンセプトを利用するものである。これにより、基板に適用される音響エネルギの振幅及び振動数が、対応する形で変動し及び／又は変化する。音響エネルギで基板を処理する方法は、ａ）少なくとも一つの基板を処理チャンバ内に支持する、ｂ）ベースとなる電気信号を生成する、ｃ）該ベースとなる電気信号をアンプに伝達し、該アンプが該ベースとなる電気信号を最大振幅を有する出力電気信号に変換する、ｄ）該出力電気信号をトランスデューサに伝達して、該トランスデューサ該は出力電気信号を対応する音響エネルギに変換する、ｅ）該音響エネルギを、前記処理チャンバ内に支持された前記少なくとの一つの基板上に適用する、ｆ）該出力電気信号の最大振幅を変動させる、ことから構成される。
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集積回路（「ＩＣ」）基板を洗浄するための発明の方法、システム、および組成が説明される。本発明の洗浄方法は、帯電した溶液を生成するためにＩＣ基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を帯電させる段階であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する段階と、ＩＣ基板の洗浄のために帯電した溶液を移送する段階とを含む。本発明の洗浄システムは、集積回路基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を保有するための帯電チャンバと、帯電した溶液を生成するために帯電チャンバ中の溶液を振動させることができる第１の音響エネルギー源であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する第１の音響エネルギー源を備える。
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本出願は、基板を乾燥させるためのシステムを説明し、そのシステムは、チャンバと、チャンバ内に位置決めされた上部エッジを有する内側容器とを含む。プロセス流体が、内側容器の中へ向けられ、そして、上部エッジを越えて流れ落ちる。内側容器の上部エッジが下げられ、それによって、基板の表面を横断するカスケードレベルを下げ、それと同時に、乾燥蒸気が、チャンバの中へ流し込まれる。カスケードレベルが、基板の表面を横断するように減少するにつれて、基板表面は、乾燥蒸気に曝される。境界層を薄くすることを使用した乾燥を促進するために、高周波超音波エネルギーが、内側容器の中へ送出されてもよい。 （もっと読む）