【課題】基板の処理条件が変わっても、最適な発振周波数の超音波により、微小気泡を圧壊して基板の最適な処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、微小気泡Ｈを含む液体Ｌ内に基板を浸漬して処理する処理槽２３と、微小気泡Ｈを含む液体Ｌをサンプリングして微小気泡Ｈの粒径の度数分布を計測する微小気泡の粒径度数分布計測器１８と、得られた微小気泡の粒径の度数分布から選択された微小気泡の粒径と固有周波数との相関近似式ＰＬから選択された微小気泡の固有周波数を得る制御部１００と、処理槽２３に配置されて微小気泡Ｈを含む液体Ｌに対して超音波を付与する超音波振動子２０と、制御部１００からの微小気泡Ｈの固有周波数から発振周波数情報を得て、超音波振動子２０を発振周波数で振動させて微小気泡Ｈに超音波を付与させる超音波発振器１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄面の大径化に容易に対応できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る超音波洗浄装置は、伝搬液１５に超音波エネルギーを与える超音波振動子１３と、前記超音波振動子によって超音波エネルギーが与えられた伝搬液を流す超音波伝搬管１２と、前記超音波伝搬管の下方に配置された、被洗浄物２１を保持する保持機構と、前記保持機構によって保持された被洗浄物の洗浄面に洗浄液を供給する洗浄液供給機構と、を具備し、前記超音波伝搬管１２は、その側面が、前記洗浄液供給機構によって前記洗浄面に洗浄液を供給することで該洗浄面に形成される該洗浄液の液膜１９に接触するように配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、洗浄処理に使用される洗浄液の損失が少なくて済み、消費量及びコストの低減を図ることができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物洗浄装置１により被処理物Ａを浸漬洗浄処理する際に、第１処理槽１Ｂ内に放出されたフッ素系溶剤Ｃの蒸気Ｃａを、第２処理槽２Ｂより下方に配置された冷却ジャケット３の冷却作用によって沸点より低い温度に冷却する。被処理物Ａを、第１処理槽１Ｂ内の第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃに浸漬して浸漬洗浄処理する。浸漬洗浄処理から蒸気洗浄処理へ移行する際に、被処理物Ａを第２処理槽２Ｂに収容したまま位置を変更せずに、第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃを蒸気Ｃａに入れ替えて蒸気洗浄処理する。蒸気洗浄処理から浸漬洗浄処理へ戻る際に、第２処理槽２Ｂに放出された蒸気Ｃａをフッ素系溶剤Ｃに入れ替えて浸漬洗浄処理する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、洗浄液を、第２処理槽内に滞留させることなく効率よく排出及び濾過することができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物Ａの浸漬洗浄処理が完了した際に、第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃを、そのフッ素系溶剤Ｃの自重を利用して第２処理槽２Ｂの底部に接続された排出路２ｆから下方へ排出して貯液槽７へ供給する。第２処理槽２Ｂと貯液槽７との間に重力に沿ったフッ素系溶剤Ｃの流れを作ることができるので、フッ素系溶剤Ｃの全体を、第２処理槽２Ｂ内の角隅部等に滞留させることなく貯液槽７へ供給することができる。これにより、フッ素系溶剤Ｃの全体を排出及び濾過する際に要する時間が短縮され、作業の能率アップ及びレベルの高い濾過が行える。 （もっと読む）

【課題】 基板上の所望の部位を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 アルコール液供給部４０は、基板Ｗ上にアルコール液（例えば、イソプロピルアルコールやエタノール等）を含む処理液を供給し、基板Ｗ上には処理液の液膜ＬＦが形成される。超音波付与部７０は、基板Ｗ上に形成されている液膜ＬＦに伝達面を接液し、超音波振動を付与する。この場合において、処理液に含まれるアルコール液の比率、基板Ｗ上に液盛りされる液膜ＬＦの厚さ、超音波付与部７０から付与される超音波振動の発信周波数および発振出力等のパラメータが適切に調整されると、基板Ｗ上の超音波付与部７０の伝達面の対向部位ではパーティクルが良好に除去される。一方、対向部位以外の部位ではパーティクルの除去が抑制される。 （もっと読む）

【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減でき、洗浄後のシリコンウェーハが汚染や変質を受けにくい、洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽と、該洗浄槽内に少なくとも２本のスクリューコンベアが回転自在に装着されており、被洗浄シリコンウェーハは、スクリューコンベアに形成された螺旋状の溝にスクリューコンベアの本数に相当する個所で接触し、垂直状態に保持された状態で連続的に一端部から他端部に向けてスクリューコンベアの回転にともなって搬送されるシリコンウェーハ洗浄装置。螺旋状の溝は、軸に対する垂直断面が２段Ｖ字型の形状を有し、螺旋状の溝の少なくとも表面は、樹脂を主成分とする材料からなる。この装置を用いる洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】ＮｉＳｉ（ニッケルシリサイド）を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。
【解決手段】ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）を含む半導体基板をドライエッチング及び／又はアッシングした後に存在する残渣の除去液であって、フッ化アンモニウム、フッ化アミン、フッ化テトラアルキルアンモニウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩；フッ化物塩以外のアンモニウム塩、フッ化物塩以外のアミン塩、フッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩以外の塩；並びに水を含み、フッ化物塩の濃度が５重量％以上、フッ化物塩以外の塩の濃度が３重量％以上、フッ化テトラアルキルアンモニウム及びフッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩の合計濃度が１５重量％未満であり、ｐＨが７〜９である残渣除去液。 （もっと読む）

【課題】従来のガス溶解水に比べて格段に高い洗浄効果を発揮する電子材料用洗浄水を提供する。
【解決手段】溶存ガスとして酸素とアルゴンとを含むガス溶解水よりなる電子材料用洗浄水であって、溶存酸素濃度が８ｍｇ／Ｌ以上であり、溶存酸素ガス量と溶存アルゴンガス量との合計に対して２体積％以上の溶存アルゴンガスを含む電子材料用洗浄水。この電子材料用洗浄水を用いて電子材料を洗浄する方法。酸素／アルゴンガス溶解水よりなる本発明の電子材料用洗浄水は、溶存ガス量が少なく、また、使用する薬品量も少ないものであっても高い洗浄効果を得ることができることから、安全に容易かつ安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。ＨＳＱ、ＭＳＱ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはＨＳＱ、ＭＳＱのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。
【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び／又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分（Ａ）、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分（Ｂ）、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分（Ｃ）及び水を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】「パターン剥がれ」が生じない条件で、高いパーティクル除去比を期待できる半導体基板等の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽として、主洗浄槽１を用意し、主洗浄槽１内において、洗浄対象となるウェーハ２の表面に、導入口３からエッチング液を供給してエッチングを行い、その後、ｐＨ調整用媒体として、ｐＨが９．５〜１０．５未満に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行い、次いで、洗浄媒体として、ｐＨが１０．５〜１２．５に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板上に第１洗浄液の液膜が形成された状態で、基板を良好に洗浄できる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 回転保持部１０により回転される基板Ｗに、第１洗浄液供給部４０からの第１洗浄液が供給され、基板Ｗ上に液膜ＬＦ１が形成される。導入プレート６０ａおよび超音波付与部７０が、退避位置から洗浄処理位置に向けて揺動させられ、基板Ｗの外縁部付近に配置される。これにより、基板Ｗ上に液盛りされた第１洗浄液の一部が、表面張力により基板Ｗ上から導入プレート６０ａ上に導入され、導入プレート６０ａに外方液膜ＬＦ２が形成される。そして、超音波付与部７０による超音波振動と、第２洗浄液の供給に基づいた波立振動とが、外方液膜ＬＦ２に付与される。これにより、基板Ｗへのダメージを低減させつつ、基板Ｗに付着するパーティクルの除去率を各段に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】薬液を用いて洗浄、エッチングする半導体基板洗浄装置において、ウェハを搬送、保持するガイドに蓄積した薬液や汚染物を容易に、且つ略完全に除去することができる半導体基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数の処理槽５間を移動するガイド洗浄ロボット６と、ガイド洗浄ロボット６に搭載され垂直方向に移動するガイド洗浄機構１と、ガイド洗浄機構１に設けられ回動動作可能な一対のガイド洗浄アーム２と、ガイド洗浄アーム２の先端に回転自在に設けられたガイド洗浄ブラシ３を備え、前記洗浄ブラシ３は前記処理槽５内において例えばウェハガイド４に接触し、その正逆回転による振り子動作によりこれを洗浄する。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板の疎水性表面を洗浄し準備する方法に関しており、ここで前記半導体基板は、エピタキシャル成長のための下地基板として使用するのに適している。フッ化水素酸（ＨＦ）を含有する水溶液によって基板を洗浄する状況において、３未満のｐＫａを有する強酸をＨＦと組み合わせて使用することができ、および／または超音波を適用しながらリンスを実施することができる。本発明による方法は、ウォーターマークの低下したレベルを示す疎水性表面を準備することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽及び乾燥槽を薄型化することができ、これにより洗浄装置及び乾燥装置の占める面積を小さくするとともに、洗浄及び乾燥に用いる流体の量を減少させることができ、さらにウオーターマークがつきにくい洗浄装置及び乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽内の洗浄用流体により、前記洗浄槽に配設された板状の被処理物を洗浄またはリンスする洗浄装置であって、前記洗浄槽は、一側壁と装置躯体が当接することによって扁平ボックス状に構成されて内部空間が密閉され、前記一側壁は、前記洗浄槽において被処理物の表面又は裏面が臨む面であり、かつ、洗浄槽内に臨む面に隙間形成部材を配してなり、前記被処理物は、前記隙間形成部材に接触しつつ起立した状態で保持され、洗浄槽の一側壁と、一側壁に対向する側壁との間で両側壁から離間した位置で洗浄されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンウエハーの洗浄方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、（Ｓ１１）シリコンウエハーの表面を標準洗浄１に従うＳＣ‐１洗浄液で洗浄する段階；（Ｓ１２）上記（Ｓ１１）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；（Ｓ１３）上記（Ｓ１２）段階でリンスされたシリコンウエハーの表面を塩酸、オゾン水及び脱イオン水を含んでなる洗浄液を用いて洗浄する段階；（Ｓ１４）上記（Ｓ１３）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；及び（Ｓ１５）上記（Ｓ１４）段階でリンスされたシリコンウエハーを乾燥させる段階；を含んで行うことを特徴とする。本発明によれば、洗浄工程とともにシリコンウエハーの表面に強い酸化力を持つ物質を用いて安定した表面酸化膜を形成することで、時間が経過しても外部の不純物がシリコンウエハーの表面に吸着されるなどの問題を解決することができ、かつ工程が簡単で安全に行える長所がある。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面を確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって洗浄処理する処理装置であって、
処理液が貯留される処理槽１と、基板１６のデバイス面１６ａを下に向けて保持して上下方向に駆動され下降方向に駆動されたときに上記デバイス面を処理槽の処理液に浸漬させる保持機構１７と、処理槽に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波発振器１５を具備する。 （もっと読む）

【課題】ワンバス式の洗浄槽を有するバッチ洗浄装置において、洗浄槽内の洗浄液の平均液温をバッチ間で一定となるように制御する。
【解決手段】ワンバス式の洗浄槽２０は、被洗浄物を洗浄するメガソニック発振器を備える。制御コンピュータ３０は、メガソニック照射の際に発生する液温変化を補償するために、純水加温装置４０から供給され薬液を希釈する純水の供給温度を制御する。被洗浄物は、各バッチが平均液温一定の元で洗浄され、高い洗浄効率が維持される。 （もっと読む）

【課題】基板へのダメージを抑制しながら基板表面上のパーティクルを効率的に除去することができる基板洗浄装置および方法を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆ上の液膜ＬＦに対して振動付与位置で超音波振動が与えられる。また、これに同時に、その振動付与位置と異なる液滴滴下位置で洗浄液の液滴が液膜に供給されて超音波振動と異なる波立振動が液膜に与えられる。これによって、基板表面Ｗｆに付着していたパーティクルが単に超音波振動を加えた場合に比べて格段に向上する。したがって、基板Ｗにダメージを与えない程度に超音波振動の出力や周波数などを設定したとしても、波立振動によりパーティクルを効果的に除去して基板表面Ｗｆを良好に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の表面からレジスト膜を効果的に剥離する。
【解決手段】基板処理装置１は、硫酸１０３を貯留する硫酸槽１０２と、過酸化水素水１４３を貯留する過酸化水素水槽１４２とを備える。基板処理装置１では、過酸化水素水１４３に半導体ウエハＷを浸漬することにより半導体ウエハＷの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハＷを高温の硫酸１０３に浸漬することにより、混合直後の高温ＳＰＭを半導体ウエハＷに接触させる。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを低減でき、かつ、パーティクル除去性能を最大限に確保できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部４７は、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内を所定圧力環境とするように制御し、かつ、噴出管１３から処理槽１内へ供給される純水の窒素ガス溶存量を所定溶存量となるように制御するとともに、処理槽１内に貯留された窒素ガス溶存水に付与する超音波振動の出力を所定出力値とするように制御するので、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内の圧力値、処理液の気体溶存量および超音波振動の出力値を変更することができ、基板Ｗの種類に応じてキャビテーションでの気泡崩壊発生圧力を調整でき、処理液の気体溶存量を飽和溶存量とすることができ、各種の基板に対してもダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能を最大限に確保できる。 （もっと読む）