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Fターム[5F157DA01]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 安全性確保を目的とするもの (1,023) | 危険防止、怪我防止 (46)

Fターム[5F157DA01]に分類される特許

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本発明は、半導体生産ラインでの自動交替式副産物捕集装置及びその制御方法に関し、特に、公知の副産物捕集装置を構成するにおいて、垂直軸の周囲に一定角度をおいて固定設置された状態でサーボモータの駆動方向に応じて上プレート及び下プレート間で左右に回動し、いずれか一個が副産物を捕集して残りは反復的に清掃を行う数個のトラップユニットと、中央部は前記トラップユニットが固定された垂直軸が貫通する形態で軸支されて、前記上蓋体及び下蓋体と一定間隔を維持する形態で設置され前記ケースの上部及び下部からトラップユニット等の上開口部及び下開口部に接触され各々のトラップユニットに副産物流入口及び副産物排出口と洗浄水供給口及び洗浄水排出口、乾燥気体供給口及び乾燥気体排気口を選択的に連結させる上プレート及び下プレートと、平常時には伸長により前記上プレート及び下プレートとユニット等との間で気密を維持させて、トラップユニット等の交替のために一定方向に回動させる際には、垂直になりトラップユニット等を円滑に回動させるトラップとプレート連結及び分離手段と、前記垂直軸の低端部に軸が連結された状態で下プレートの底面に固定設置され制御部の出力信号に応じて正、逆方向に回動し前記トラップユニット等を一定角度範囲内で回転させるサーボモータと、制御プログラムを通じて前記サーボモータとトラップとプレートの連結及び分離手段及び各種バルブの駆動を制御する制御部とから構成される。
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マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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洗浄液で円盤状物品の表面を覆い、これにより閉じられた液体層(L)が形成され、更に前記洗浄液を除去することを含んだ前記表面の乾燥方法であって、前記洗浄液が少なくも50重量%の水と少なくも5重量%の物質とを含み、この物質は水の表面エネルギーを低下させ、前記液体の除去が前記液体層の上への気体の吹き付けにより開始され、これにより閉じられた液体層が孤立した区域(A)において開かれる前記方法が開示される。
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本発明は、ガス放電ランプを駆動する適応ドライバと、永久的な最適化モードで、適応ドライバによって駆動されるガス放電ランプ、とりわけ容量性ガス放電ランプ、更にとりわけ誘電体バリア放電(DBD)ランプを動作させる方法であって、ドライバの出力(電流、電力、電圧、周波数)の重要な値を表す信号を測定、検知及び/又は検出するステップと、ランプの放電の質に関して少なくとも1つの実際の基準値を計算するステップと、ランプの最適化動作モードに関する少なくとも1つの所定値と実際の基準値とを比較するステップと、その比較の結果に従って電源を調整するステップとを有する方法とに関する。
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1個の円板状基板を保持するための手段、円板状基板の表面上にリンス液を供給するための手段、エアゾールを発生させるための手段、及び円板状基板の表面上に前記エアゾールを供給するための手段を備えた円板状基板の乾燥装置が明らかにされる。更に、1個の円板状基板を準備し、円板状基板の表面にリンス液を適用し、円板状基板の表面にエアゾールを適用する諸段階を含み、ここに、エアゾールは分散相として乾燥用液体及び連続相として不活性気体よりなる円板状基板の乾燥方法が明らかにされる。エアゾールの供給中、液体の少なくも一部分が円板状基板上にあり、エアゾールの滴は液体面において凝結する。
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膜除去システム(200、201)中の基板(178、265)を処理するための方法及びシステムである。本方法は、膜除去システム(200、201)の基板チャンバ(250)内にミクロフィーチャ(170)の側壁(183)上の誘電体膜(182)及び誘電体膜(182)の一部を覆うフォトレジスト膜(184)を有するミクロフィーチャを有する基板(178、265)を提供する段階と、フォトレジスト膜(184)によって覆われていない誘電体膜(182)の部分(186)を除去するため超臨界CO処理を用いた第一の膜除去プロセスを実施する段階と、を含む。第一の膜除去プロセスの後、フォトレジスト膜(184)を除去するため超臨界CO処理を用いた第二の膜除去プロセスが実行されてよい。他の実施形態では、第一の膜除去プロセスまたは第二の膜除去プロセスの一つを実行するため湿式処理が用いられてよい。
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