【課題】塩化物等の析出のおそれがなく、かつ配管の劣化を直ちに検出可能なウェーハ製造装置用の配管構造及びこの配管構造を備えたウェーハ製造設備を提供する。
【解決手段】ウェーハ製造装置に塩酸を供給する配管構造において、外管２１と、外管２１の内部に挿入されたフッ素樹脂からなる内管２２とを備え、内管２２が塩酸を流通させる酸流通路２３とされ、外管２１と内管２２の間には隙間２４が設けられてこの隙間２４が析出防止用流体を流通させる流体通路２５とされていることを特徴とする配管構造１２、１４を採用する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置のメンテナンス作業などで用いる足場の下方空間を有効に利用できるようにする。
【解決手段】複数の処理室１１０を備えた基板処理装置１００を支持するために床面上に配置される支持フレーム１４０に，床面から所定の高さの部位に処理室の周囲から外側に張り出すように足場１６０を直接設けた。足場は，支持フレームの外側に取り付けられた複数の支持ブラケット１６２と，支持ブラケットに水平に支持された足場板１６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 地震による装置の損傷や危険物漏洩のリスク等を未然に防止することができ、地震等の災害に対する安全性の向上をはかる。
【解決手段】 半導体基板の洗浄処理を行うための洗浄装置１５を備えた半導体基板洗浄システムにおいて、地震情報を検出する地震検出部１１と、地震検出部１１で検出された地震情報を基に、洗浄装置１５で退避行動を取るべきか否かを判定する判定部１２と、判定部１２により退避行動を取るべきと判定された場合に、洗浄装置１５で予め定められた退避行動を実行する退避行動実行部１４とを設けた。 （もっと読む）

【課題】 III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 シリコンをエッチング可能なエッチング材を利用して半導体下地層の表面を洗浄する工程と、洗浄後の半導体下地層をアルコールに浸漬する工程と、浸漬された状態で半導体下地層をガス置換室に搬入する工程と、ガス置換室内を大気から置換ガスに置換する工程と、ガス置換室に連結する反応室に液体から取り出した半導体下地層を搬入する工程と、反応室内で半導体下地層の表面に前記半導体層を結晶成長させる工程を備えている。置換ガスは、シリコン濃度が０．２ppm以下である。 （もっと読む）

【課題】エキシマランプの放電容器が不意に破損しないように、エキシマランプの点灯の可否を判断する方法を提供する。
【解決手段】放電容器１０内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間１０を挟んで一対の電極１７，１８が前記放電容器１０の外表面に形成され、前記放電容器１０の内面に前記密閉空間内に発生した紫外線を光出射方向に向けて反射する紫外線反射膜が形成されたエキシマランプ１において、前記放電容器１０が被処理体Ｗから遠ざかる方向に変形することを規制することにより生じる負荷を圧電素子３で電気信号に変換し、該負荷に対応する実測値と前記放電容器に割れが生じる危険性を有する水準の負荷に対応する基準限界値とを対比して、前記エキシマランプ１の点灯の可否を判断する。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、金属配線の腐食を抑えることができ、かつ、循環再生使用にも適したリンス液、及びそのリンス液を用いた基体の処理方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜剥離後の金属配線を有する基体の洗浄に、防食剤及び水を含有するリンス液を用いる。防食剤の含有量は１〜３０質量％が好ましく、水の含有量は２０〜９９質量％が好ましい。このリンス液は、さらに水溶性有機溶剤を含有してもよく、これにより、循環再生使用にさらに好適なものとなる。 （もっと読む）

【課題】フロンの代替となる程度に洗浄能力の高く、簡便に取り扱うことができる洗浄組成物と、その使用方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ジメチルエーテルと脂肪族炭化水素とを含有する洗浄組成物とし、さらに水を含有する構成とする。液体状態で存在する条件下で、洗浄浴として、あるいは、噴出口より前記洗浄組成物を前記洗浄対象物に向けて噴出させて用いる。 （もっと読む）

【課題】ＭＦＣ内に設けられている機器の異常を検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＭＦＣ２４１の上流側には、不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン３０８、不活性ガスの供給を遮断する第１遮断バルブ３００、処理ガスを供給する処理ガス供給ライン３１０及び処理ガスの供給を遮断する第２遮断バルブ３０２が設けられ、ＭＦＣ２４１の下流側には、処理室２０１に接続されるガス供給管２３２、ガス供給管２３２への供給を遮断する第３遮断バルブ３０４、排気可能な排気ベントライン３１８及び排気ベントライン３１８への供給を遮断する第４遮断バルブ３０６が設けられている。主制御部は、これらの遮断バルブが閉じられた状態でＭＦＣ２４１が閉状態から開状態に移行した結果、当該移行時間が予め設定された時間を超えている場合、ＭＦＣ２４１は異常であると判定する。 （もっと読む）

【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽６と、ベーパー洗浄槽６内における下方部分に蓄えた洗浄剤１６と、ベーパー洗浄槽６に連通した乾燥槽５と、ベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を遮断又は開放可能とした遮断蓋１３と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体２と、装置本体２に連結された、装置本体２の内部を加減圧する圧力調整手段３と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁１７と、洗浄剤１６を加熱するための加熱システム１９と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】優れた防食性を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）又は（Ｂ）で表される化合物。
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基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第４級アンモニウム化合物、および少なくとも１つの極性有機溶媒を含む、組成物。この組成物は、ウェハレベルパッケージングの適用およびはんだバンプ形成の適用からフォトレジストを除去することができる。
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【課題】操作画面にレシピのステップ毎に必要なステータスを視覚的に分かりやすく表示させる。
【解決手段】複数のステップから構成されるレシピの作成を行う操作画面を有し、この操作画面上からの指示で前記レシピを実行させることにより、基板の処理を行う基板処理装置であって、前記レシピの各ステップ名を順番に表示すると共に、各ステップに対応する内容を示すアイコンを前記操作画面に表示し且つガス配管図Ｇ２を前記操作画面に表示する表示手段を備える。 （もっと読む）

【課題】高温のＳＰＭなどの処理液を用いる場合でも、基板の処理時に生じる廃液を工場の廃液ユーティリティラインなどに排出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷへの処理液の供給時に生じる高濃度廃液は、廃液配管７２および高濃度廃液導入管７３を通して希釈タンク８に導入され、ウエハＷの水洗時に生じる低濃度廃液は、廃液配管７２および一般廃液導入管７４を通して気液分離タンク９に導入される。希釈タンク８には、高濃度廃液を希釈および冷却するための冷却水が供給されるようになっている。希釈タンク８の底面には、希釈廃液オーバフロー配管８３が挿通されている。この希釈廃液オーバフロー配管８３の一端は、希釈タンク８内の所定高さの位置で開放されており、廃液オーバフロー配管８３の他端は、たとえば、基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を用いた表面処理における安全性を向上させる。
【解決手段】貯留容器１０に無水または含水の液体フッ化水素１１を貯留する。吸込加圧手段２０によって、容器１０内を大気圧以下または前記被処理物の配置環境の圧力以下にし、気化したＨＦガスを吸い込んで加圧し、被処理物Ｗへ供給して表面処理を行なう。氷を蓄熱剤３２とする温調手段３０によって、貯留容器１０内をＨＦの大気圧下での沸点（約２０℃）より低温に保つ。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、熱応力で誘電体等が損傷するのを防止し、かつ漏洩ガスによる電極等の腐食を防止する。
【解決手段】第１方向に並べられた複数の電極２１を含む電極群２０を骨組み状のフレーム３０で囲んで保持する。フレーム３０は、電極群２０の第１方向の外側において第１方向と直交する第２方向に延びるフレーム部材３３を含む。フレーム部材３３の長手方向の少なくとも一箇所が支持系４２に連結されて変位が拘束される被拘束部３３ａとなり、その他の箇所が第１方向へ弾性変位可能な変位可能部３３ｂとなっている。フレーム部材３３の変位可能部３３ｂと電極群２０との間には、これら変位可能部３３ｂと電極群２０とを第１方向に沿って互いに離間する向きに押圧する押圧手段５０を設ける。 （もっと読む）

半導体集積回路用の半導体デバイス上に回路を製作及び／又は電極を形成するのに有用な、低減された金属エッチレート、特に低減された銅エッチレートを有するレジスト剥離剤を、それらの使用法とともに提供する。好適な剥離剤は、低濃度の銅塩又はコバルト塩を、銅塩又はコバルト塩の溶解度を改良するためのアミンと共に又はアミンなしで含有する。さらに、これらの方法に従って製造された集積回路デバイス及び電子相互接続構造も提供する。 （もっと読む）

【課題】混触に危険を伴う組合せとなる薬液の混触を防止することができ、かつ、そのための設定作業に手間を要しない、供給禁止組合せ設定方法、コンピュータプログラムおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ６０により、使用薬液メモリ６８，６９，７０から、第１薬液、第２薬液および第３薬液の各薬液名が読み出され、第１薬液、第２薬液および第３薬液の薬液名とバルブ１８，１９，２０，２３，２５，３１との対応関係を表す薬液−バルブ対応テーブルが作成される。そして、薬液−バルブ対応テーブル、および混触に危険を伴う薬液の組合せに関する情報を登録した混触禁止薬液データベースに基づいて、バルブ１８，１９，２０，２１，２３，２５，３１，３７間での同時開成および相前後する開成を禁止／可能とするバルブの組合せが設定される。 （もっと読む）

【課題】基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】メモリには、過去直近に開成されたバルブ（最終開バルブ）を特定するための情報が記憶されている。バルブを新規に開成する場合、その開成に先立ち、メモリに記憶されている最終開バルブを特定するための情報が参照される。そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】油性汚染物質と無機汚染物質とを簡便に効率よく洗浄でき、火気安全性と環境保全性とに優れた簡易な組成のウェーハ用洗浄剤を提供する。
【解決手段】ウェーハ用洗浄剤は、引火点を９０〜１５０℃とする飽和又は不飽和の炭化水素の５〜２５重量％と、
Ｒ^１-Ｏ-（-Ｃ_ｐＨ_２ｐ-Ｏ-）_ｑ-Ｈ（式中、Ｒ^１-は炭素数６〜１０のアルキル基、ｐは２〜３の数、ｑは１〜２の数を示す。）で表わされるグリコールのモノエーテルの５〜６５重量％と、
Ｒ^２-Ｏ-（-Ｒ^３-Ｏ-）_ｒ-Ｈ（式中、Ｒ^２-は炭素数８〜１８のアルキル基、又は炭素数８〜１８のアルケニル基、-Ｒ^３-は炭素数２〜３のアルキレン基、ｒは４〜２０の数を示す。）で表わされるポリオキシアルキレンのモノエーテルの５〜３０重量％と、
水の５〜２５重量％とからなり、４０℃における動粘度が１０ｍｍ^２／Ｓ以下のものである。 （もっと読む）

【課題】ウォータマークを発生させず，レジストの溶解もなく安全に処理することができる，基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽６０の下部から第１の処理液を供給して、処理槽６０内において第１の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０の下部から第１の処理液よりも比重が重い第２の処理液を供給しつつ、処理槽６０の上部から第１の処理液を排液して、処理槽６０内の第１の処理液を第２の処理液に置換し、処理槽６０内において第２の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０内から処理槽６０の上方に設けられた乾燥室に基板Ｗを引き上げる工程を有している。 （もっと読む）