【課題】活性層と半導体基板との間に回折格子が設けられるＤＦＢレーザ素子において、発振波長と利得ピーク波長との差を小さくする。
【解決手段】本方法は、半導体基板上に回折格子を含む半導体層を形成する回折格子形成工程Ｓ１１と、半導体層上に活性層を形成する活性層形成工程Ｓ１２と、活性層の利得ピーク波長を測定する測定工程Ｓ１３と、少なくとも活性層を所定方向に延びるメサ形状に成形することにより光導波路を形成するメサ形成工程Ｓ１５とを含む。メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 （もっと読む）

【課題】従来に製造歩留まりを悪化されることなく、高速変調を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１上に設けられた活性層２と活性層２上に設けられたクラッド層５とクラッド層５上に設けられたキャップ層６とを有する半導体レーザ装置１０を備えた半導体レーザ装置であって、半導体レーザ装置本体１０は、キャップ層６上に設けられた成長層側電極７と、半導体基板１の下面に設けられた基板側電極８とを具備し、活性層７は、半導体レーザ素子本体１０の素子長Ｌ１１よりも短く形成され、成長層側電極７は、半導体レーザ素子本体１０の素子長Ｌ１１よりも短く形成され、成長層側電極７および基板側電極８が、活性層２に電流注入を行うものである。 （もっと読む）

【課題】理想的な白色光を容易に再現することが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】この半導体発光装置１００は、赤色半導体レーザ素子１０と、緑色半導体レーザ素子３０と、青色半導体レーザ素子５０とを備える。そして、緑色半導体レーザ素子３０および青色半導体レーザ素子５０の各々に形成される光導波路の幅（Ｗ２およびＷ３）が、赤色半導体レーザ素子１０に形成される光導波路の幅Ｗ１よりも大きい（Ｗ１＜Ｗ２かつＷ１＜Ｗ３）関係を有している。 （もっと読む）

【課題】迷光を散乱、吸収、或いは反射する散乱／吸収／反射構造と光導波路との間隔を広く設定しても、遠視野像のプロファイル形状を改善可能とする。
【解決手段】迷光を散乱、吸収、ないしは反射する機能を有する構造２０を、光導波路１１に沿った領域に複数ずつ備える。光導波路１１に沿った領域を該光導波路１１の長手方向において３つ以上に等分した分割領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の各々に、少なくとも１つ以上の構造２０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造条件の変動に起因して方向性結合器のギャップ変化が発生しても、光フィルタの特性が変化しないようにし、これにより歩留まりを向上させる。
【解決手段】波長可変レーザ装置１０は、ＰＬＣ１１とＳＯＡ１２とを備えている。ＰＬＣ１１は、光導波路１３，１６と、光フィルタ２０と、ループミラー２４と、薄膜ヒータ３１〜３３と、非対称ＭＺＩ４１〜４７と、を備えている。本発明によれば、ＰＬＣ１１内の光結合部を非対称ＭＺＩ４１〜４７としたことにより、製造条件の変動によって方向性結合器のギャップ変化が発生しても光フィルタ２０の特性が変化しないので、歩留まりを向上できる。 （もっと読む）

【課題】結合効率が高く位置合わせのトレランスが大きい結合を、簡単な構成で実現できる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザモジュール３００は、半導体レーザ素子１００と少なくとも１つの屈折率分布型ロッドレンズ２００とを備える。半導体レーザ素子１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に積層された半導体多層膜を備える。半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。半導体基板１０および半導体多層膜は、平坦面１０１と、平坦面１０１から突出するように形成され且つ第１および第２の端面を含む積層構造１０２とを構成している。屈折率分布型ロッドレンズ２００は、レーザ光がロイドのミラー干渉を生じる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】外周部分のクラッド層とコア層の屈折率差をフォトニックバンドギャップの形成に十分な大きさとし、活性部分のクラッド層の抵抗を下げた、波長が１．３μｍおよび１．５５μｍの半導体レーザを提供する。
【解決手段】光を発生する活性部分と、発生した光からレーザ光を得るための共振器の外周部分とを同一基板上に形成する。基板１１はＩｎＰ基板である。活性部分は、ＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓからなる第１導電型のクラッド層１２と、ＡｌＧａＩｎＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰからなる活性層を含むコア層２１と、ＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓからなる第２導電型のクラッド層１７とを有する。外周部分は、第１導電型のクラッド層を酸化した第１のクラッド層２２と、コア層２７と、第２導電型のクラッド層を酸化した第２のクラッド層２５とを有する。外周部分に、所定の周期で複数の空孔２６が配列された２次元フォトニック結晶を形成する。 （もっと読む）

【課題】４３０ｎｍより長い波長領域で発光する窒化物半導体発光素子において、光出射端面をエッチングで形成してその端面に適切なコート膜を形成することによって、特性および寿命が改善された素子を提供し、また素子間の特性および寿命のばらつきを低減して素子の信頼性を高める。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板（１０１）上に形成された窒化物半導体積層構造（１０２−１０８）を含み、この窒化物半導体積層構造はインジウムを含む窒化物半導体からなる活性層（１０５）を含み、記窒化物半導体積層構造の光出射端面（１０３）がエッチングにより形成されており、光出射端面上に酸窒化物からなる端面コート膜が形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ型導波路における基本モードの曲げ伝播損失が抑制された光集積素子および光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に突出しながら該基板表面に沿って延設され、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成され該下部クラッド層よりも大きい屈折率を有するコア層と、前記コア層上に形成され該コア層よりも小さい屈折率を有する上部クラッド層とを有する導波路と、を備え、前記導波路は、直線導波路部と前記基板の表面と平行な面内において曲げを有する曲げ導波路部とを含み、前記曲げ導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さは、前記直線導波路部における下部クラッド層の前記基板からの突出高さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高効率で、素子サイズが小さく高密度集積が可能で安価に大量生産でき、形成の制御性に優れ、電子デバイスとの融合性に優れた微小共振器型光源を提供する。
【解決手段】微小共振器型光源は、光伝播方向と垂直な断面が矩形である、励起光導入用の第一コア３１と、光伝播方向と垂直な断面が矩形でかつ平面視円形の光共振器を構成する第二コア３２と、光伝播方向と垂直な断面が矩形である、第二コア３２からの光導出用の第三コア３３と、第一コア３１、第二コア３２および第三コア３３を覆うクラッドとを備える。第二コア３３は、発光源となる物質が添加され、発光波長に対してウィスパーリングギャラリーモード条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】発光プロファイルにおける明暗を生じなくする。
【解決手段】少なくとも一つの半導体レーザチップを具備する半導体レーザ装置が提供され、半導体レーザチップは電磁放射を放出する活性層を含む。さらに、少なくとも一つのコーナーリフレクタ１が半導体レーザチップ中に形成される。コーナーリフレクタ１は第１と第２の反射面１４、１５を有し、第１と第２の反射面１４、１５は互いに対して９０度未満の角度で配置される。これにより、半導体レーザ装置により放出される放射の向上した発光特性がもたらされる。 （もっと読む）

ナノワイヤ層を含むナノワイヤに基づく光電子デバイス１００、２００、３００、４００、５００、光検出器、及び半導体光増幅器を開示する。デバイスは、単結晶の表面、及び／又は非単結晶の表面から成長されたナノワイヤ１１４、２１４、３２４、４３４、４３６、５６０、５６２を含む。半導体光増幅器は、バラストレーザとして機能する複数のナノワイヤアレイを含み、信号導波路により搬送される信号を増幅する。ナノワイヤレーザ、及び光検出器の実施形態は、異なる偏光を提供することが可能な水平ナノワイヤ、及び垂直ナノワイヤ４３４、４３６、５６２、５６０を含む。 （もっと読む）

本発明の様々な実施の形態は、微小共振装置および微小共振装置の製造方法に関する。一実施の形態においては、微小共振装置（２００）は、上面層（２０４）を有する基板（２０６）、および基板内に埋込まれ、基板の上面層に隣接して配置される少なくとも１個の導波路（２１４、２１６）を備える。微小共振装置はまた、上層（２１８）、中間層（２２２）、下層（２２０）、周辺領域、および周囲被膜（２２４）を有する微小共振器（２０２、４０２）を含む。微小共振器の下層（２２０）は基板の上面層（２０４）に接続され、上面層と電気通信を行う。微小共振器が配置されることによって、周辺領域の少なくとも一部は少なくとも１個の導波路（２１４、２１６）上方に配置される。周囲被膜（２２４）は周囲面の少なくとも一部を覆い、微小共振器の上層、中間層、および下層に比べて比較的低い屈折率を有する。
（もっと読む）

【課題】導波方向の設計の自由度を向上させることを可能としつつ、屈折率が互いに異なる導波路間における反射および屈折による導波路損失を低減する。
【解決手段】第１導波路１２０１と第２導波領域１２０２との境界面１２０４を第１導波路１２０１の光の伝播方向に対して傾くように配置し、第２導波領域１２０２と第３導波路１２０３との境界面１２０５を第１導波路１２０１と第２導波領域１２０２との境界面１２０４における光の屈折方向の延長線上に対して傾くように配置し、第２導波領域１２０２と第３導波路１２０３との境界面１２０５における光の屈折方向が第３導波路１２０３の光の伝播方向に一致するように設定する。 （もっと読む）

【課題】高い変調特性を有したレーザ光を出力する。
【解決手段】ｎ型半導体基板１１と、ｎ型半導体基板の上方に配置され光を生成する活性層１７と、この活性層の上方に配置されたｐ型クラッド層２２と、活性層によって生成される光のなかから特定の波長のみを選択的に発振させる回折格子を備えたガス検知用波長可変型半導体レーザ２７であって、
活性層における生成された光の伝搬方向の長さを示す素子長Ｌを、単位面積当たりの電流量が増加して前記活性層の温度が上昇しやすい長さである２００μｍ乃至５００μｍに設定する。さらに、ｐ型クラッド層２２は、活性層側から順番に配列された、低不純物濃度を有する低濃度クラッド層１９と高不純物ｓ濃度を有する高濃度クラッド層２０を含む。 （もっと読む）

【課題】素子構造と下地基板との間に空隙を有した構造が実現された窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】窒化物半導体デバイスは、ウルツ鉱構造III族窒化物半導体であって、｛０００１｝面以外の面が表面に露出し、｛０００１｝面以外の面のいずれかに張り出す形でウルツ鉱構造III族窒化物半導体による板状構造が形成されている。ここで、板状構造は、有機金属化学気相成長方法において、ジメチルヒドラジンを窒素源に用いることによって水素を含有せずに形成されている。 （もっと読む）

【課題】互いに等価屈折率の異なる異種の光導波路間における光信号の反射を生ぜしめることなく、光結合における反射損失及び放射損失の発生を可及的に抑止し、極めて良好な光結合特性を得ることができる信頼性の高い半導体光集積素子を実現する。
【解決手段】単一の半導体基板１上に互いに等価屈折率の異なる第１の光導波路２と第２の光導波路３とが並列配設されており、両者の光導波路２，３間における光結合を行う方向性結合器が構成される。第１の光導波路２を伝播してきた第１の光導波モードＭ₁の光信号は、両者の光導波路２，３が平行に隣接する方向性結合器領域４内で生ずる光導波モードの変換作用により、第２の光導波路３を伝播する、第１の光導波モードＭ₁と異なる第２の光導波モードＭ₂にほぼ完全に変換され、出力される。 （もっと読む）

【課題】 ヒータによって出力された熱を光導波路層に効率よく供給することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置（１００）は、半導体基板（１０１）と、上面および側面を備えて画定されたストライプ状の半導体領域（１０２）と、ヒータ（１０４）とを備え、半導体基板の幅は半導体領域の幅より広く設けられ、半導体領域には光導波路層（１０６）が設けられ、ヒータは光導波路層より上部に設けられ、半導体領域の側面の下端から光導波路層までの距離は、半導体領域の幅の０．５倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 所望の波長において所望の波長のレーザ光を発振することができるレーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され利得を持ち第１の離散的な反射スペクトルのピークを有する第１回折格子領域と、第１回折格子領域の回折格子部と同等のピッチを持つ回折格子部とスペース部とからなるセグメントが複数接続され第１の離散的な反射スペクトルのピークとはピーク波長の間隔が異なる第２の離散的な反射スペクトルのピークを有する第２回折格子領域と、を備え、セグメントのいずれか１つである第１のセグメントは他の全てのセグメントに比較して第１回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍異なる光学的長さを有し、他のセグメントは全て第１回折格子領域の回折格子部のピッチの整数倍または全て第１回折格子領域の回折格子部のピッチの半分の奇数倍の光学的長さを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、波長切り替えの際に発生する不要光を遮断し、所望の波長のレーザ光のみを出力するコンパクトな波長可変光源を提供する。
【解決手段】本発明によれば、基板上の所定領域において発したレーザ光が少なくとも２つの光導波路に分岐され、その少なくとも一つの光導波路に、外部信号に基づいて動作する光ゲート機能を具備し、また他の光導波路は光の通過または増幅機能を具備することで、前者を通過した光を信号光として用い、また後者を通過する光を波長モニタに導くことにより、波長切り替え時において波長モニタを動作させながら不要信号光を遮断することができる。 （もっと読む）