【課題】容易且つ確実にＴＥ−ＴＭ偏波間利得差を所期値以下に抑え、半導体基板間の製造ばらつきを低減し、製造ロット毎の歩留まりを大幅に向上させることを可能とする光半導体装置を実現する。
【解決手段】ＳＯＡは、半導体基板１と、半導体基板１の上方に形成され、量子ドット３を有する光学的に結合した単一の活性層５を備えた光導波路１１とを含み、光導波路１１は、ＴＥモード偏波利得及びＴＭモード偏波利得の一方が他方よりも大きい第１の領域１１ａと、他方が一方よりも大きい第２の領域１１ｂとを備えており、全体としてＴＥモード偏波利得とＴＭモード偏波利得との差が所定範囲内に調節されている。 （もっと読む）

【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】より小型に且つ低コストに構成する。
【解決手段】半導体レーザ２１の両端面２１ａ、２１ｂを無反射端面とし、一方の端面２１ａから出射された光を第１レンズ２２によって集光して筐体５０の窓５０ａに導き、窓５０ａに一端側が固定された光ファイバ２３に入射させ、その一部を光ファイバ２３の他端側に装着された光反射器２４によって半導体レーザ２１の一方の端面２１ａに戻し、半導体レーザ２１の他方の端面２１ｂから出射された光を第２レンズ２８で平行光にして回折格子３０へ所定の入射角で入射させ、その回折光を回動ミラー３３によって逆光路で回折格子３０に反射させ、回折格子３０に対する回動ミラー３３の角度によって決まる波長成分の光を半導体レーザ２１の他方の端面２１ｂに戻す構造であり、光ファイバ２３の他端に装着された光反射器２４を通過する光を出力光として出射させる。 （もっと読む）

【課題】光源装置を小さくすることができ、装置全体の小型化を図ることができるテラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を提供すること。
【解決手段】テラヘルツ波発生装置１は、光パルスを発生する光源装置３と、前記光源装置３で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、前記光源装置３は、光パルスを発生する光パルス発生部４と、前記光パルス発生部４で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第１のパルス圧縮部５と、前記第１のパルス圧縮部５でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第２のパルス圧縮部７と、前記第１のパルス圧縮部５の前段、または前記第１のパルス圧縮部５と前記第２のパルス圧縮部７との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部６とを有する。 （もっと読む）

【課題】可飽和吸収領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第１化合物半導体層、発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第３化合物半導体層、並びに、第第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、第２電極、並びに、第１電極を備え、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、第２電極は、発光領域を経由して第１電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第１部分と、可飽和吸収領域に電界を加えるための第２部分とに、分離溝によって分離されており、リッジストライプ構造の最小幅をＷ_MIN、第２電極の第２部分と分離溝との境界における第２電極の第２部分のリッジストライプ構造の幅をＷ₂としたとき、Ｗ₂／Ｗ_MIN＞１を満足する。 （もっと読む）

【課題】光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子において、出射されるパルス状のレーザ光の持続時間内での光強度の揺らぎを無くし得る半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、光出力のスペクトルが自己位相変調によって長波シフトを示すモード同期半導体レーザ素子１０、外部共振器８０、及び、波長選択素子８２を備えており、モード同期半導体レーザ素子１０から外部共振器８０を介して出射されたパルス状のレーザ光の長波成分を波長選択素子８２によって抽出し、外部に出力する。 （もっと読む）

【課題】モード同期動作が不安定になるという問題の発生を抑制することができ、しかも、大きな出力を得ることができる半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）モード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）外部共振器を構成し、１次以上の回折光をモード同期半導体レーザ素子１０に戻し、０次の回折光を外部に出力する回折格子１００を備えており、モード同期半導体レーザ素子１０と回折格子１００との間に、モード同期半導体レーザ素子１０の光出射端面の像を回折格子上に結像させる結像手段１０１を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−Ｌカーブの温度変換を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】伝搬定数同調コア２３は活性導波路コア２５に中間半導体層２１を介して光学的に結合される。導波路コア１７は例えば伝搬定数同調コア２３を含み、導波路コア１９は活性導波路コア２５を含む。伝搬定数同調コア２３に係るフォトルミネセンス波長は活性層２７に係るフォトルミネセンス波長より短い。活性導波路コア２５に係る分散特性は伝搬定数同調コア２３に係る分散特性と異なる。活性導波路コア２５における光伝搬に係る位相速度は、ある波長で、伝搬定数同調コア２３における光伝搬に係る位相速度に等しくなる。活性導波路コア２５及び伝搬定数同調コア２３における位相速度に等しくなる波長でレーザ発振が生じる。導波路コア１７、１９の端面はそれぞれ基準面Ｒ１、Ｒ２に沿って延在し、第１の基準面Ｒ１は第２の基準面Ｒ２に対して傾斜する。 （もっと読む）

【課題】より一層高い光出力を達成し得る、ＧａＮ系化合物半導体から成る半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器２００は、（ａ）ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層、第３化合物半導体層、第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、（ｂ）第２化合物半導体層上に形成された第２電極２６２、並びに、（ｃ）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極を備え、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、光出射端面２０３におけるリッジストライプ構造の幅をＷ_out、光入射端面２０１におけるリッジストライプ構造の幅をＷ_inとしたとき、Ｗ_out＞Ｗ_inを満足し、半導体光増幅器の軸線ＡＸ₁に沿って光出射端面２０１から積層構造体の内側の領域には、キャリア非注入領域２０５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体光装置において温度が変化しても出力光の変動を抑制する。
【解決手段】半導体光装置１は、半導体光増幅器２と光波長選択素子３とを有し、光波長選択素子３は第１の光導波路２１と、第１の光導波路２１の結合導波路３２に光学的に結合されるリング共振器２２を有する。さらに、リング共振器２２と光学的に結合される結合導波路４１を含む第２の光導波路２３が設けられており、第２の光導波路２３には、波長選択反射鏡２４が形成されている。波長選択反射鏡２４は、垂直回折格子２５からなり、リング共振器２２で選択された共振モードのピークのうち、１つの共振モードのピークの波長を有する光を反射する。 （もっと読む）

【課題】斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるようにする。
【解決手段】光集積素子の製造方法を、第１斜め導波路５を有する第１光素子１に、その端面位置を検知しうる複数の端面位置検知マーカ１１Ａ、及び、複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａを形成し、第２斜め導波路８を有する第２光素子２に、第１斜め導波路の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカ１３Ａを形成し、端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカとこれに対応する第２位置合わせマーカとを合わせて第１斜め導波路の端面と第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、第２光素子上に第１光素子を実装するものとする。 （もっと読む）

【課題】光通信システムにおいて光サーキュレータを用いずに入出力の光信号を分離することができる、小型かつ低コストの半導体光増幅器およびそれを用いた光モジュールを提供する。
【解決手段】入射された光を導波するとともに増幅する光導波路１２を備えた反射型の半導体光増幅器であって、光導波路１２は、前方端面２６ａ側から後方端面２６ｂ側に向かって形成され、前方端面２６ａ側から光が入射される入力導波路１２０と、後方端面２６ｂ側から前方端面２６ａ側に向かって形成され、前方端面２６ａ側から光が出射される出力導波路１２１と、からなり、入力導波路１２０と出力導波路１２１が後方端面２６ｂ近傍で所定の角度θをなして連続的に結合しており、入力導波路１２０を導波された光が、後方端面２６ｂで反射されて出力導波路１２１を導波される構成を有している。 （もっと読む）

本発明によれば、デバイス、好ましくは偏光依存利得が小さい光増幅器が提供される。増幅器は、光利得を提供するための隣接する複数の半導体層を備えた利得媒体を備えており、これらの隣接する半導体層は、電子のための１つまたは複数の量子井戸を画定しており、利得媒体中における直接電子−正孔遷移および間接電子−正孔遷移の両方を提供するように動作する。伝導帯中の第１の量子化電子エネルギー準位および価電子帯中の第１の量子化正孔エネルギー準位は、第１の層中に位置している。価電子帯中の他の第１の量子化正孔エネルギー準位は、隣接する第２の層中に位置している。第１の層中の第１の量子化正孔エネルギー準位は、軽い正孔状態か、あるいは重い正孔状態のいずれかであり、第２の層中の他の第１の量子化正孔エネルギー準位は、第１の層中の第１の量子化正孔エネルギー準位とは異なる正孔状態である。第２の層は、Ｉｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＧａ_ｙＡｓ（ｘ＞０、ｙ＞０）を含んでいることが好ましい。
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傾斜歪像ファイバレンズ（２８）を利用することにより光ファイバ（１４）に光学的に結合された半導体利得素子（１２）を有し、波長選択式前面反射器（２６）を含む、レーザ装置。そのレーザ装置は、出力特性が向上しており、例えば、増幅部が高利得量を生成する際でも、レーザ発光が高い線形性で出力される。そのようなレーザ源は、ファイバ増幅器又は周波数２倍システム用の励起レーザ等の、様々な用途にも利用することができる。半導体利得素子（１２）は、内部共振器端面（１８）を備えた曲がった導波路と実質的に平行な傾斜ファイバレンズ先端（３０）とを有し、外部共振器ＬＤの波長及び強度の不安定性を防止する。
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【課題】ＧａＡｓを含む障壁層上に形成され、ＩｎＡｓを含む量子ドットを備える光半導体装置において、容易に偏波無依存な利得を得られるようにする。
【解決手段】光半導体装置を、基板１と、基板１の上方に形成された活性層２とを備え、活性層２は、ＧａＡｓを含む第１障壁層３と、第１障壁層３上に形成され、ＩｎＡｓを含む量子ドット４及び量子ドット４の側面の少なくとも一部を覆うサイドバリア層５を含む量子ドット層６と、量子ドット層６上に形成された第２障壁層７とを含むものとし、サイドバリア層５を、伸張歪を内在するとともに、Ｂを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】複数の利得領域から出射される光を、低損失で、同一の方向または集束する方向に進行させることができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１００では、活性層１０６のガイド部１１７に対する比屈折率差Δは、下記式（１）を満たし、第１利得領域１６０の第２面１０７側の端面１７２から出射される光２０と、第２利得領域１６２の第２面１０７側の端面１７６から出射される光２２とは、同一の方向または集束する方向に進む。
０．０５［％／μｍ］≦（Δ／Ｗ） ・・・・・・ （１）
ただし、Ｗは５μｍ以上であり、Ｒは１６００μｍ以上であり、Δは下記式（２）で表される。
Δ＝（ｎ_ｃｏｒｅ^２−ｎ_ｃｌａｄ^２）／ｎ_ｃｏｒｅ^２ ・・・・・・ （２）
ただし、ｎ_ｃｏｒｅは、前記曲がり利得部を含む前記積層構造体の垂直断面の有効屈折率であり、ｎ_ｃｌａｄは、前記ガイド部を含む前記積層構造体の垂直断面の有効屈折率である。 （もっと読む）

【課題】波長依存性の少ない光利得が得られる反射型半導体光増幅器を得る。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された光導波路となる第１の領域と第２の領域とを有する活性層と、前記第２の領域に沿って形成されており、第１の波長の光を反射する第１の部分と、前記第１の波長の光よりも光利得の低い第２の波長の光を反射する第２の部分とを反射させる反射部と、を有し、前記第１の部分は前記第２の部分よりも前記第１の領域側に形成されている反射型半導体光増幅器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る受発光装置１００は、発光領域１６０と受光領域１９０とは、第１分離溝１８０によって区画され、発光領域１６０は、第１利得領域１６２および第２利得領域１６４を有し、第１利得領域１６２と第２利得領域１６４との間の距離は、受発光層１０６の第１側面１０５側から、第１側面１０５に平行な受発光層１０６の第２側面１０７側に近づくにつれて小さくなり、第１利得領域１６２および第２利得領域１６４は、平面的にみて、第１側面１０５の垂線Ｐに対して傾いて設けられ、受光領域１９０は、第１利得領域１６２と第２利得領域１６４との間に位置し、第１利得領域１６２と第２利得領域１６４との間の距離が小さくなることによって、第１利得領域１６２および第２利得領域１６４から漏れた光は、受光領域１９０に至って、受光される。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、基板１０２と、その上方に形成された第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、を含み、活性層は、第１側面と、第１側面に平行な第２側面１０７と、を有し、活性層のうちの少なくとも一部は、第１利得領域１４０と、第２利得領域１４２と、を構成し、第１利得領域および前記第２利得領域に生じる光の波長帯において、第１側面の反射率は、第２側面の反射率よりも高く、第１利得領域および第２利得領域の各々では、第１側面側から平面的に見て、第１側面側の端面と、第２側面側の端面とは、重ならず、第１利得領域の第１側面側の端面の少なくとも一部と、第２利得領域の第１側面側の端面の少なくとも一部とは、重なっており、第１利得領域の長さと、前記第２利得領域の長さは、等しい。 （もっと読む）

【課題】発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る受発光装置１００は、第１領域１０と、平面視において第１領域１０と隣接する第２領域２０と、を含む受発光装置であって、第１領域１０および第２領域２０に形成された光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上方に形成された第１クラッド層１０４と、第１領域１０の第１クラッド層１０４の上方に形成された活性層１０６と、活性層１０６の上方に形成された第２クラッド層１０８と、を含み、活性層１０６の少なくとも一部は、利得領域１６０を構成し、第１領域１０と第２領域２０との境界には、利得領域１６０の端面１７０，１７２を有する段差側面１４５，１４７が構成され、利得領域１６０に生じる光は、利得領域１６０の端面１７０，１７２から出射され、出射された光の一部は、第２領域２０の光吸収層１０３に至り、受光される。 （もっと読む）