【課題】 発光素子部及び光変調素子部の特性を確保すると共に信頼性の低下を抑制可能な半導体集積素子を提供する。
【解決手段】
半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４とを備えている。半導体レーザ素子部２の第１の導波路２２としてリッジ導波路を採用すると共に、半導体光変調素子部４の第３の導波路４２としてハイメサ導波路を採用しているので、各素子部２，４の特性を確保できる。半導体集積素子１は、半導体レーザ素子部２と半導体光変調素子部４との間に半導体導波部３をさらに備えている。半導体導波部３のコア層３０４は、半導体レーザ素子部２の活性層２０４と一体に形成されており、半導体光変調素子部４のコア層４０４がバットジョイント接合されている。このため、その接合部の異常成長部Ｐ１に電流が流入することに起因して信頼性が低下することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に、出力波長が大きく変動するような状態であっても所望の出力波長を維持することが可能な波長固定レーザ及びその制御方法を提供する。
【解決手段】波長固定レーザ１Ａは、波長可変レーザダイオード３と、波長モニタ５とを備える。波長モニタ５は、第１リングフィルタ５１Ｆと、第２リングフィルタ５２Ｆとを有する。所定の波長領域において、第１リングフィルタ５１Ｆの周期的光透過特性はＮ周期変化し、第２リングフィルタ５２Ｆの周期的光透過特性はＮ−０．５周期以上、Ｎ周期未満変化する。第１リングフィルタ５１Ｆと第２リングフィルタ５２Ｆの透過率は、一のグリッド波長において他のグリッド波長における組み合わせとことなる固有の一の組み合わせを示す。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＧが小さい光増幅器をえる。
【解決手段】入射光の入力及び出射光の出力を行う入出力部と、入出力部から入力された入射光の偏光成分を分岐して、第１の偏光を有する第１偏光モード光、及び、第１の偏光と異なる第２の偏光を有する第２偏光モード光を出力する偏光分離部と、第１偏光モード光が入力され、第１の偏光を第２の偏光に変換して、第１偏光変換光を出力する偏光変換部と、導波路の一方の端部に入力された第１偏光変換光が増幅されて他方の端部から出力され、他方の端部に入力された第２偏光モード光が増幅されて一方の端部から出力される、光増幅部と、を備え、光増幅部に入力される光の、単位強度当たりの利得の変化の絶対値が、０．１６ｄＢ／ｄＢｍ以下である半導体光増幅器を用いることにより、ＰＤＧ０．５ｄＢ以下の光増幅装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】光学部品との結合が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、モノリシックに形成された発光部２０と光制御部３０とを有する。ｎ型のＧａＡｓ基板１００には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲとが積層される。光制御部３０は、発光部２０で発せられた光を基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する。また、光制御部３０の表面には、反射部１２４が形成され、反射部１２４は、上部ＤＢＲ１０８からから入射された光を収束させ、一定方向へ反射させる。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】共通の基板に形成され、複数のメサ型導波路を含む光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光素子の製造方法は、第１半導体積層部および第２半導体積層部を形成する段階と、第１形成マスク及び第１保護マスクを形成する段階と、第１形成マスクおよび第１保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、第３半導体積層部を結晶成長させ、埋込メサ型導波路を形成する段階と、第４半導体積層部を結晶成長させる段階と、第２保護マスク及び第１保護マスクより幅の小さい第２形成マスクを形成する段階と、第２保護マスクおよび第２形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、ハイメサ型導波路を形成する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】導波路層に形成される屈折率分布のコントラストを従来よりも向上させた半導体光反射器及び半導体レーザ、並びにそれらの駆動方法及び装置を提供する。
【解決手段】ｎ型基板１１と、ｎ型基板１１自体の一部またはｎ型基板１１の上方に形成されたｎ型クラッド層１２と、ｎ型クラッド層１２の上方に形成されたｐ型クラッド層１３と、ｐ型クラッド層１３とｎ型クラッド層１２との間に形成された、光を導波するための導波路層１４と、ｎ型基板１１の底面及びｐ型クラッド層１３の上面にそれぞれ形成されたｎ型電極１５及びｐ型電極１６と、導波路層１４の近傍に光導波方向に沿って規則的に配置された複数の電圧制御部材１７と、を備え、複数の電圧制御部材１７は、ｎ型電極１５及びｐ型電極１６の間に逆バイアス電圧が印加された状態で、導波路層１４内に光導波方向に沿った規則的な屈折率の分布を生じせしめる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも広い波長可変帯域を有し、かつ、正確な発振波長制御が簡便な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】半導体波長可変レーザ４００のフィルタ領域４２０は、第１のＭＺＩ４２１と第２のＭＺＩ４２２を並列配置し、２×２光カプラ４２３の２つの出力ポートに各々接続している。各ＭＺＩは、２つの２×２光カプラの間に、同一構造の２本のアーム導波路を有する対称ＭＺＩである。各アーム導波路は、一方の２×２光カプラの出力ポートに接続された第１のミラーと、第１のミラーと所定の長さ（第１のＭＺＩ４２１では第１の長さＬ１、第２のＭＺＩ４２２では第２の長さＬ２）の光導波路により接続され、他方の２×２光カプラの入力ポートに接続された第２のミラーとを有するファブリペローエタロンを備える。当該他方の２×２光カプラの出力ポートには、反射率９０％以上の高反射ミラー４２４、４２５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体領域による埋込構造と、樹脂領域による埋込構造とを一基板上に形成する際に、樹脂領域の表面の平坦性を高める。
【解決手段】この製造方法は、所定方向に並んで形成された基板生産物８０の第１及び第２の半導体積層部上に、所定方向に延びるパターンＭ３１を含むマスクＭ３を形成し、マスクＭ３を介して第１及び第２の半導体積層部をエッチングしてストライプメサ構造２１，６１を形成する工程と、ストライプメサ構造６１を覆うマスクＭ４を用いて埋込半導体を選択的に成長させる工程と、基板生産物８０上に樹脂を塗布してストライプメサ構造６１の両側面を埋め込む工程とを備える。マスクＭ３は、第２の半導体積層部上のパターンＭ３１に対向する側縁と、所定方向と交差する方向に延びる端縁とを有するパターンを更に含む。マスクＭ４の端縁Ｍ４ｃは、当該端縁に対し第２の半導体積層部側に位置する。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールにおける高速変調動作の信頼性を高め、送信器（送受信器）に組み込まれた際のビット誤り率を低減する。
【解決手段】 出力光を表面出射するテーパーミラーと、光変調素子と、光変調用駆動回路とを備え、前記光変調素子と前記光変調用駆動回路とでテーパーミラーを挟み込むように配置する。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド光デバイスに関し、利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路を方向性結合させる際に、高効率なレーザ発振を実現する。
【解決手段】 下部に分布ブラッグ反射鏡を有する利得半導体導波路と非線形光学結晶導波路とを近接配置して方向性結合させ、前記利得半導体導波路の一方の端面と前記非線形光学結晶導波路の一方の端面とをレーザ共振器用反射面とするとともに、前記非線形光学結晶導波路の他方の端面を前記非線形光学結晶導波路で発生した二次高調波の出射面とする。 （もっと読む）

【課題】レンズが高密度に集積されていて且つ、作製歩留まりのよい水平共振器垂直出射レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１導電型クラッド層と活性層と第２導電型クラッド層が積層された積層構造を含み活性層で発生した光を反射もしくは共振させる共振器構造部と、半導体基板の一部に設けられ活性層からの光を導波する光導波路層と、該光を反射させ半導体基板の裏面から出射するための光導波路層に設けられた反射鏡と、半導体基板の裏面に設けられ反射鏡で反射された光を集光する集光レンズとを備え、半導体基板の裏面には集光レンズが設けられた溝部と、半導体基板のヘキカイ方向に沿って設けられたテラス状部とを有し、該テラス状部は共振器構造の下方に配置され、ヘキカイ方向を長手方向とするテラス形状を有することを特徴とする水平共振器垂直出射レーザ。 （もっと読む）

【課題】狭線幅特性を得ることができ、かつ長期的信頼性に優れた半導体レーザ光源を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ１０は、光共振器１２を備えた光ファイバ通信用波長可変半導体レーザ光源であって、光共振器が、光共振器の発振するレーザ光の位相を回転させる位相回転部と、レーザ光の位相についての発振条件を制御する位相制御部とを含み、位相回転部が、レーザ光を発振する利得領域１６と、光共振器の発振周波数と等しい共振周波数を持つ第１のスルーポートリング共振器１９とが接続されて構成される。さらに位相制御部が、光フィルタからなる波長選択機構１７と、光フィルタを通過した光を全反射する反射鏡１５とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ層の回折格子が形成された界面で非発光再結合が生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられ、ＧａＡｓのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを少なくとも一部に有する活性層１８と、活性層１８上に設けられ、活性層１８から発振される光を伝搬する導波路であるＧａＡｓ層（ＧａＡｓ導波路層２０及び回折格子層２２）と、回折格子層２２の上面に設けられた回折格子２６と、回折格子２６を埋め込むように設けられた埋め込み層２４と、活性層１８と回折格子２６との間に設けられ、活性層１８から回折格子層２２と埋め込み層２４との界面へのキャリアのオーバーフローを抑制するキャリアストップ層３４と、を備える半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザとハイメサリッジ型変調器との間の光の反射を抑える。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が設けられている。光の進行方向において埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が結合されている。埋め込み型半導体レーザ１２は、活性層１６を持つ導波路リッジ１８と、導波路リッジ１８の両サイドを埋め込む埋め込み層２０とを有する。ハイメサリッジ型変調器１４は、変調層２２を持つハイメサリッジ２４と、ハイメサリッジ２４の側面に接するシリコン窒化膜２６と、シリコン窒化膜２６上に設けられたシリコン酸化膜２８とを有する。シリコン窒化膜２６とシリコン酸化膜２８の合計膜厚は１μｍ以上である。これにより、ハイメサリッジ型変調器１４の等価屈折率は、埋め込み型半導体レーザ１２の等価屈折率の０．９９８倍から１．０倍になる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、電流駆動できる小型且つ製造工程が簡便な半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明による発光素子は、半導体基板上に、発光素子を構成する半導体発光層および誘電体層、カーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成され、前記半導体及び誘電体層上にはカーボンナノチューブ乃至はグラフェン層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】寸法の低減された光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、基板３０に形成され、対向する端部それぞれから光を出力する半導体レーザ１１と、基板３０に形成され、半導体レーザ１１の一方の端部からの出力光が入力される第１光導波路１２ａを有する第１位相変調部１２と、基板３０に形成され、半導体レーザ１１の他方の端部からの出力光が入力される第２光導波路１３ａを有する第２位相変調部１３と、基板３０に形成され、第１光導波路１２ａ及び第２光導波路１３ａからの出力光を結合して出力する光結合器１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】寸法の低減された光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、基板３０に形成された半導体レーザ１１と、基板３０に形成され、第１光導波路１２ａを有する第１位相変調部１２と、基板３０に形成され、第２光導波路１３ａを有する第２位相変調部１３と、基板３０に形成され、半導体レーザ１１の出力光を２つに分岐し、分岐した光を第１光導波路１２ａ及び第２光導波路１３ａへ出力する第１光結合器１４と、基板３０に形成され、第１光導波路１２ａ及び第２光導波路１３ａからの出力光を結合して出力する第２光結合器１５と、を備え、半導体レーザ１１と第１光導波路１２ａ及び第２光導波路１３ａとは、少なくとも一部分が重なるように並列に配置される。 （もっと読む）

【課題】信頼性および製造歩留まりが高い半導体導波路アレイ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】スラブ型光導波路を有する半導体積層構造に複数のトレンチ溝を並べて形成し、前記トレンチ溝により離間されてアレイ状に配列されたリッジ型光導波路を形成する光導波路形成工程と、前記リッジ型光導波路を形成した半導体積層構造の表面を覆い、かつ前記複数のトレンチ溝を埋めるように有機絶縁材料を塗布する塗布工程と、前記有機絶縁材料をウェットエッチングし、前記アレイ状に配列されたリッジ型光導波路の上部を露出させるエッチング工程と、前記複数のトレンチ溝を埋めた有機絶縁材料を硬化させる熱処理工程と、を含み、前記光導波路形成工程において、前記複数のトレンチ溝のうち最も外側に位置する最外トレンチ溝の幅を、前記最外トレンチ溝よりも内側に位置する内側トレンチ溝の幅よりも広くする。 （もっと読む）