【課題】４６０ｎｍ以上の発振波長を有する窒化物半導体レーザ素子において、クラックの発生を抑制し、発光層内での光閉じ込め率を向上させ、ＩｎＧａＮ光ガイド層が活性層の劣化の起点となることを防止し、電流注入量の増加に伴うＩｎＧａＮガイド層の発光を防止すること。
【解決手段】４６０ｎｍ以上の発振波長を有する窒化物半導体レーザ素子では、第１の窒化物半導体層が第１のＩｎＧａＮ光ガイド層および井戸層のそれぞれに接するように第１のＩｎＧａＮ光ガイド層と井戸層との間に設けられている。第１の窒化物半導体層の層厚は１ｎｍ以上３ｎｍ以下であり、第１の窒化物半導体層はＩｎ組成比が２．０％未満であるＩｎＧａＮまたはＧａＮからなる。 （もっと読む）

【課題】回折格子構造のデューティ比のばらつきに起因するレーザ特性の悪化を低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１の製造方法は、第１方向に沿って交互に配列された凸部１２ｂと凹部１２ａとを有する回折格子Ｇを半導体基板１１の主面１１ａ上に形成する工程と、回折格子Ｇを形成した後、主面１１ａを撮像し、撮像された画像データにおける凸部１２ｂに対応する第１領域３１と凹部１２ａに対応する第２領域３２との面積比を示す値を算出する工程と、予め定められた結合係数κとなるように値に基づいてスペーサ層１３の厚さｄｓを決定する工程と、回折格子Ｇを覆うようにスペーサ層１３を成長する工程と、スペーサ層１３上に活性層１４を成長する工程と、を備え、凸部１２ｂおよび凹部１２ａは、第１方向と交差する第２方向に沿って延在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層とＡｌＧａＡｓ系活性層を有する分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）半導体レーザにおいて、分布ブラッグ反射領域を精度よく形成し、発振波長が安定で高出力の半導体レーザを得る。
【解決手段】 この発明の半導体レーザは、ＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層中にＡｌＧａＡｓ系の回折格子層を有し、分布ブラッグ反射領域における回折格子層は、厚み方向に回折格子層が残るように凹凸が形成されるとともに、凹凸部が薄いＡｌＧａＡｓ系の回折格子埋め込み層により埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】マストランスポートを抑制したバットジョイントを有する光集積デバイスを得る。
【解決手段】基板と、マストランスポートが基板より遅い材料で基板上に形成され、基板のマストランスポートを抑制する抑制層と、抑制層上に形成された第１導波路層と、第１導波路層上に形成され、第１導波路層の端面より内側に端面を有する上部層と、抑制層上に形成され、第１導波路層の端面に接する第２導波路層と、を備える光集積デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザアレイ１０は、基板上に、複数の素子を形成するための素子形成領域２０と、電極配線５０および電極パッド６０を形成するための配線形成領域３０とを含む。素子形成領域２０には、複数のメサＭ１、Ｍ２、Ｍ３が形成され、メサＭ１、Ｍ２、Ｍ３に隣接して金属配線７０が形成される。金属配線７０は、各々のメサＭ１、Ｍ２、Ｍ３の配列方向と平行に延在し、メサＭ１、Ｍ２、Ｍ３の活性領域に同一の方向の異方性歪みを付加する。 （もっと読む）

【課題】注入電流の大きさを変化させても、全光出力における各横モードの出力の割合の変動を抑制することが可能なトンネル接合型の面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１００は、下部ＤＢＲ３と、下部スペーサ層５と、活性層７と、第１上部スペーサ層９と、第１上部スペーサ層９の上面９Ｓの一部（第１領域９Ｓ１及び第２領域９Ｓ２）上に設けられたトンネル接合領域ＴＪと、トンネル接合領域ＴＪを埋め込むようにトンネル接合領域ＴＪ上及び第１上部スペーサ層９上に設けられた第２上部スペーサ層１５と、上部分布ブラッグリフレクタ１９と、を備える。トンネル接合領域ＴＪの単位面積当たりのトンネル抵抗は、半導体基板１の主面１Ｓと直交する方向から見た場合のトンネル接合領域ＴＪの内側から外側に向かって、段階的に減少、及び／又は、単調に減少することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ミスフィット転位の発生を抑制しつつ、量子ドットからの発光波長を長波長化することができる半導体装置の製造技術が望まれている。
【解決手段】 チャンバ内に単結晶基板を装填し、単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、Ｉｎ及びＡｓを含む量子ドットを形成する。チャンバ内で、量子ドットに、少なくともＡｓ_２分子線を照射しながら第１アニールを行う。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。半導体領域１３は半極性を示す主面１３ａを有し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる。半導体領域１３の主面１３ａは、該主面１３ａにおける［０００１］軸方向の基準軸Ｃｘに直交する平面Ｓｃに対して角度αで傾斜する。半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}より大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}は１５０ｎｍ以上を有する。ＩｎＧａＮ層１５は半導体領域１３の主面１３ａの直上に設けられて、主面１３ａに接している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】それぞれの面発光レーザ素子の発振周波数と所望の発振周波数との誤差が小さい面発光レーザ素子アレイを提供する。
【解決手段】ｌｏｇ_２ｎ回の調整工程を有し、それぞれの調整工程においてそれぞれの波長調整層の膜厚を調整するか否かを波長調整層毎に選択することで、それぞれの波長調整層を略一定間隔の膜厚にし、それぞれの調整工程における調整量は、ｄ×２＾ｋであらわされ、単位量ｄとして、それぞれのレーザ素子にそれぞれの目標発振周波数の光を発生させようとした場合の、目標発振周波数が隣接する他のレーザ素子との間で有するべき波長調整層の膜厚差の平均値を用いる製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】迷光を抑制し、かつ発光強度を向上させることができるリッジ型半導体レーザ素子を得る。
【解決手段】半導体基板１上に下クラッド層２、活性層３、及び上クラッド層４が順に積層されている。上クラッド層４にリッジ５が設けられ、リッジ５の両側に凹部６が設けられている。凹部６の底面に回折格子７が設けられている。リッジ５の上面にｐ電極９が接続されている。このｐ電極９は回折格子７の上方に延在している。 （もっと読む）

【課題】所定の波長を出射する面発光レーザ素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】基板の上に形成された下部ＤＢＲと、前記下部ＤＢＲの上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上部ＤＢＲと、を有し、前記活性層より上部に形成された波長調整層を含み、前記波長調整層の厚さを変えることにより、異なる波長を各々出射する複数の面発光レーザを有するものであって、前記波長調整層はＧａＩｎＰとＧａＡｓＰとを交互に積層した膜、または、ＧａＩｎＰとＧａＡｓとを交互に積層した膜により形成されているものであって、前記積層した膜の一部を各々の層ごとに除去することにより、前記波長調整層の膜厚を変えたものであることを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
歪みの点から、光半導体装置の偏光無依存性、発光波長ないし吸光波長の長波長化に改良を与える。
【解決手段】
光半導体装置は、第１の格子定数を有する半導体基板と、半導体基板上方に形成され、第１の格子定数より大きな第２の格子定数を有する量子ドットと、半導体基板上方で量子ドットの側面を囲み、第１の格子定数より小さな第３の格子定数を有するサイドバリアと、半導体基板上方で量子ドット及びサイドバリアに接して形成され、第１の格子定数より大きく、前記第２の格子定数より小さな第４の格子定数を有する第１の歪み緩和層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】温度変動による共振波長の変動を低減したレーザ素子を提供する。
【解決手段】基板と、内部光を共振させてレーザ光を出力する共振部と、基板の表面と垂直な方向に順次形成され、内部光の少なくとも一部を反射させることで内部光を共振させる下部反射層および上部反射層とを備え、共振部は、下部反射層および上部反射層の間に形成され、光を生成する活性層、活性層に正孔を注入するｐ型クラッド層、および、活性層に電子を注入するｎ型クラッド層を含む半導体層と、下部反射層および上部反射層の間に、共振方向において半導体層と直列に設けられ、半導体層とは熱光学係数の符号が異なる調整層とを有するレーザ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】電流の利用効率を高めた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第１導電型の第１クラッド層１２と、第１クラッド層１２上に形成された活性層１３と、活性層１３上に形成された第２導電型の第２クラッド層１４と、第１ｐクラッド層１４上の所定の領域に形成された第２導電型のリッジ部２と、所定の領域とは異なるリッジ部２の近傍領域の第１ｐクラッド層１４上に形成された第１導電型のｎ型イオン注入層１６ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層兼コンタクト層４と、コンタクト層４上に形成されＩｎを含有するIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成されIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるアンドープのキャップ層６と、キャップ層６上に形成され第２導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層７とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体光装置の特性劣化や信頼性低下を抑制した半導体光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体光装置の製造方法は、活性層を形成する活性層形成工程と、該活性層形成工程後に、リン系ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を形成する活性層保護膜形成工程と、該活性層保護膜形成工程後に酸化シリコン系又は窒化シリコン系の膜を形成するシリコン系膜形成工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子を駆動したときに素子内部で発生する熱を速やかに素子外へ排出することができ、かつ、それを行うためのコストや消費電力の上昇を抑えることができる半導体素子、半導体光素子及び半導体集積素子を提供する。
【解決手段】例えば、ｎ型半導体基板１３上に形成された、ｐ型半導体層１７とｎ型半導体層１２の間の活性層１１の領域で、電子とホールが再結合することにより動作する半導体レーザにおいて、電子とホールが再結合する活性層１１の領域よりもｎ型半導体基板１３側に、トンネル接合層１６を形成した構成とする。 （もっと読む）