【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを実現できる半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】窓領域を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、ｐ−コンタクト層１８表面のうち非窓領域に対応する領域に第１の誘電体膜を形成する第１の誘電体膜形成工程と、ｐ−コンタクト層１８表面のうち窓領域に対応する領域に、熱処理が行なわれた場合に直下の半導体層内部の不純物を拡散させる作用を有する第２の誘電体膜を形成する第２の誘電体膜形成工程と、第２の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物を第１の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物よりも多く拡散させて、第２の誘電体膜下部の半導体層の少なくとも一部領域が混晶化した窓領域を形成する熱処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる波長のレーザ光を発する個々のＬＤの光軸を揃えるための高精度な機械的実装を必要とすることなく容易に高精度な多波長半導体レーザ光源を製造できるモノリシックな多波長半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓＮ混晶からなる基板１０上にＧａＡｓＮ混晶からなる第１の組成変調バッファ層２０および第２の組成変調バッファ層３０を形成し、第１の組成変調バッファ層２０上に青紫色ＬＤ部４０を、第２の組成変調バッファ層３０上に赤外ＬＤ部５０および赤色ＬＤ部６０をそれぞれ形成する。そして、第１の組成変調バッファ層２０を基板１０から第１の半導体層４０に向かってＮ原子含有量が高くなる傾斜組成で形成するとともに、第２の組成変調バッファ層３０を基板１０から第２の半導体層５０および第３の半導体層６０に向かってＮ原子含有量が低くなる傾斜組成で形成した。 （もっと読む）

【課題】偏光を制御することができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板１００と、基板上に形成されかつ垂直共振器を含み、レーザ光を出射するレーザ素子部２０と、基板上に形成されかつ各々が垂直共振器を含み、レーザ素子部２０を間において対向する側にそれぞれ配置されたダミー素子部３０Ａ、３０Ｂと、レーザ素子部２０に駆動電流を供給するための電極部１５２と、ダミー素子部３０Ａ、３０Ｂに駆動電流を供給するための電極部１６２とを有する。ダミー素子部３０Ａ、３０Ｂの出射領域は、ｐ側電極により遮蔽されかつ基板１００を介してレーザ素子部２０に熱的に結合される。 （もっと読む）

【課題】基本横モードを維持しつつ偏光制御を安定化させることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成された下部メサＭ２と、下部メサＭ２上に形成された上部メサＭ１とを含む。上部メサＭ１には、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６、ｐ型の酸化制御層１２０、活性層１０４が含まれ、下部メサＭ２には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２、ｎ型の酸化制御層１３０が含まれている。酸化制御層１３０は、酸化制御層１２０よりも活性層１０４に近く、酸化制御層１３０の酸化領域１３０Ａの面積は、酸化制御層１２０の酸化領域１２０Ａの面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションアップの構造で取り付けられるマルチビーム半導体レーザ装置の大きさを小さくすることを目的とする。
【解決手段】半導体基板の表面に、電極を上部に有する複数のレーザ素子１２０ａ〜１２０ｈを設ける。その上に電極の一部を上方に露出させるための開口部１１８ａ〜１１８ｈを有する絶縁層１１５を設ける。開口部１１８ａ〜１１８ｈの内部を含みながら絶縁層１１５の表面を覆うように、複数の導電層１１６ａ〜１１６ｈを分離して配置する。導電層１１６ａ〜１１６ｈの表面にワイヤボンディング部を設ける。少なくとも１つのワイヤボンディング部は、導電層１１６ａ〜１１６ｈの表面において、複数のうちいずれかのレーザ素子１２０ａ〜１２０ｈの上方に位置するように設ける。 （もっと読む）

【課題】一定の動作電流において、動作温度の変化に伴う光出力の変動を抑制することが可能な半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の量子ドット３６を有する量子ドット活性層１４と量子ドット活性層１４を挟む下部クラッド層１２、上部クラッド層１６とを含む半導体層１８と、量子ドット活性層１４から出射されるレーザ光の出射端面３５を覆うように半導体層１８の端面２８に設けられた反射膜３２ａと、を具備し、反射膜３２ａは、動作電流を一定にした場合におけるレーザ光の光出力の温度依存を打ち消すように変化する反射率を有する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】周囲温度や注入電流の変化に対して発振波長変化の少ない光半導体装置を構成する。
【解決手段】この発明に係る光半導体装置は第1の端面に高反射率膜が配設された共振器を有し、利得が極大値となる第1の波長を有する半導体レーザと、この半導体レーザの共振器の第２の端面上に配設され、反射率が極小値となる第２の波長が第1の波長より長くかつ反射率が４％以下である低反射率膜とを備え、第1の波長近傍における波長変化に対するミラー損失の変化率が０．１３ｃｍ^−１／ｎｍ以上としたもので、周囲温度及び注入電流が変化した場合における半導体レーザ装置の発振波長の変化を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】高出力・高温動作時の消費電力を抑制し、信頼性の高い二波長レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、共に基板１０１上に形成された第１の半導体レーザ素子１０２と、第１の半導体レーザ素子１０２と発振波長が異なり、第２の半導体レーザ素子１０３とを備える。第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３の共振器長は１５００μｍ以上であり、第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３は、それぞれＩｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ１Ａｌ_ｘ１）_１−ｙＰ （０＜ｘ１＜１、０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層と、Ｉｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ２Ａｌ_ｘ２）_１−ｙＰ （０＜ｘ２＜１、０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層とを有している。活性層３０３は、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０≦ｚ＜１）からなり、１層のみの井戸層を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードとヒートシンクとが互いに電気的に絶縁されたレーザダイオード装置において、構成部品に損傷を与えることなくレーザダイオードとヒートシンクとを着脱できるレーザダイオード装置を提供する。
【解決手段】絶縁板を備える第一の複合板３０ａ上にレーザダイオード３４と、レーザダイオード３４と電気的に接続された電極３６、電極３９とを備えるレーザダイオードモジュール３０ａを形成し、このレーザダイオードモジュール３０ａをヒートシンクに取り付ける。 （もっと読む）

【課題】量子ドットから構成される所望とする状態の人工分子が形成できるようにする。
【解決手段】第１半導体からなる各々離間して配置された複数の量子ドット１０１と、これら量子ドット１０１の間に配置された第２半導体からなる半導体層１０２とを少なくとも備える。また、第１半導体と第２半導体とはエネルギーギャップ（バンドギャップエネルギー）が異なり、各々の量子ドット１０１の間隔Ｌｂは、第１半導体中の励起子のボーア半径の０．５倍〜５倍の範囲とされている。また、よりよくは、この間隔が、第１半導体中の励起子のボーア半径の１倍〜５倍の範囲とされている。 （もっと読む）

【課題】リッジ構造を有する半導体レーザ素子において、リッジ部の付け根付近に生じる応力を低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、ｎ型ＩｎＰ基板３と、ｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられた活性層１２を含む下部半導体積層部４と、下部半導体積層部４上において所定方向に延びる所定領域上に設けられ、リッジ形状を有しておりｐ型クラッド層１８を含むリッジ部５と、リッジ部５の側面上から下部半導体積層部４上の所定領域を除く領域上にわたって設けられた絶縁性の保護膜２５とを備える。下部半導体積層部４は、引っ張り歪みを有し活性層１２とリッジ部５との間に設けられた伸張歪応力付加層１４を更に含み、ｎ型ＩｎＰ基板３に対して負の格子不整合度を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性向上、製造時間の短縮化、製造コストの低減を図ることができ、かつ半導体素子及びサブマウント基板に用いることができる構成材料の選択性を広げることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体素子２と、半導体素子２を搭載するサブマウント部３とを有し、サブマウント部３は、サブマウント基板４と、サブマウント基板４の表面及び裏面に被覆された第１の被覆層５及び第２の被覆層６とからなる。サブマウント基板４は、半導体素子２よりも線膨張係数の小さい材料で作られている。第１の被覆層５及び第２の被覆層６は、例えば金属メッキで形成されており、サブマウント部３の線膨張係数が半導体素子２の線膨張係数に略等しくなるような厚さを備えている。 （もっと読む）

【課題】発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る受発光装置１００は、第１領域１０と、平面視において第１領域１０と隣接する第２領域２０と、を含む受発光装置であって、第１領域１０および第２領域２０に形成された光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上方に形成された第１クラッド層１０４と、第１領域１０の第１クラッド層１０４の上方に形成された活性層１０６と、活性層１０６の上方に形成された第２クラッド層１０８と、を含み、活性層１０６の少なくとも一部は、利得領域１６０を構成し、第１領域１０と第２領域２０との境界には、利得領域１６０の端面１７０，１７２を有する段差側面１４５，１４７が構成され、利得領域１６０に生じる光は、利得領域１６０の端面１７０，１７２から出射され、出射された光の一部は、第２領域２０の光吸収層１０３に至り、受光される。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する面発光レーザ素子を製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７を積層する。そして、分離用の溝１５２を形成することによって露出した下部半導体ＤＢＲ１０３の最表面を不動態化する。そして、不動態化によって生成された酸化膜１５３を、誘電体であるＳｉＮ、ＳｉＯＮ及びＳｉＯ_２のいずれかからなるパッシベーション膜１１１で被覆する。この場合、信頼性を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

本発明は、横結合を有するＤＦＢレーザダイオードに関するもので、該ＤＦＢレーザダイオードは、少なくとも１つの半導体基板１０と、該半導体基板上に配設された少なくとも１つの活性層４０と、該活性層４０より上に配設された少なくとも１つのリッジ７０と、該リッジ７０に隣接して上記活性層４０より上に配設された少なくとも１つの周期表面構造１１０と、上記活性層の下及び／又は上に配設された１μｍ以上の厚さを有する少なくとも１つの導波層３０，５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体層の製造方法、不純物の不活性化が抑制された半導体層、簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体レーザの製造方法、および不純物の不活性化が抑制された半導体層を備えた半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ₁）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。ＡｓＨ₃については、プロセス温度が５００℃以上となっている時に供給を停止する。このとき、ＡｓＨ₃に代わる新たなガス、例えば、有機Ａｓや窒素などを別途供給しない。 （もっと読む）

【課題】 ３次元フォトニック結晶を用いた発光素子において、発光部にキャリア（正孔と電子）を高効率に供給する。
【解決手段】 ３次元フォトニック結晶を用いた発光素子であって、３次元フォトニック結晶は、結晶欠陥により形成される共振器と、Ｐ型半導体により構成されるＰクラッドと、Ｎ型半導体により構成されるＮクラッドとを有し、共振器は活性部を備えており、活性部は第１の半導体からなる発光部と、第１の半導体よりも大きなバンドギャップを持つ第２の半導体より構成される第１の障壁部と、第１の半導体よりも大きなバンドギャップを持つ第３の半導体より構成される第２の障壁部とを有し、第１の障壁部はＰクラッドと接しており、第２の障壁部は前記Ｎクラッドと接しており、発光部は、第１の障壁部と第２の障壁部の間に配置されており、ＰクラッドおよびＮクラッドに対して離間していることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】低コストで高い歩留まりの面発光半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体材料により構成される活性層を、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される２つの反射鏡によって上下から挟み込まれた積層体を半導体基板の表面上に形成してなり、該半導体基板の前記積層体を形成した面と反対側の面に下部電極が接続され、前記積層体の上部の反射鏡表面に上部電極が接続され、前記電極の間に電流を流すことにより、前記半導体基板面に対して垂直にレーザ光を発する面発光半導体レーザにおいて、該面発光半導体レーザは上側の反射鏡に形成された半導体膜の一部の領域を酸化することにより、電流狭窄構造が形成される選択酸化層を有するとともに、前記活性層と前記選択酸化層と前記上側の反射鏡領域においてメサ構造が形成されており、該メサ構造の側壁面に、前記選択酸化層の前記積層体の上部からの深さ方向位置を検出する検出部を設ける。 （もっと読む）

【課題】 接合強度が強い３次元フォトニック結晶を少ない工程で製造する。
【解決手段】 周期構造を持つ層を積層することにより３次元フォトニック結晶を製造する方法であって、１以上の前記周期構造を持つ層を備える第１の構造体と第２の構造体をそれぞれ形成する構造体形成工程と、第１の構造体と第２の構造体を接合する接合工程とを含む。第１の構造体の第１の接合層と第２の構造体の第２の接合層は３次元フォトニック結晶の１つの層を分割したときの一方の層と他方の層とする。 （もっと読む）

【課題】 発光部に対してレンズが高精度で位置合わせされた面発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の面発光素子は、一方の面にレンズ１０２が形成されているレンズ基板１０１と、半導体エピタキシャル層を含む発光部１０３とを含み、
前記レンズ基板１０１に、目合わせマーク１０４が形成されており、
前記レンズ基板１０１の前記レンズ１０２が形成されている面上に、前記半導体エピタキシャル層と前記レンズが対向している状態で、前記発光部１０３が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）