【課題】表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】電流狭窄構造の形成後に、第二のエッチングストップ層及び第三のエッチングストップ層を用いて、半導体層上における誘電体膜の除去と、第一のエッチングストップ層を第２のパターンに沿って除去することを同一工程で実施する。
また、表面レリーフ構造が下層、中間層、上層の三層から構成され、該下層、中間層、上層の合計層厚が１／４波長の奇数倍の光学的厚さ（λ／４ｎの奇数倍、λ：発振波長、ｎ：半導体層の屈折率）とし、
下層の直下が、第二のエッチングストップ層とし、また二のエッチングストップ層の直上に、第一のエッチングストップ層が積層されている構造とする。 （もっと読む）

【課題】高出力による単一横モード発振のため長共振器化することで縦モード間隔が狭くなり、縦多モード発振等が生じる際でも、単一縦モード発振が可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層を含む複数の半導体層が積層され、波長λ１で発振する垂直共振器型面発光レーザであって、上部と下部多層膜反射鏡とによる共振器が、共振波長がλ１、利得スペクトルにおける共振波長λ１での利得がｇ１である第１の縦モード１１０と、共振波長がλ２、利得がｇ２である第２の縦モード１２０と、共振波長がλ３、利得がｇ３（ｇ２＞ｇ３）である第３の縦モード１３０と、による縦多モードを生じる構造を有し、第１の活性層１４０が、第１の縦モードの定在波の腹１５０からずらした位置に配置され、利得が大きい第２の縦モードの発振を抑制し、第１の縦モードによる単一縦モード発振が可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、キャリアの再捕獲、緩和時間を早め、熱的平衡状態を創出してスペクトル幅を狭小化する。
【解決手段】 活性層が量子ドットと前記量子ドットを上下方向で挟む面内全領域に形成される第１の半導体層及び第２の半導体層と、前記量子ドットの周囲に設けられた第３の半導体層とからなる量子ドット構造体を有し、前記量子ドット構造体を構成する第１の半導体層は、前記量子ドットと接する側と反対の面で第４の半導体層と接するとともに、前記量子ドット構造体を構成する第２の半導体層は、前記量子ドットと接する側と反対の面で第５の半導体層と接し、前記第１の半導体層及び第２の半導体層の禁制帯幅は、量子ドットの禁制帯幅と同じか或いは大きく、前記第３の半導体層の禁制帯幅は、前記量子ドット、前記第１の半導体層及び第２の半導体層の禁制帯幅より大きく、前記、第４の半導体層及び前記第５の半導体層の禁制帯幅は、前記第１の半導体層及び第２の半導体層の禁制帯幅より大きくする。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】ワイヤレス接続により、薄型パッケージ化の容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に順次配置された第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８・表面電極層２０と、基板１０の裏面に配置された裏面電極層２２と、基板１０・第１導電型クラッド層１４・活性層１６・第２導電型クラッド層１８の第１劈開面４２ａに沿って形成され、第１劈開面４２ａおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第１絶縁層２４ａと、第１劈開面４２ａに対向する第２劈開面４２ｂに沿って形成され、第２劈開面４２ｂおよび表面電極層２０の表面上および裏面電極層２２の表面上に延在して配置された第２絶縁層２４ｂと、第１絶縁層２４ａ上および表面電極層２０上の一部に配置された第１電極層２６Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。
【解決手段】この発明に係るＬＤ４０は、ｎ−半導体基板１２と、このｎ−半導体基板１２上に配設され、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ−ＧａＩｎＰで形成された第１ｎ−クラッド層４２ａと、この第１ｎ−クラッド層４２ａの上に配設された、ｎ−ＡｌＧａＡｓの第２ｎ−クラッド層４２ｂと、この第２ｎ−クラッド層４２ｂと第１ｎ−クラッド層４２ａとの間に介在し、第１ｎ−クラッド層４２ａに対応してｎ−ＡｌＧａＡｓＰで形成され、ＩＩＩ属元素のＡｌ、Ｇａは第２ｎ−クラッド層４２ｂと同じ組成で、Ｖ属元素のＡｓとＰの組成はＰよりもＡｓを多くした挿入層４２ｃと、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】放熱特性の低下を抑えつつ、内部応力に起因する信頼性の低下を抑えることができる面発光型半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、活性層１８と、アルミニウムを含み活性層１８上に設けられた半導体層３０と、アルミニウムを含み半導体層３０上に設けられたＤＢＲ部２４とを含む半導体積層構造３２のＤＢＲ部２４及び半導体層３０に対してエッチングを行うことによりメサ部３４を形成する工程と、電流狭窄のための環状の酸化領域２２ｂを半導体層３０の内部に形成するために、メサ部３４の側面から内部に向けてアルミニウムを酸化させる工程と、この工程によりＤＢＲ部２４に形成された酸化領域２４ｃに対して選択的なウェットエッチングを行う第１のエッチング工程と、ＤＢＲ部２４の周縁部をエッチングにより除去する第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ層の回折格子が形成された界面で非発光再結合が生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられ、ＧａＡｓのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを少なくとも一部に有する活性層１８と、活性層１８上に設けられ、活性層１８から発振される光を伝搬する導波路であるＧａＡｓ層（ＧａＡｓ導波路層２０及び回折格子層２２）と、回折格子層２２の上面に設けられた回折格子２６と、回折格子２６を埋め込むように設けられた埋め込み層２４と、活性層１８と回折格子２６との間に設けられ、活性層１８から回折格子層２２と埋め込み層２４との界面へのキャリアのオーバーフローを抑制するキャリアストップ層３４と、を備える半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】高い光出力を得ながらエネルギ変換効率を向上させることができる半導体光増幅器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層には、ＡｌＧａＩｎＡｓを含有する第１の活性層１と、第１の活性層１よりも光信号の出力側に位置し、ＧａＩｎＡｓＰを含有する第２の活性層２と、が設けられている。第１の活性層１と第２の活性層２とが互いにバットジョイント接合されている。 （もっと読む）

【課題】電極パッドとＢＣＢ樹脂との接合強度を高めることができる半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、光を発生、吸収、若しくは導波する層を含む半導体光素子２上にＢＣＢ樹脂領域４を形成する樹脂層形成工程と、酸素原子を含むガスから生成された誘導結合プラズマＰ１によってＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａを処理することにより、ＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａに凹凸を形成するとともにＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａ上にシリコン酸化膜６を形成するプラズマ処理工程と、金属からなる電極パッドをＢＣＢ樹脂領域４の表面４ａ上に形成する電極パッド形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】特性が改善可能な半導体面発光素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層６Ａ内に複数の穴Ｈを周期的に形成し、穴Ｈ内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層６Ｂを成長させてなるフォトニック結晶層６と、フォトニック結晶層６に対して光を供給する活性層４と、を備え、穴の側面は、｛１１０｝面を有しており、埋め込み層６Ｂは、穴の側面との界面である少なくとも１つの｛１１０｝面から突出した凸部ＨＢ１を有している。 （もっと読む）

【課題】接着剤等の這い上がりのない信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体層と、前記基板をチップごとに分離するため、前記半導体層に形成された素子分離溝と、前記上部半導体ＤＢＲ上に形成された電極と、を有し、前記素子分離溝の底面または側面には、撥液性膜が形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】不純物に起因した光半導体素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】凹部１１及び凸部１２が形成された第１半導体層１０の上に、不純物を含む第２半導体層２０を形成して、凹部１１及び凸部１２を被覆する。第２半導体層２０には、凹部１１内に形成された、第１濃度の不純物を含む第１領域２１、凹部１１内で、第１領域２１上方に形成された、第１濃度よりも低い第２濃度の不純物を含む第２領域２２、及び、凸部１２上方に形成された、不純物を含む第３領域２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 広帯域にわたる波長掃引を安定して行ない得る小型の光源装置を提供する。
【解決手段】 活性層と、該活性層に隣接して配された該活性層よりも屈折率が低い層と、前記活性層に電流を注入するための一対の電極と、を備えた光源装置であって、前記活性層または前記活性層よりも屈折率が低い層に振動を印加して、前記活性層または前記屈折率が低い層に粗密波を定在波として発生させる加振部材を有する光源装置。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減することができる構成を備えた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザが、Ｐ型ＩｎＰ基板１と、Ｐ型ＩｎＰ基板１に、Ｐ型ＩｎＰクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層３と、Ｎ型ＩｎＰクラッド層４と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層５と、Ｎ型ＩｎＰ埋込み層６と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層７と、Ｎ型ＩｎＰ層８と、Ｎ型ＩｎＰコンタクト層９と、ＳｉＯ_２絶縁膜１０と、Ｎ型電極１１と、Ｐ型電極１２とを備えている。半導体レーザが、Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２１を備える。 （もっと読む）

【課題】基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６上に形成されたｐ側電極１１０と、発振波長を透過可能な材料から構成されｐ側電極１１０の光出射口１１０Ａ内に形成された第１の絶縁膜１１２と、発振波長を透過可能な誘電体から構成され、第１の絶縁膜１１２の一部を被覆する第２の絶縁膜１１８とを有する。第２の絶縁膜１１８の膜厚は、第２の絶縁膜１１８からの光と第１の絶縁膜１１２からの光の位相差が抑制されるように調整され、かつ第２の絶縁膜１１８が被覆されている部分の反射率が第２の絶縁膜１１８が被覆されていない部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】モードフィールドが大きく異なる異種光導波路を接続する際に、従来のテーパ構造の光導波路と比べて効率的な光の接合を可能とする光導波路を提供することにある。
【解決手段】構造の異なる２つの導波路４１，４２が所定の長さＬ_taperを有する不連続テーパ構造接合部本体５０を介して接し、一方の導波路４１を導波する光の横方向の広がりが、他方の導波路４２を導波する光の横方向の広がりよりも広い光導波路において、不連続テーパ構造接合部本体５０の幅が前記一方の導波路４１と接する一方の端部５１から他方の導波路４２と接する他方の端部５２に向けて徐々に狭くなり、不連続テーパ構造接合部本体５０における一方の端部５１の幅Ｗ_taperを一方の導波路４１の幅Ｗ_ridgeよりも広くした。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードと変調器の接続部での放射損失を低減することができる半導体光集積素子及びその製造方法を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、レーザダイオード１２及び変調器１４が集積されている。レーザダイオード１２は、コア層４６，７０の両サイドが半導体５４，５６，５８で埋め込まれた埋込型導波路を採用している。変調器１４は、コア層７０の両サイドが半導体５４，５６，５８で埋め込まれないハイメサリッジ導波路を採用している。レーザダイオード１２及び変調器１４におけるコア層４６，７０はそれぞれストライプ状である。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を招くことなく複数の発光領域を有する半導体レーザ装置を容易に製造する方法を提供すること。
【解決手段】半導体レーザバー１ａを形成する工程と、表面Ｓ３の表面にスクライブ溝５ａを形成する工程と、スクライブ溝５ａが形成された半導体レーザバー１ｂをサブマウント１１上に搭載する工程と、複数の半導体レーザ１を、スクライブ溝５ａに沿って半導体レーザバー１ｂから分離する工程とを備える。表面Ｓ３は、サブマウント１１の長手方向に沿って延びておりスクライブ溝５ａの形成されない領域１３を有する。スクライブ溝５ａが形成されない領域１３を設けることによって半導体レーザ１ｂの機械的強度が向上される。 （もっと読む）