【課題】安定したレーザ発振をすることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板１００と、高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された共振器領域１０４と、共振器領域１０４上に形成された活性領域１０６と、活性領域１０６上に形成された高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有する。共振器領域１０４は、下部ＤＢＲ１０２上に形成された酸化物領域１０４Ａと、酸化物領域１０４Ａ上に形成され、活性領域１０６に隣接するｎ型の導電領域１０４Ｂとを有し、酸化物領域１０４Ａの屈折率は、導電領域１０４Ｂの屈折率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】部品を安価にでき、且つ、半導体レーザチップを容易に実装でき、且つ、放熱性を高くすることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置１０１は、半導体レーザチップ１１１と、この半導体レーザチップ１１１に熱的に接続されたステム１１２と、半導体レーザチップ１１１を覆うキャップ１１３とを備える。ステム１１２は、放熱部材１０２に取り付けられる裏面１２１と、裏面１２１の一部に対応する搭載面１１７と、裏面１２１および搭載面１１７に対して斜め方向に延びる取付面１１８とを有する。搭載面１１７は、サブストレート１１４を介して半導体レーザチップ１１１を搭載し、裏面１２１に対して略平行になっている。取付面１１８は、搭載面１１７の両側に位置する部分を有して、搭載面１１７の直上を開放している。 （もっと読む）

【課題】偏光制御された基本横モード発振を得ることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、基板１００上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６内に形成されたｐ型の電流狭窄層１０８と、上部ＤＢＲ１０６と電気的に接続されたｐ側電極１１２と、ｎ側電極１２０とを有する。電流狭窄層１０８には、長軸と短軸を有する楕円形状の導電領域１０８Ｂが形成され、ｐ側電極１１２には、光出射口を規定する開口１１２Ａが形成される。開口１１２Ａの前記長軸方向の径は、導電領域１０８Ｂの長軸の長さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 ジッタ特性に優れた能動モード同期動作をし得、波長確定精度の高い波長可変光源を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光増幅媒体と波長分散を有する導波路とを共振器内に備えた発振波長を変化可能な第一の光源装置と、前記導波路に接続され変調光としてパルス光を前記第一の光源装置に導入する第二の光源装置と、を具備した波長可変光源装置であって、前記変調光により前記発振波長を相互利得変調による能動モード同期によって制御するとともに、前記変調光のパルス幅が、該変調光を発生させる駆動信号の半周期の時間幅よりも狭い時間幅を持つ波長可変光源装置。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ発振をすることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板１００と、高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成されたｎ型のＡｌＧａＡｓからなる共振器延長領域１０４と、共振器延長領域１０４上に形成された活性領域１０６と、活性領域１０６上に形成された高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有し、上部ＤＢＲ１０８の高屈折率層と低屈折率層の屈折率差は、下部ＤＢＲ１０２の高屈折率層と低屈折率層の屈折率差よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高湿下でも安定して動作可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１０１と、第１の電極１１３と、第２の電極１１７と、第１の反射鏡１０２と、第２の反射鏡１２０と、第１の反射鏡および第２の反射鏡との間の共振器１３０であって、活性層１０５と電流狭窄層１０７とを含む共振器と、基板１０１の一主面上に形成されたメサポスト１１０であって、電流狭窄層１０７を含むメサポスト１１０と、メサポスト１１０および基板１０１の一主面を覆うパッシベーション膜１２３と、メサポスト１１０の基部を覆う耐湿性の金属膜１３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶発光素子の耐熱性を向上させ、かつ効率を高める。
【解決手段】フォトニック結晶発光素子１０００は、３次元フォトニック結晶１００を用いている。該フォトニック結晶は、共振器１１０を形成する第１の欠陥、該共振器で発生した光を外部へ取り出す導波路１２０を形成する第２の欠陥および該共振器で発生した熱を外部へ放出する放熱部１３０を形成する第３の欠陥を有する。フォトニック結晶は、共振器の内部に配置された活性部１８０、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１５０およびN型半導体からなるNクラッド１６０により構成されている。第３の欠陥の少なくとも一部は半導体で構成されている。共振器と放熱部の光の結合効率が共振器と導波路の光の結合効率よりも低く、かつ活性部から放熱部に伝導して放出される熱が活性部から導波路に伝導して放出される熱よりも多い。 （もっと読む）

【課題】フォトニック結晶発光素子に設けられた複数の共振器に対して、効率良く、かつ良好な均一性で電流を注入する。
【解決手段】フォトニック結晶発光素子１００は、３次元フォトニック結晶１１０を用いている。フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。そして、ＰクラッドおよびＮクラッドにおいて、第１の方向に直交する第２の方向でのキャリアの拡散係数が、第１の方向でのキャリアの拡散係数よりも高い。 （もっと読む）

【課題】高次横モード発振を抑制し高出力の基本横モード発振を得ることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭと、メサＭ内に形成され、選択的に酸化された酸化領域１０８Ａによって囲まれた導電領域１０８Ｂを有する電流狭窄層１０８と、メサＭの頂部に形成され、光出射口１１０Ａを規定する環状のｐ側電極１１０と、光出射口１１０Ａを覆う第１の絶縁膜１１２と、第１の絶縁膜の屈折率よりも大きい屈折率を有する環状の第２の絶縁膜１１４とを有する。光出射口１１０Ａの第２の絶縁膜１１４が存在する領域の反射率は、第１の絶縁膜１１２のみが存在する領域の反射率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】発振波長が1.530〜1.565μmの分布帰還型半導体レーザあるいはファブリペロー・レーザにおいて、高温下においても高出力を実現可能な素子を実現する。
【解決手段】半導体レーザの活性層2に、高温下高出力に優れたInP基板上のInGaAlAs系材料の多重量子井戸構造の障壁層最適値 (In_(1-x-y) Ga_(x) Al_(y) Asのx値及びy値)として、0.25 < x < 0.32、0.24 < y < 0.31、の範囲の数字を同時に持つようにした。 （もっと読む）

【課題】量子井戸構造を備える半導体光素子であって、特性向上を実現する半導体光素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、積層される多層構造のうち、基板上面から、多層構造に含まれる量子井戸構造の内部にある第１の高さまでの累積歪をゼロとなるよう、第１の高さより下側に位置する各層の歪量と層厚を決定する工程と、各層に前記歪量それぞれの歪が導入され、前記層厚それぞれに、積層される工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光ストライプ領域の幅が広くて大出力であるにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が、主ピークのみが強くてサイドローブが極めて小さい半導体レーザ装置と、それを用いた光無線通信システムを提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置４１は、発光ストライプ領域４８が生成すべき、あるいは生成した光電界の振幅および位相の分布を補正するｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９を備える。このｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９は、発光ストライプ領域４８の層厚方向片側に位置する層に、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部に対応するように形成されて、この層の屈折率よりも屈折率が小さい領域である。ｐ型ＡｌＧａＡｓ屈折率制御層４９によって、発光ストライプ領域４８の幅方向両端部の屈折率が、上記発光ストライプ領域４８の幅方向中央部の屈折率よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝の壁面からの酸化がされにくい信頼性の高い面発光レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、半導体膜からなる活性層と、半導体膜からなる電流狭窄層と、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることにより、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜を前記半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面に、絶縁体からなる絶縁体保護膜を形成する絶縁体保護膜形成工程と、前記絶縁体保護膜上に金属材料からなる金属保護膜を形成する金属膜形成工程と、を有することを特徴とする面発光型レーザーの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝の壁面からの酸化がされにくい信頼性の高い面発光レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、半導体膜からなる活性層と、半導体膜からなる電流狭窄層と、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることにより、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜を前記半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面及び前記メサ構造の側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程と、前記再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする面発光型レーザーの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄構造を別途設けることなく、容易に作製できる２次元フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】２次元フォトニック結晶面発光レーザは、第１および第２半導体層と、前記第１半導体層と、前記第２半導体層とに挟まれ、キャリア注入によって、光を発生する活性層とを備え、前記第１半導体層は、前記活性層側とは反対側に複数の凸部を有し、前記複数の凸部のうちの全部または一部によって２次元フォトニック結晶構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを不純物の制御性良く実現した半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１１上に形成されたｎ−クラッド層１３、活性層１５、ｐ−クラッド層１７、ｐ−コンタクト層１８、上部電極２０および電流狭窄層１７ａを備えた端面発光型の半導体レーザ素子であって、少なくともレーザ光の出射側端面近傍に非窓領域よりも大きいバンドギャップを持つ窓領域２３を有し、ｐ−コンタクト層１８の窓領域２３のｐ型不純物濃度が、ｐ−コンタクト層１８の非窓領域２４のｐ型不純物濃度よりも２×１０^１７ｃｍ^−３以上低く、電流狭窄層１７ａは、該電流狭窄層１７ａの上下に形成される層の格子定数よりも大きな格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】波長デチューニングΔλに起因する光出力の波形鈍りを低減することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】電流源２１から矩形状の電流パルス（電流Ｉ_op-none（ｔ））が出力され、補正回路２２からは、ＲＣ時定数回路２２Ａを用いて導出されたアシスト電流Ｉ_A（ｔ）が出力される。レーザ駆動回路２０によって、電流源２１の出力と、補正回路２２の出力とを互いに重ね合わせた電流パルス（Ｉ_op（ｔ）＝_Iop-none（ｔ）＋Ｉ_A（ｔ））が半導体レーザ装置３１に印加される。 （もっと読む）

【課題】半導体層と接触する電流ブロック層が半導体層から剥離するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この第１半導体レーザ素子１０は、半導体層３と、半導体層３の表面上に形成され、半導体層３に電流通路部３ａを形成する絶縁層（ＳｉＯ_２など）からなる電流ブロック層５と、半導体層３と電流ブロック層５との間に形成され、電流ブロック層５と半導体層３との密着性と比較して、半導体層３および電流ブロック層５のそれぞれに対する密着性が高い密着層３０とを備える。そして、少なくとも密着層３０が形成された領域に対応する電流ブロック層５（領域５ｂ）の表面上に、配線用電極８を介して第２半導体レーザ素子２０や、パッド電極６を介して金属線３５などが接合される。 （もっと読む）

【課題】結晶主方向７を有する結晶構造、ビーム出射面４、半導体基体１をラテラル方向に形成している側面７を有している半導体基体を備えた面発光半導体レーザチップにおいて、エージング特性が改善されたもしくは寿命が高められた面発光半導体レーザチップ。
【解決手段】少なくとも１つの側面５が結晶主方向７に対して斜めに配置されている。 （もっと読む）