【課題】１．３μｍよりも長波長側の波長帯で発光する光半導体素子及び集積素子を実現する。
【解決手段】光半導体素子を、ＩｎＡｓ量子ドット５と、ＩｎＡｓ量子ドット５の上下に接する一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６と、一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６のＩｎＡｓ量子ドット５に接する側の反対側に接し、ＩｎＧａＡｓバリア層４，６よりも直接遷移バンドギャップが狭いＳｉＧｅ層３，７とを備えるものとし、ＳｉＧｅ層３，７が接するＩｎＧａＡｓバリア層４，６の厚さを、ＩｎＡｓ量子ドット５と一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６とによって決まる量子準位のバンドギャップよりも量子準位のバンドギャップが狭くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

本発明は、分子線エピタキシーによって半導体ヘテロ構造を製造するための方法に関するものであり、以下のステップを有する。それらは、基板を第１の真空チャンバに導入するステップと、基板を第１の温度に加熱するステップと、第１のエピタキシャル層を生成するステップであって、当該層は、III族およびV族典型元素の２元、３元または４元化合物を含む第１の材料を含み、少なくとも１つの分子線から堆積されるステップと、前記基板を第２の温度に冷却するステップであって、III族およびV族典型元素の分子線を遮るステップと、基板を第３の温度に加熱するステップと、第２のエピタキシャル層を生成するステップであって、当該層は、III族およびV族典型元素の２元、３元または４元化合物を含む第２の材料を含み、少なくとも１つの分子線から堆積されるステップとである。さらに、本発明は、ここで述べた方法によって得ることができる半導体素子に関する。
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【課題】高次横モードの発振を抑制しつつ、基本横モードを高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部１８を構成する。メサ部１８上面に形成された横モード調整部２３において、２回回転対称または４回回転対称の４つのピークＰを含む１次モードが生じる領域との対向領域のうち、電流注入領域１５Ｂの中心点Ｃ１との対向領域を除く領域を間にして対向する２つのピークＰに対応する特定領域２３Ｄでの反射率Ｒ₂が、電流注入領域１５Ｂの中心点Ｃ１との対向領域を含む領域での反射率Ｒ₁よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】低コスト性および高信頼性を維持しつつ、光デバイスの利用性を拡大しうる実装体を提供する。
【解決手段】実装体Ａは、母基板１の上方に、光デバイス１０をフリップチップ状態で搭載したものである。母基板１の上面には、第１，第１配線パッド５，６が設けられ、母基板１には開口１ａが形成されている。光デバイス１０の主面側には、ｐ電極１５，ｎ電極１６が設けられている。光デバイス１０と母基板１との間に、光透過性樹脂内に鎖状金属粒子３１を分散させたＡＣＦ３０が介在している。ＡＣＦ３０中の鎖状金属粒子３１により、ｐ型電極１５，ｎ型電極１６と、第１，第２配線パッド５，６とがそれぞれ電気的に接続されている。鎖状金属粒子を分散させたＡＣＦ３０は、チップボンディング機能、電気的接続機能に加え、光の通路としても機能する。 （もっと読む）

【課題】電気変換効率が高い半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザ装置において、活性層をp側クラッド層側に設けると共にn側ガイド層の屈折率をp側ガイド層の屈折率よりも高くする。n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層が、アンドープの層またはドープ量が抑制された層である。n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層の厚さの合計Dudpが、半導体レーザ装置の発振波長の0.5倍以上、かつ2μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】注入電流の流れが良好に行われると共に、トンネルダイオードでの電圧降下の低減によって寿命向上を図ることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｐ⁺型接合層４ａとｎ⁺型接合層４ｂとにより構成されるトンネルダイオード構造４を備えた構造とすることで、レーザ構造の多層化による光出力の増大（高出力化）を図る。そして、このようなトンネルダイオード構造４を構成するｐ⁺型接合層４ａとｎ⁺型接合層４ｂとの接合界面を凹凸形状とする。これにより、ｐ⁺型接合層４ａとｎ⁺型接合層４ｂとの接合界面での接合面積を従来のような平坦構造と比較して増大させることが可能となり、その分キャリアを通過させ易くなる。したがって、注入電流の流れがより良好に行われるようになり、トンネルダイオード構造４での電圧降下の低減を図れ、寿命向上を図ることができるエピスタック構造の半導体レーザとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ストライブ幅と平行方向の不要な共振を抑制することで、光強度ピークを抑制できる構造の半導体レーザを提供する。
【解決手段】電流ブロック層８に形成したコンタクトホール８ａをレーザ光の出力方向に対して平行に複数に分割したストライプ状に並べた開口パターンとする。これにより、コンタクトホール８ａを一つのライン状とした場合と比較して利得分布が変わる。すなわち、利得分布をストライプ幅方向において部分的に低下させることができる。このため、ストライプ幅方向の不要な共振が無くなり、かつ、それによって注入電流分布も均一にすることができる。したがって、ストライブ幅と平行方向の不要な共振を抑制でき、光強度ピークを抑制できる構造の半導体レーザとすることが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの光学モードを有する光キャビティ（１０）であって、少なくとも１つの透過性を有する反射器（１２）と、量子井戸（２１，２２）の第一の組（２０）と、上記第一の組（２０）の上記量子井戸（２１，２２）の電気的注入手段（３１，３２，３３）とを備えている光キャビティ（１０）を備えている光（２）放射システム（１）に関する。上記第一の組（２０）の上記量子井戸（２１，２２）は、それらの電子的共鳴の少なくとも１つが、上記光キャビティ（１０）の光学モードとの強結合系であるように配置されているとともに、励起子−ポラリトン混在モードに従って光（２）を放射するように配置されている。このシステム（１）において、上記光キャビティ（１０）は、上記電気的注入手段（３１，３２，３３）の直接的範囲の外側に配置されている量子井戸（４１，４２，４３，４４，４５）の第二の組（４０）を更に備え、上記第二の組（４０）は、それらの電子的共鳴の少なくとも１つが、上記光キャビティ（１０）の上記励起子−ポラリトン混在モードとの強結合系中にあるように、上記第一の組（２０）の上記量子井戸（２１，２２）に関連して配置されている。
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【課題】光出力、静電放電による耐性、生産性を改善し、単一横モードで動作する面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、下部ＤＢＲ２２には、ＡｌＡｓ等の第１の被酸化Ａｌ含有層４０が形成され、上部ＤＢＲ２６には、ＡｌＡｓ等の第２の被酸化Ａｌ含有層５０が形成され、第１の被酸化Ａｌ含有層４０は、第２の被酸化Ａｌ含有層５０よりも活性領域から離れた位置にある。第１の被酸化Ａｌ含有層４０第１の非酸化領域４４の大きさは、第２の被酸化Ａｌ含有層５０の第２の非酸化領域５４の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、かつ第１の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより小さく、第２の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の単一モード発振となる最大の大きさより大きく、第１の非酸化領域の大きさは、第２の非酸化領域の大きさと同等もしくはそれより大きい。 （もっと読む）

本発明は第１の共振器ミラー（２）と第２の共振器ミラー（４）と放射を発生させる活性領域（３）とを有する半導体ボディを含む垂直放射（７）形の表面放射半導体レーザ素子に関する。第１の共振器ミラー（２）は、交互に積層された第１の組成の第１の層（２ａ）と第２の組成の第２の層（２ｂ）とを有しており、記第１の層（２ａ）は酸化領域（８ａ）を有しており、少なくとも第１の層（２ａ）はそれぞれドーパントを含んでおり、
少なくとも第１の層（２ａ）の１つの層（２１ａ）のドーパント濃度は他の第１の層（２ａ）のドーパント濃度とは異なる。
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【課題】ＦＦＰパワー依存性を縮小しつつキンクレベルの低下を抑制可能な半導体レーザ素子および半導体レーザを提供すること。
【解決手段】積層されたｎ型クラッド層２Ａ，２Ｂ、活性層３Ａ，３Ｂ、および積層方向と直角である出射方向に延びるリッジ部４１Ａ，４１Ｂが形成されたｐ型クラッド層４Ａ，４Ｂと、リッジ部４１Ａ，４１Ｂを挟み、かつリッジ部４１Ａ，４１Ｂとは屈折率が異なる電流狭窄層５Ａ，５Ｂと、を備える半導体レーザ素子Ａ１，Ａ２であって、リッジ部４１Ａ，４１Ｂは、出射方向中央寄りに位置する広幅部４４Ａ，４４Ｂ、出射方向端寄りに位置し広幅部４４Ａ，４４Ｂよりも幅が狭い狭幅部４２Ａ，４２Ｂ、および広幅部４４Ａ，４４Ｂおよび狭幅部４２Ａ，４２Ｂを繋ぐテーパ部４３Ａ，４３Ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、支持基板１と、支持基板１上に形成されたｐ側オーミック電極１５と、ｐ側オーミック電極１５上に形成され、活性層１２を含む半導体層１０ａとを備え、ｐ側オーミック電極１５は、Ａｇを主成分とし、約０．６質量％のＰｄと、約０．９質量％のＣｕとを含有するＡｇ合金材料からなるＡｇ合金層１５ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有半導体層を有する水平共振器・垂直出射型半導体レーザ素子において、Ａｌ含有半導体層の酸化に起因する光出力特性の劣化を抑制する。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板１０１の主面上には、下層から順に下部クラッド層１０２、活性層１０３および上部クラッド層１０４が積層されている。上部クラッド層１０４は、高濃度のＡｌを含有するＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰで構成されている。上部クラッド層１０４の上部には、上部クラッド層１０４に含まれるＡｌの酸化を防止する機能を兼ね備えた出射面層１０５が形成されており、この出射面層１０５の上部には、電極コンタクト層１０６が形成されている。出射面層１０５は、ＩｎＧａＰで構成されており、電極コンタクト層１０６は、ＧａＡｓで構成されている。 （もっと読む）

【課題】活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 （もっと読む）

【課題】室温において単一波長で発振可能であるとともに、安定して動作することが可能な量子カスケードレーザ素子を備えた面発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】面発光装置１は、ヒートシンク８０と、面発光素子２とを備えている。面発光素子２は、ｎ−ＩｎＰ基板１０と、量子カスケード活性層３０と、ｎ−ＩｎＧａＡｓバッファ層２０およびｎ−ＩｎＧａＡｓガイド層４０と、ｎ−ＩｎＧａＡｓバッファ層２０およびｎ−ＩｎＧａＡｓガイド層４０と積層され、量子カスケード活性層３０と独立したフォトニック結晶層５０と、量子カスケード活性層３０と積層するように形成された表面電極６０と、表面電極６０に接続される金属パッド７０とを含む。そして、金属パッド７０とヒートシンク８０とがはんだ層９１を介して接続されることにより、面発光素子２はヒートシンク８０に搭載されている。 （もっと読む）

本発明の目的は、高質ビーム又は低いM2因子の両方及び低減されたミラーの厚さを有するVCSELを提供することであり、該ミラーの厚さは、その低減された厚さによって熱消散及び生産コストを改善する。レーザー・キャビティから見たように、ブラッグ反射器の遠位側の終わりにある金属反射体と組み合わせたブラッグ反射体を利用することが提案されており、その金属反射体は、光軸の周りの中心に局所的に配置される。
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【課題】結晶欠陥の発生を防止し、特性が劣化しない範囲で、ＴＭモード発振が行えるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、ｎ型ＡｌＧａＡｓビーム拡散層３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＡｓビーム拡散層７、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層８、ＩｎＧａＰエッチングストップ層９、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１０、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１が形成されている。ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】面内バラツキの少ない凸部を設ける方法を含み、活性層で発生した光が素子製造用基板に吸収されることの無い半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】素子製造用基板の｛１００｝面に＜１１０＞方向と平行に延びる凸部を形成し、次いで、凸部の頂面上に発光部を形成し、最終的に素子製造用基板を除去する工程を含み、凸部形成工程は、（ａ）素子製造用基板１１０の主面に、＜１１０＞方向と平行に延びるマスク層１６１を形成した後、（ｂ）エッチング液を用いてウェットエッチングを行い、断面形状が等脚台形であり、側面の傾斜角がθ_Uである凸部上層を形成し、次いで、（ｃ）エッチング液の温度を変えて、マスク層及び凸部上層の側面をエッチング用マスクとして用いてウェットエッチングを行い、等脚台形であり、且つ、側面の傾斜角がθ_D（但し、θ_D≠θ_U）である凸部下層を形成する各工程から成る。 （もっと読む）