【課題】埋込型レーザダイオードの応力劣化および特性変動を防ぐ。
【解決手段】電流狭窄層１８を多層構造として電流狭窄層１８のＡｌ組成値の平均化を容易にした上で、リッジ部９の平均のＡｌ組成値と電流狭窄層１８の平均のＡｌ組成値を等しくする。その結果、活性層３にかかる内在応力を最低限の値とし、素子内の温度変動による応力変化も抑えることができるため、応力によるレーザダイオードチップの劣化を防ぎ、素子の応力劣化や特性変動を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】主射出端面側において各発振波長に対する反射率を所定の範囲に容易に設定可能な多波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】発振波長の異なる第１発光部１１および第２発光部１２と、第１発光部１１および第２発光部１２の各主射出端面に共通に形成された低反射膜１４とを有する。低反射膜１４は、第１発光部１１および第２発光部１２の側から順に、第１誘電体膜１４Ａ（屈折率ｎ１）、第２誘電体膜１４Ｂ（屈折率ｎ２）および第３誘電体膜１４Ｃ（屈折率ｎ３）を含み、屈折率ｎ１〜ｎ３は、ｎ３＜ｎ１＜ｎ２の関係を満たしている。第１誘電体膜１４Ａ、第２誘電体膜１４Ｂおよび第３誘電体膜１４Ｃの各光学膜厚の変化に対する各発振波長における反射率の変化が緩やかになる。 （もっと読む）

【課題】 活性層の禁制帯幅の温度変化を小さくした発光装置を提供すること。
【解決手段】
温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。 （もっと読む）

【課題】発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができ、個別に光量検出を行うことが可能な受発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る受発光装置１００は、光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上方に形成された第１クラッド層１０４と、第１クラッド層１０４の上方に形成された活性層１０６と、活性層１０６の上方に形成された第２クラッド層１０８と、を含み、活性層１０６のうちの少なくとも一部は、利得領域１６０を構成し、利得領域１６０は、活性層１０６の第１側面１０５側の端面１７０と、第１側面１０５に対向する活性層１０６の第２側面１０７側の端面１７２と、を有し、第１側面１０５側の端面１７０および第２側面１０７側の端面１７２の少なくとも一方は、出射面であり、利得領域１６０に生じる光の一部は、第１クラッド層１０４内を通過して、光吸収層１０３に至り、受光される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓコンタクト層の厚さが２０ｎｍ程度以下である７８０ｎｍ帯又は７８０ｎｍ帯以下に発光波長を有する面発光レーザにおいて、ＧａＡｓコンタクト層がダメージを受けることによるコンタクト抵抗の増大や黒色化現象を回避し、低抵抗で安定した特性が得られる面発光レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１上に、下部半導体多層膜反射鏡３、下部スペーサ層４、活性層５、上部スペーサ層６、上部半導体多層膜反射鏡８、コンタクト層９を順に積層した積層膜を形成する積層膜形成工程と、コンタクト層９上に化合物半導体を含む第１の保護膜１０を形成する第１の保護膜形成工程と、積層膜の形状を加工する形状加工工程と、形状加工工程の後、第１の保護膜１０をエッチングしてコンタクト層９を露出させる第１の保護膜エッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子および受光素子をモノリシックに集積することができ、個別に光量検出を行うことが可能な受発光装置を提供する。
【解決手段】受発光装置１０００において、発光素子１００は、第１部分と、ミラー部と、を有し、第１部分は、少なくとも、第１クラッド層１０４と、第１クラッド層の上方に設けられた活性層１０６と、活性層の上方に設けられた第２クラッド層１０８と、を構成し、活性層の少なくとも一部は、光導波路１４２，１４４を構成し、活性層は、光導波路において、光を生じ、光導波路は、ミラー部の側方に設けられ、光導波路に生じる光を反射させる反射面と、活性層の側面に設けられ、前記光導波路に生じる光を出射する出射面と、を有し、受光素子２００は、光吸収層２０６を有し、反射面を透過した光の一部であって、ミラー部によって光吸収層の方向に向かって回折された光を受光する。 （もっと読む）

【課題】偏光の安定を図ることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有している。基板上には、上部ＤＢＲ１０８から下部ＤＢＲ１０２に至るポストＰが形成され、ポストＰの頂部には、出射領域１１２を挟んで対向する位置に２つの凹部１１０Ａ、１１０Ｂが形成されている。２つの凹部１１０Ａ、１１０Ｂの出射領域１１２側の側壁には凹凸を含むフィン形状１３０がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。積層構造２０は柱状のメサ部２１を有する。下部ＤＢＲミラー層１１内の下部第２ＤＢＲミラー層１３は、発光領域１６Ａと対応する領域の周辺に酸化部３０を有する。酸化部３０は、発光領域１６Ａを中心にして回転する方向に不均一に分布する一対の酸化部３１，３２からなる。酸化部３１，３２は、低屈折率層１３Ａの中の相対的に酸化されやすい複数の屈折率層を酸化することにより複数の酸化層３１Ａ，３２Ａとして形成されている。酸化層３１Ａ，３２Ａの不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１６に発生する。 （もっと読む）

【課題】二波長半導体レーザ装置に含まれる２つのレーザ部間相互の電気的特性の相違を緩和させる。
【解決手段】二波長半導体レーザ装置において、同一基板上において第１発光波長を有する第１レーザ部と第２発光波長を有する第２レーザ部とが形成されており、第１と第２のレーザ部の各々は基板側から第１導電型クラッド層、活性層、および第２導電型クラッド層をこの順で含み、第１と第２のレーザ部に含まれる活性層は互いに異なるバンドギャップを有し、第１と第２のレーザ部における活性層と第２導電型クラッド層とのバンドギャップの差がそれぞれＥｇ１とＥｇ２であってＥｇ１＞Ｅｇ２の関係にあり、そして第１レーザ部の第２導電型クラッド層は第２レーザ部の第２導電型クラッド層に比べて大きな導電率を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は波長の異なる複数種のレーザ光を生成できる多波長レーザ素子及びその製造方法に関し、消費電力の低減を図ることを課題とする。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に下部ミラー層１８〜２１を積層してなる第１のミラー部１２と、活性層２２を有し第１のミラー部１２上に積層された活性層部１３と、この活性層部１３上に上部ミラー層２５〜２８を積層してなる第２のミラー部１４と、活性層部１３に給電を行うための一対の電極１５，１６とを有する。また、活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分に第１の電極１６を形成し、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分に第２の電極１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の偏光と広がり角の双方の特性を両立させながら、両者を個別に制御することができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ半導体基板と、ｎ型下部ＤＢＲと、活性領域と、ｐ型の電流狭窄層と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０８と、ｐ側電極１１２と、基板裏面のｎ側電極とを備えている。電流狭窄層の酸化アパーチャ１０６ｂは、長軸と短軸とを有する楕円形状を有している。ｐ側電極に形成された開口部１１２は、酸化アパーチャの方位と同じ方向に長軸と短軸を有する楕円形状であり、開口部１１２の長軸方向の端面形状１１２ａはテーパ形状に加工されている。 （もっと読む）

本発明の目的は、レーザーダイオードのパワー安定化を単純化することにある。この目的のために、ダイ及び前記ダイ上の第１のレーザーダイオード及び第２のレーザーダイオードを有する成るレーザー装置が、提供される。前記第２のレーザーダイオードは、この第１の半導体レーザーのキャビティがレーザー光を発するに十分な供給電圧が印加された場合のレージングを回避する構造又は要素を有している。
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【課題】複数の選択酸化層の酸化を個々に制御可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。第１の選択酸化層１０６Ａに隣接する第１の酸化レート調整層１０６Ｂ（ＡｌＧａＡｓ）のＡｌ組成は、第２の選択酸化層１１０Ａが隣接する第２の酸化レート調整層１１０ＢのＡｌ組成よりも大きく、その結果、第１の選択酸化層１０６Ａの酸化アパーチャーの径が第２の選択酸化層１１０Ａの酸化アパーチャーの径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体光検出素子による自然放出光の検出レベルを低減することにより、光検出精度をより向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子５０と、半導体光検出素子１０との間に、金属層２０、透明基板３０および金属層４０が挿入されており、発光領域５３Ａと光吸収層１１との距離が長くなっている。これにより、発光領域５３Ａで発生した光に含まれる自然放出光Ｌ₂のほとんどが光吸収層１１に到達しない方向に向かい、金属層２０，４０で反射される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料と半導体材料との密着性を向上させることの可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含む柱状のメサ部１７が設けられている。メサ部１７の上面には、環状の上部電極２１が設けられており、メサ部１７の周囲には、上部電極２１に電気的に接続された電極パッド２３が設けられている。電極パッド２３の直下に台座部２６が設けられている。台座部２６は、酸化半導体からなる凹凸部２６Ａと、低誘電率材料からなる埋め込み部２６Ｂとを有している。凹凸部２６Ａは凹凸構造を有しており、埋め込み部２６Ｂはその凹凸構造の凹凸を埋め込むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザの活性層のＰＬピーク波長を精密に測定し制御することが可能な面発光レーザの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の面発光レーザの製造方法は以下の工程を有する。基板１上に、多層膜反射鏡１１と、当該多層膜反射鏡１１上に積層された、（２ｎ＋１）λ／４（ｎは自然数、λは波長）共振器長を有する共振器１２と、を有する第１のキャリブレーション構造を形成する第１の工程。第１のキャリブレーション構造における活性層５のフォトルミネッセンス測定から発光ピーク波長を求める第２の工程。活性層５の発光ピーク波長が所定の波長となるように、活性層５の形成条件を調整する第３の工程。第３の工程で得られた活性層５の形成条件に基づき、活性層を含む共振器と当該共振器の上下に設けられた多層膜反射鏡とを有する面発光レーザを形成する第４の工程。 （もっと読む）

【課題】 熱飽和現象が抑制された光出力の高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置は、活性層４の下方にＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ａｓからなるｎ型クラッド層２を、活性層４の上方に（Ａｌ_ｘ Ｇａ_１−ｘ ）_ｙ Ｉｎ_１−ｙ Ｐからなる障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６をそれぞれ備えている。障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６はｎ型クラッド層２よりも多くの構成元素を含み、障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差は、ｎ型クラッド層２と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差よりも大きい。活性層４からｐ型クラッド層６へのキャリアのオーバーフローを抑制するとともに、ｎ型クラッド層２に熱伝導率の高い材料を用いて熱飽和現象を抑制することにより、光出力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の特性を向上させるとともに、光軸調整にかかるコストを低減することが可能な集積型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この集積型半導体レーザ素子は、発光領域１３を含むとともに、リッジ部８を有する青紫色レーザ素子１１０と、発光領域３４を含むとともに、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａを有する赤色レーザ素子１２０とを備えている。そして、リッジ部８は、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａに嵌め込まれており、発光領域１３と発光領域３４とは、半導体層の積層方向の同一線上に配置されている。 （もっと読む）

半導体構造体は、基板（１２）と、基板（１２）の上面を覆うシード層（１６）と、シード層（１６）を覆って配置される半導体層（２０）と、半導体層（２０）中のトランジスタデバイス（２２、２４）とを備え、基板（１２）はその中に開口部（４２）を備え、該開口部（４２）は基板（１２）の底面から延在して、シード層（１６）の底面で終端し、光電気構造体（４４）はシード層（１６）の底面上に配置される。 （もっと読む）

【課題】ファブリペロー共振器を有し、その端面が、劈開面によって構成される半導体レーザにおける活性層に近接する側の電極の端縁による短絡、リークの発生を効果的に回避する。
【解決手段】第１のクラッド層１１と、活性層１２と、第２のクラッド層１３と、活性層１２に近接する位置に形成された電極２１と、を有するものとする。そして電極２１のファブリペロー共振器長方向の両端縁は、共振器長方向の両端面を形成する半導体端面より、内側に入り込んだ位置に形成され、さらに電極２１は、活性層１２から１μｍ〜２μｍの位置に形成されている半導体レーザとする。 （もっと読む）