【課題】超短パルスのレーザ光を出力し得る構成、構造を有する電流注入型の半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）光密度が、１０ギガワット／ｃｍ²以上であり、且つ、キャリア密度が１×１０¹⁹／ｃｍ³以上である電流注入型のモード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）モード同期半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系１１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる光半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１上に、分離溝１３で互いに分離された光半導体素子１４，１５を形成する。光半導体素子１４，１５の上面に、Ｐｔを含む電極２１，２２をそれぞれ形成する。電極２１，２２に電気的に接続された電極２４を形成する。電極２４を給電層とした電解メッキ法により電極２１，２２上にＡｕメッキ層２６，２７をそれぞれ形成する。Ａｕメッキ層２６，２７を覆うレジスト２３をフォトリソグラフィにより形成する。レジスト２３をマスクとして電極２４をエッチングして電極２１と電極２２を電気的に分離する。電極２４を形成する際に、分離溝１３内に電極２４が形成されないようにする。 （もっと読む）

【課題】光出力の低減を抑制しつつ比較的に低い閾値電圧で駆動可能な半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の作製方法とを提供する。
【解決手段】端面発光型の半導体レーザ素子１１であって、六方晶系半導体からなる支持基体１の主面１ａの上に設けられた活性層３と、活性層３上に設けられたｐ型窒化物半導体領域４と、ｐ型窒化物半導体領域４上に設けられたＩＴＯ電極５ａと、を備え、ｐ型窒化物半導体領域４のｐ側クラッド層４ｃは、０．１８μｍ以上０．２２μｍ以下の範囲の膜厚を有し、ＩＴＯ電極５ａは、活性層３の発振波長の光に対し２．５×１０^３ｃｍ^−１以上３．０×１０^３ｃｍ^−１以下の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】半極性面上に良好な物理的接触を成す電極の形成とリッジ構造の形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法が提供される。
【解決手段】エッチング装置１０ｆにおいて、リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４３を形成する。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で行われる。エッチングは摂氏３００度以下の基板温度で行われる。ハードマスク４３を形成した後に、マスク４１を除去することができる。基板主面１１ａ及び半極性主面１３ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜することができる。この傾斜の角度範囲では、半極性主面１３ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４３を用いて半導体積層１３及び金属膜３３のエッチングを行って、金属層４５と窒化物半導体領域４７とを形成する。窒化物半導体領域４７は半導体リッジ４９を含む。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザチップと、前記面発光レーザチップの側面と接続される誘電体基板と、を有し、前記面発光レーザチップには、前記光を出射する一方の面には信号電極が形成され、前記信号電極が形成されている面とは反対側の他方の面には裏面グランド電極が形成されており、前記誘電体基板の一方の面には、前記信号電極と接続される信号用の伝送線路が形成されており、前記信号電極と前記信号用の伝送線路が接続されていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】新規な構造の分布反射レーザ装置である半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１半導体層と、第１半導体層上の第１領域に形成された活性層と、第１半導体層上の第２領域に形成され、活性層から放出された光を導波する光導波層と、活性層および光導波層の近傍に配置され、活性層および光導波層を伝わる光を導波方向に反射させる回折格子と、活性層上および光導波層上に形成された第２半導体層と、光導波層上方で、第２半導体層上に形成された絶縁層と、第２半導体層上方に形成され、活性層上方から光導波層上方に延在し、活性層上方では第２半導体層に電気的に接続し、光導波層上方では第２半導体層との間に絶縁層が介在し、光導波層側に延在した部分に電圧が印加される電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、略平坦な表面１０ｂと、表面１０ｂの反対側に形成された表面１０ａと、表面１０ｂと表面１０ａとの間に形成された活性層１２とを含む半導体レーザ素子部１０と、半導体レーザ素子部１０の略平坦な表面１０ｂ上に形成されたｎ側電極３０とを備える。そして、ｎ側電極３０は、表面１０ｂと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面３０ｂと、下面３０ｂの反対側に形成された上面３０ａと、上面３０ａに形成されるとともに下面３０ｂに向かって窪む凹部３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び信頼性を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、Ｎ型半導体層３、活性層２及びＰ型半導体層１と共に積層され、多層金属からなるＰ側電極層４と、前記積層の側面に形成され、光学的損傷を防ぐための端面保護膜１３と、を備え、前記端面保護膜１３は、前記Ｐ側電極層４の少なくとも１層を拡散質である金属薄膜として、拡散媒となりにくい物質からなる保護膜５と、前記拡散媒となる物質からなり、前記金属薄膜と接しないように前記保護膜５上に形成される拡散媒膜６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】各レーザ素子のサーマルクロストーク特性を均一なものにし、レーザ素子間のレーザ光出力差を低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ストライプ状のリッジ部を有するレーザ発光部ＬＤ１〜ＬＤ４が、並列配置されている。素子間分離溝配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの各領域における斜線部が、配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと各レーザ発光部ＬＤ１〜ＬＤ４のリッジ部上のリッジ電極とが電気的に接続される。内側レーザ発光部ＬＤ２、ＬＤ３よりも、外側レーザ発光部ＬＤ１、ＬＤ４の両側に形成される２つの素子分離溝間の幅を狭くしていくことにより、サーマルクロストークの差を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】素子特性を低下させることなく、長寿命化を図ることができる面発光レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び被選択酸化層を含む上部反射鏡が積層された積層体にメサ構造体を形成し（Ｓ４０３）、被選択酸化層の一部を酸化してメサ構造体に電流通過領域を形成し（Ｓ４０５）、電流通過領域を介して活性層に電流を供給するための電極を形成し（Ｓ４１３）、通常のＥＳＤ試験装置と同等の構成を持つ装置を用いて、ｐ側電極とｎ側電極との間に静電耐圧以下の電圧を印加する（Ｓ４２１）。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザバーの側面に保護膜を作製する際に、スペーサによってストライプ状電極に付される傷を低減する。
【解決手段】ストライプ状電極１８及びボンディングパッド２０を半導体積層構造１４上に形成する工程と、基板を切断することにより複数の半導体レーザバー３０を形成するバー形成工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂが載置面４０の法線方向を向くように複数の半導体レーザバー３０を載置面４０上に並べるとともに、複数の半導体レーザバー３０の間にスペーサ４２を配置する工程と、複数の半導体レーザバー３０の側面３０ｂを覆うように保護膜３２を形成する工程とを行う。バー形成工程より前に、主面１２ａを基準とする高さがストライプ状電極１８より高い膜状構造体２２を、複数の半導体レーザバー３０となる半導体積層構造１４の複数の部分それぞれの上に形成する。 （もっと読む）

【課題】接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の下面上に形成され、非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１とＡｌ層３３とを有するオーミック電極層３０と、オーミック電極層３０のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に形成されたＡｕ層４１を有するパッド電極層４０と、オーミック電極層３０とパッド電極層４０との間に形成されたＰｄからなるバリア層３５とを含むｎ側電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】可飽和吸収領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第３化合物半導体層と第２化合物半導体層が積層されて成り、リッジストライプ構造を有する積層構造体、第２電極並びに第１電極を備え、第２電極は、発光領域に直流電流を流す第１部分と可飽和吸収領域に電界を加えるための第２部分とに分離溝によって分離されており、リッジストライプ構造の両側には第２化合物半導体層露出領域が設けられており、発光領域を構成する第３化合物半導体層の部分から第２化合物半導体層露出領域の頂面までの平均距離をＬ_1-ave、第２電極の第２部分と分離溝との境界において第３化合物半導体層の部分から第２化合物半導体層露出領域の頂面までの距離をＬ₂としたとき、１＜Ｌ₂／Ｌ_1-aveを満足する。 （もっと読む）

【課題】水素の移動による素子寿命の短縮を改善可能な窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体領域１３−１は第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。第２領域１３ｂ−１は第１領域１３ａ−１に沿って延在する。第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触する。金属層１９−１は、水素を吸蔵可能にする格子欠陥を高密度で有しており、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。 （もっと読む）

【課題】内側金属電極層を酸化から保護することにより、素子の抵抗値の上昇を防止して、動作電流などの素子特性の悪化を防止する。
【解決手段】内側金属電極層１３５と空気が接触する端面を含む部分を誘電体膜１４０，１４１でカバーすることにより、大気と内側金属電極層１３５との接触を完全に遮断することができる。したがって、従来のように内側金属電極層１３５の空気接触による酸化を防ぐことができるため、内側金属電極層１３５の酸化による劣化の発生を抑制できて、信頼性に優れた半導体レーザ素子２００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】メサ部を形成するためのエッチング深さを精度良く制御できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、エッチングマーカー層４２を半絶縁性基板２０上に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７をエッチングマーカー層４２上に順に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７に対してプラズマエッチングを行うことにより、所定の光導波方向に延びるメサ部２２〜２４を形成するメサエッチング工程とを備える。エッチングマーカー層４２のプラズマ発光強度は、該エッチングマーカー層４２に接するｎ型コンタクト層２１及び下部クラッド層２５のプラズマ発光強度より大きい。メサエッチング工程の際、プラズマ発光強度の変化に基づいてプラズマエッチングを停止する。 （もっと読む）

【課題】自励発振に関わる特性と、通常の半導体レーザとしての特性との両立した窒化物半導体レーザ素子を提供する。
を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層と活性層とｐ型窒化物半導体層とｎ側電極とリッジストライプを有する共振器とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、リッジストライプは、共振器の長手方向に並列する、第１のリッジストライプと第２のリッジストライプとからなり、第１のリッジストライプ上に形成された第１のｐ側電極と第２のリッジストライプ上に形成された第２のｐ側電極とを有し、第１のｐ側電極と第２のｐ側電極とは、互いに電気的に分離されており、第２のｐ側電極は、該第２のリッジストライプの側面に露出したｐ型窒化物半導体層に接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電性酸化物を用いた半導体レーザ素子において、電気特性を改善することにより、電力効率を向上させ、信頼性の高い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、前記基板上に、第１導電型半導体層１２と、活性層１４と、第２導電型半導体層１６とが順に積層された半導体層と、前記第２導電型半導体層の上面に形成されたストライプ状のリッジ１８と、前記リッジの上面に形成された導電性酸化物層２０と、前記リッジの側面に形成された、前記半導体層よりも屈折率が低い誘電体層２４と、前記導電性酸化物層及び前記誘電体層を覆うように形成された金属層２２とを備え、前記導電性酸化物層の表面は前記誘電体層から露出し、かつその側面は、前記リッジの上面に対する法線方向から傾斜しており、前記導電性酸化物層の側面の傾斜角度は、前記リッジ側面の、前記法線方向からの傾斜角度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】安価で簡単に製造することができる高温特性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】フレーム１にモールド樹脂２によりリード３が固定されている。フレーム１上に半田４によりサブマウント５が接合され、サブマウント５上に半田６により半導体レーザチップ７が接合されている。このようにフレーム１とサブマウント５が半田４により接合されているため、放熱性を改善できる。そして、耐熱温度が半田４，６の融点よりも高いモールド樹脂２を用いている。このため、積載されたフレーム１、サブマウント５、及び半導体レーザチップ７を加熱して半田４，６を溶融させて、フレーム１、サブマウント５、及び半導体レーザチップ７を互いに同時に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性を確保しつつ、歩留まりを向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】サブマウント１２上に半田１１を介してジャンクションダウンで半導体レーザ１が実装されている。半導体レーザ１は、ｎ型ＧａＮ基板２と、ｎ型ＧａＮ基板２上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造３と、半導体積層構造３上に形成された電極８とを有する。電極８は、半田１１を介してサブマウント１２に接合されている。サブマウント１２と半導体積層構造３との間において電極８の周りを囲むように高融点金属膜１０が配置されている。 （もっと読む）