【課題】逆方向に流れる電流の値が小さい半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に設置された治具４０に半導体レーザチップ４２を取り付ける。次に、半導体レーザチップ４２を加熱する。さらに、治具４０に設置された熱電対３８を用いて半導体レーザチップ４２の温度を測定する。続いて、半導体レーザチップ４２の端面４８ａ上に、電子ビームＡ１による真空蒸着法を用いて保護膜５８ａを形成する。ここで、半導体レーザチップ４２の温度が所定の温度以上となったときに保護膜５８ａの形成を開始する。このようにして、半導体レーザ６０を製造する。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高出力の駆動においても十分な信頼性を得ることができる窒化物半導体発光素子およびその窒化物半導体発光素子を製造するための窒化物半導体発光素子の製造方法、ならびに信頼性を向上することができる窒化物半導体トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されており、コート膜はアルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含む窒化物半導体発光素子と、その窒化物半導体発光素子の製造方法である。また、窒化物半導体層と窒化物半導体層に接するゲート絶縁膜とを含み、ゲート絶縁膜がアルミニウムの窒化物結晶またはアルミニウムの酸窒化物結晶を含む窒化物半導体トランジスタ素子である。 （もっと読む）

【課題】酸化狭窄型面発光レーザ素子の信頼性を向上する
【解決手段】酸化狭窄型面発光レーザ素子１０のメサポスト３０の側面には、半導体再成長層３８及びＳｉＮｘ層４０が形成され、その上にポリイミド層２８が形成されている。半導体再成長層３８は、メサポスト３０の側面から酸素が侵入して、活性層１８を酸化させ劣化させることを防止する。 （もっと読む）

【課題】真空吸引装置に最適に適合すると共に、小型電子素子の大きさの違いにも適合可能な整列装置を提供する。
【解決手段】動作状態で負圧を形成する吸着面７１Ｐを突出形成してなる真空吸引装置ＷＫと組合せて使用される整列装置ＪＧである。略直方体状のＬＤバーを収容する中央開口１０を有し、吸着面７１Ｐを取り囲むように真空吸引装置ＷＫに載置される平面略ロ字状の下側部材１と、下側部材１に重合されて下側部材１と一体化される平面略ロ字状の上側部材２と、中央開口１０を狭めるよう調整可能な押圧具６と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】とりわけ時間的に特に安定したレーザエミッションを有する光ポンピングされる面発光半導体レーザ及びこのような半導体レーザを有する光学的プロジェクション装置を提供することである。
【解決手段】上記課題は、光ポンピングされる面発光半導体レーザにおいて、モード選択装置が半導体レーザの予め設定可能な比較的高い共振モードの抑圧のために設けられており、この半導体レーザにおいてモード選択装置は固定的に半導体レーザの半導体ボディに結合されていることによって解決され、さらに、光学的プロジェクション装置においては、上記光ポンピングされる面発光半導体レーザ及びこのような半導体レーザのための制御電子装置を有することによって解決される。 （もっと読む）

【課題】 光検出部を有すると共に、良好な高周波特性を有する電気光学素子および光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】 基板に形成されている発光素子部３０と、前記基板における発光素子部３０の形成側面であって発光素子部３０の形成領域以外に形成されている受光素子部（光検出部）４０と、発光素子部３０から受光素子部４０にわたって形成されている透明部材からなる透明層５１と、透明層５１の少なくとも上面における発光素子部３０の発光軸の近傍以外に形成されている反射層５２とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりが高くコストが低いリングレーザシステムを提供する。
【解決手段】中間層１０６の上に光コア１１０をエピタキシャル層成長により形成し、前記光コア１１０に隣接して多重量子井戸１１２を形成し、そして内部全反射体を含む外側構造体１１６を形成して構成されるリングレーザシステム３００を提供する。当該リングレーザシステム３００では、多重量子井戸１１２内部で形成された光子は、外側構造体１１６、多重量子井戸１１２及び光コア１１０を含んで成るリングレーザ構造内部で循環し、外側構造体１１６に付着した不連続部１１４から出射する。 （もっと読む）

ダイオードレーザーの前方ファセットおよび後方ファセットの製造方法は、酸素含量および水蒸気含量を予め決められた水準に調節するように第１室内部の雰囲気を調節し、第１室の調節された雰囲気内部でウェーハからダイオードレーザーを切断し、ダイオードレーザーの前方ファセットおよび後方ファセット上に予め決められた厚さを有する自然酸化物層を形成することからなる。切断後にダイオードレーザーを調節された雰囲気内部で第１室から第２室に移送し、ダイオードレーザーの前方ファセットおよび後方ファセット上に自然酸化物層を部分的に除去し、ダイオードレーザーの前方ファセットおよび後方ファセット上に非晶質表面層を形成し、ダイオードレーザーの前方ファセットおよび後方ファセットを不活性化する。
（もっと読む）

【課題】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、共振器端面を保護する端面コート膜の劣化を抑制可能にすることで、半導体レーザの信頼性向上を図る。
【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの共振器端面を形成する形成工程と、その共振器端面をコーティングする端面コート膜２３を成膜する成膜工程と、その端面コート膜２３にレーザ光を照射して当該端面コート膜２３に対するアニール処理を行うレーザアニール工程とを含み、アニール処理を行うことで端面コート膜２３の膜組成の溶融再結晶化を起こし、これによりその端面コート膜２３の膜組成の欠陥の低減を図る。 （もっと読む）

【課題】駆動初期においても有機物の分解が行われ、半導体レーザダイオードの共振器端面に有機物が付着せず、工程の管理を簡略化できる半導体レーザダイオードの構成を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード２０は支持体２１にマウント部２３が立設され、当該マウント部２３には半導体レーザダイオードチップ１５（図面ではＬＤチップ）がマウントされている。キャップ２４には窓２５が形成されており、半導体レーザダイオードチップ１５で生成されたレーザ光は当該窓２５から外部に放出される。この半導体レーザダイオードチップ１５の光出力側の共振器端面には光学薄膜層１６及び光触媒層１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、共振器端面への不純物ドープに依らずに窓構造を設けることで、ＣＯＤレベルの向上を図る。
【解決手段】Ｉｎを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの共振器端面２１を形成した後、その共振器端面２１を、Ｈ₂を含むプラズマ雰囲気またはＨ₂を含むラジカル雰囲気にさらし、その共振器端面２１の近傍からのＩｎ離脱を行って、これにより半導体レーザの活性層のバンドギャップＥｇを大きくする窓構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、共振器端面への不純物ドープに依らずに窓構造を設けることで、ＣＯＤレベルの向上を図る。
【解決手段】Ｉｎを含む窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法において、半導体レーザの共振器端面２１を形成した後、その共振器端面２１にレーザ光を照射して、その共振器端面２１の近傍からのＩｎ離脱を行って、これにより半導体レーザの活性層のバンドギャップＥｇを大きくする窓構造を形成する。 （もっと読む）

本発明は、光学ウェイブガイドと、少なくとも１つの色中心を備えるマテリアルとを有する光子源を提供する。各色中心は、光子放射のために設けられ、マテリアルは、マテリアルが光学ウェイブガイドに結合されるように生成され、使用の際に、各色中心によって放射された光子の少なくともいくらかが光学ウェイブガイドに導かれる。本発明は、また、少なくとも１つの色中心を備えるマテリアルと合体している光学ウェイブガイドを有する光子源を提供する。
（もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）