【課題】二次元フォトニック結晶を用いた半導体レーザにおいて、単純で造りやすい構造によって、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。
【解決手段】二次元フォトニック結晶による半導体レーザにおいて、二次元フォトニック結晶を構成する格子を矩形領域に円孔を配列させて形成し、この格子形成において矩形領域の外周部分である端部の構成を異ならせることで、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。単に矩形領域の外周部分である端部にのみにおいて構成を異ならせることによって出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとすることができ、また、格子配列は容易な円孔によって形成することができ、従来の構成のように作製が困難である三角形状や微小孔等の高い精度を要する加工を不要とすることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）１０００は、光出射面１から近い順に、ＡｌＮ膜４１と、Ａｌ_２Ｏ_３膜４２と、ＡｌＮ膜４３とが形成された誘電体多層膜である第１変質防止層４０と、第１変質防止層４０の光出射面１側とは反対側の表面に形成されたＡｌ_２Ｏ_３膜５１とを備える。そして、レーザ光の波長がλであり、ＡｌＮ膜４１、Ａｌ_２Ｏ_３膜４２およびＡｌＮ膜４３の屈折率が、それぞれ、ｎ１、ｎ２およびｎ３である場合に、ＡｌＮ膜４１の厚みｔ１、Ａｌ_２Ｏ_３膜４２の厚みｔ２およびＡｌＮ膜４３の厚みｔ３は、それぞれ、ｔ１＜λ／（４×ｎ１）、ｔ２＜λ／（４×ｎ２）およびｔ３＜λ／（４×ｎ３）に設定されている。 （もっと読む）

放射線をコリメートするための装置は、サブ波長次元の開口と、放射線を放出する能動または受動デバイスと統合された金属膜上に規定される、隣接する一組の溝とを含むことができる。レーザまたは他の放射線放出デバイスのファセット上へのビームコリメータの統合は、ビームのコリメーションおよび偏光選択を提供する。ビーム発散は、従来のレーザの出力と比較して２桁以上低減することができる。開口−溝構造を伴う能動ビームコリメータは、半導体レーザ（例えば、量子カスケードレーザ）、発光ダイオード、光ファイバ、およびファイバレーザ等の、広範囲の光学デバイスと統合することができる。
（もっと読む）

【課題】紫外から青色の波長の光を出射する光半導体素子を含み、発光強度が低下することなく長寿命の半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】光半導体素子として４５０ｎｍ以下の波長で発光する半導体レーザ素子１１と、該半導体レーザ素子１１が設置された基台１２ａとパッケージ本体１２ｂとからなるパッケージ１２と、パッケージ１２と共に半導体レーザ素子１１を覆い光学部材１３ａ及び金属部材１３ｂからなるキャップ１３とを備え、パッケージ１２とキャップ１３とによって密閉空間１４が形成されている。密閉空間１４に封入される気体は、酸素を１５％以上且つ３０％未満含み、露点が−１５℃以上且つ−５℃以下に管理された構成であることが好ましく、窒素又はアルゴン等の不活性気体を７０％以上含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥や不純物が極めて少ない高品質な結晶が実現され、高性能かつ高信頼なＩＩＩ族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（GaN基板１０１）と、III族窒化物半導体層（ｎ型ＧａＮ層１０２、ｎ型クラッド層１０４、ｎ型光閉じ込め層１０６）とから構成され、リッジ部１４０が設けられた構造体の上部に、レーザー構造をなす多層膜が積層されている。リッジ部１４０は、（０００１）面を有する頂面と、側面と、頂面と、側面とを結ぶ斜面とにより形成され、側面と斜面とのそれぞれの面方位の組み合わせが、（ａ）側面が｛１−１００｝面、斜面が｛１−１０１｝面または（ｂ）側面が｛１１−２０｝面、斜面が｛１１−２２｝面のいずれかである。リッジ部１４０の斜面及び側面の少なくともいずれか一方に発光領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光波形整形素子に関し、利得飽和や吸収飽和の起こる高いパワーレベルで使用する場合であっても、パターン効果を抑制し、信号の２Ｒ，３Ｒ再生を実現できるようにする。
【解決手段】光波形整形素子を、活性層３を有する半導体光導波路１０と、半導体光導波路１０の入射端面側に設けられた光増幅領域２０Ａと、半導体光導波路１０の出射端面側に設けられた光吸収領域２０Ｂとを備えるものとし、半導体光導波路１０を、入射端面及び出射端面の近傍領域の光閉じ込め係数が光導波方向の素子中央領域の光閉じ込め係数よりも大きくなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザチップ１などに代表される発光素子のチップの光出射側の端面の最表面に、出射される光の一部を吸収する光吸収膜５を形成することとする。このように光吸収膜５を形成することによって、出射される光によって反応して形成される汚染物質の付着及び堆積を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】光導波路が損傷するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子は、窒化物系半導体からなる基板１と、基板１上に形成され、Ｃ方向に延びる光導波路２ａが形成された窒化物系半導体からなる窒化物系半導体層２と、少なくとも光導波路２ａの劈開面７近傍を除く領域に、光導波路２ａの延びるＣ方向に沿って基板１の窒化物系半導体層２が形成された側とは反対側の表面に形成された素子分割用溝１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体バーの端面に形成された保護膜を破損することなく、交互に積層されているスペーサと半導体バーを円滑に分離する半導体素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 複数のレーザダイオードが長手方向に連設されて板状に形成されたＬＤバー２０と、ＬＤバー２０より長手方向に長いスペーサ２１とを交互に積層した状態で、ＬＤバー２０とスペーサ２１の露出面への一体的な成膜処理に供する整列治具１と、一体的な成膜処理を終えたＬＤバー２０及びスペーサ２１のうち、スペーサ２１の両端を積層方向に押圧してスペーサ２１を撓ませる分離プッシャー３ａ，３ｂと、分離プッシャー３ａ，３ｂを機能させた後、撓ませたスペーサ２１か、その上側に位置するＬＤバー２０ーを取り出すコレット４，５とを有する。 （もっと読む）

【課題】リッジ上の電極の剥がれを抑制し、電極に接続されるワイヤの剥がれを防止することで、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を含む積層半導体と、該積層半導体に形成されたストライプ状のリッジと、該リッジ上に形成された電極と、前記積層半導体に形成された共振器端面と、を有する半導体レーザ素子において、前記共振器端面から連続して積層半導体及び前記電極の上面を被覆する端面保護膜を有し、前記半導体レーザ素子の上面において、該端面保護膜が、共振器端面と反対側の端部に切り欠き部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】面取り構造という簡単な構造で、誘導放出によって増幅される光の閉じ込め効率を向上し、出射されるレーザ光の広がり幅を小さく制限すると共に、レーザ発光分布の広がりを防止する。
【解決手段】基板１１の表面上にハイメサ導波路構造１３が形成された半導体レーザ素子１０において、ハイメサ導波路構造１３における活性層１４内で誘導放出によって増幅される光を閉じ込めるために互いに対向して設けられる反射端面１３ｓ１・１３ｓ２のうち、少なくとも一方側の反射端面１３ｓ１のｙ方向の両端に、面取り構造１３ｓｂ・１３ｓｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】寿命が長い高信頼性を有する窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、窒化物半導体レーザダイオードと、窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し、保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ_1-x-y-zＧａ_xＩｎ_yＢ_zＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなり、Ａｌを含む。保護層は窒化物半導体レーザダイオードと熱膨張係数の整合をとるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】リッジ上の電極に接続されるワイヤの剥がれを防止できると共に横方向の光閉じ込め効果が高い半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、基板１０の表面に積層された窒化物半導体層２０のｐ型半導体層２３の上面に突出して形成されたストライプ状のリッジ２３ａを備え、ｐ型半導体層２３よりも屈折率が低く、リッジ２３ａから所定距離だけ離間したｐ型半導体層２３の表面を被覆する第１保護膜３０と、ｐ型半導体層２３よりも屈折率が低く、リッジ２３ａの側面とｐ型半導体層２３の表面と第１保護膜３０とを被覆する第２保護膜４０と、リッジ２３ａの上面に接続されると共に第２保護膜４０を被覆するｐ電極５０とを備え、ｐ電極５０の上面は、リッジ直上部分よりも、第１保護膜３０上の第２保護膜４０の直上部分の方が高く形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体のクラックの発生を抑制し、かつ端面において保護膜の剥がれが生じず、良好な特性及び高寿命を実現する窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１主面と該第１主面に対向する第２主面とを有する導電性基板と、該導電性基板の第１主面上に、第１窒化物半導体層、活性層及び第２窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体層と、前記導電性基板の第２主面上に形成された電極と、前記窒化物半導体層の共振器面に接触する保護膜と、を有する窒化物半導体レーザ素子であって、前記電極の共振器面側の縁部が、前記共振器面よりレーザ素子の内側に位置しており、前記保護膜が、前記共振器面から前記導電性基板の第２主面に接触するように形成されており、かつ、前記共振器面に接触する保護膜と前記導電性基板の第２主面に接触する保護膜との結晶構造が異なる窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】ウェハを所望の位置で劈開することのできる半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮウェハ１１の上には、複数のリッジ部１３が設けられた半導体層が形成されている。リッジ部１３とスクライブマーク１６との間であって、スクライブマーク１６と同一直線上には、溝１９が設けられている。溝１９は、スクライブマーク１６に対して劈開する方向の下流側に設けられている。溝１９は、劈開する方向の下流側端部が外側に向かって凸となる形状であって、該形状の頂点が劈開しようとする線上にあるとともに、該頂点から延びる輪郭線は劈開する方向から６０度の方向と平行でないことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】寿命が長い高信頼性を有する窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ_1-x-y-zＧａ_xＩｎ_yＢ_zＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなり、Ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、十分なＣＯＤレベルを有した高出力光を安定して出射し得る窓構造を備えた窒化物系半導体発光素子及びその製造方法について提供することを目的とする。
【解決手段】 光出射端面上に積層されることで光出射端面をコーティングする窓層２７において、ｎ型ＧａＮ層を構成することによって、ＧａＮ内における窒素の空孔の生成を抑制して、酸素などの異種原子の拡散を抑制させる。これにより、酸素などの異種原子の拡散が窓層２７によって発生することにより低下するＣＯＤレベルを、向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 外部接続用の電極パッド等の金属層が形成される領域の絶縁耐圧を高くし、歩留まりを向上させコスト低減を図る。
【解決手段】 ＶＣＳＥＬは、ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１２、活性層１４、電流狭窄層１６、ｐ型の上部ＤＢＲ１８を含み、上部ＤＢＲ１８から下部ＤＢＲ１２の一部に至る半導体層を除去することによりポストＰが形成され、ポスト頂部の上部ＤＢＲ１８と電気的に接続された電極パッド２８とｎ型下部ＤＢＲ１２との間に多層絶縁膜が形成されている。多層絶縁膜により絶縁耐圧が向上する。 （もっと読む）

【課題】歩留の低下や製造コストの上昇を招かず、窒化物半導体レーザのＣＯＤを抑止する。
【解決手段】半導体レーザ１０１は、第１クラッド層１０３、活性層１０５、第２クラッド層１０８を有している。レーザ共振器の前端面１１３および後端面１１４の近傍には、窒素よりも電気陰性度の大きい不純物元素であるフッ素を含有する窓領域１１５が形成されている。この窓領域１１５は前端面１１３および後端面１１４をそれぞれフッ化炭素（ＣＦ₄ ）プラズマに晒すことで形成される。窓領域１１５の活性層１０５の実効バンドギャップは、それ以外の活性層の実効バンドギャップよりも大きくなるので、ＣＯＤを抑止するための端面窓構造として機能する。 （もっと読む）

【課題】青紫色の短波長の光を発することができ、端面コート膜とＧａＮ系結晶との間に隙間が生じ難く、劣化の少ないＧａＮ系化合物半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子１０は、基板１１上に作製された光出射側端面に端面コート膜２７を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子１０であって、前記光出射側端面２６において、前記端面コート膜２７と導波路端面２４との間にガリウム酸化物層２８からなる被膜を有し、前記導波路端面２４以外の端面の表面には高さ０．０５〜４０μｍの範囲の凹凸が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）