【課題】光出射層表面に堆積物が生じることを抑制し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、前記光出射端面側とは反対側の面を構成する光触媒膜を有する誘電体層と、前記光触媒膜の一部が露出するように前記光触媒膜の上に設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備え、前記活性層から放出される光ビームは、前記導電体部を透過して放出されることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、損失の小さいレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるレーザ素子は、活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層で発生した光であって最も利得の高い光よりも波長の長い光を、該上部クラッド層の上方に回折する周期で該活性層の上方の層に形成された２次の回折格子と、共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収膜５がレーザチップ１の光出射側の最表面に形成される。光吸収膜５は、酸素欠損膜又は酸化パラジウムを備えるとともに、光が通過する位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】 消費電力を低減することが可能な量子カスケードレーザを提供する。
【解決手段】 半導体基板１０と、基板１０上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層１５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。また、活性層１５で生成される所定波長の光に対するレーザ共振器構造において、レーザ光の出力面となる前方端面１２に、レーザ発振光に対する反射率が４０％以上９９％以下の前方反射膜２０を形成し、かつ、後方端面１３に、レーザ発振光に対する反射率が前方反射膜２０よりも高い後方反射膜３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】水素の移動による素子寿命の短縮を改善可能な窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体領域１３−１は第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。第２領域１３ｂ−１は第１領域１３ａ−１に沿って延在する。第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触する。金属層１９−１は、水素を吸蔵可能にする格子欠陥を高密度で有しており、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。 （もっと読む）

【課題】リッジの放熱性を確保するとともに、リッジ直下の活性層に発生する圧縮歪みを抑制することができる窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一方の面の上方に形成された第一導電型クラッド層１１と、第一導電型クラッド層１１の上方に形成された活性層１３と、活性層１３の上方に形成され、表面にリッジ１５ａおよび平坦部１５ｂを有する第二導電型クラッド層１５と、リッジ１５ａの側面の下方部および平坦部１５ｂ上に形成された誘電体膜１７と、基板１０の他方の面に形成された第一電極１９と、リッジ１５ａの上方に形成された第二電極２０と、リッジ１５ａおよび平坦部１５ｂを覆うようにして第二電極２０上および誘電体膜１７上に形成された第三電極２１とを有し、リッジ１５ａの側面の少なくとも一部と第三電極２１との間に空洞部１８が介在している。 （もっと読む）

【課題】発光端面上の誘電体膜の膜厚がバラつくことを抑制できる半導体レーザの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に活性層を含む半導体層が積層している、半導体ウェハ１００を形成する工程と、半導体ウェハ１００に、活性層より深い凹部１０６を複数形成する工程と、少なくとも凹部１０６内の第１の端面と第１の端面に対向する第２の端面とを覆うように、第１の誘電体膜（ＡＲコート膜１０８）を形成する工程と、第１の端面上のＡＲコート膜１０８を覆うように、分離膜（Ａｕ膜）を形成する工程と、Ａｕ膜上および第２の端面上のＡＲコート膜１０８上に、第２の誘電体膜（ＨＲコート膜）を形成する工程と、Ａｕ膜上のＨＲコート膜を除去するとともに、Ａｕ膜を除去する工程と、を含み、Ａｕ膜は、ＡＲコート膜１０８およびＨＲコート膜に対してエッチング選択比が１０以上である。 （もっと読む）

【課題】高湿下でも安定して動作可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１０１と、第１の電極１１３と、第２の電極１１７と、第１の反射鏡１０２と、第２の反射鏡１２０と、第１の反射鏡および第２の反射鏡との間の共振器１３０であって、活性層１０５と電流狭窄層１０７とを含む共振器と、基板１０１の一主面上に形成されたメサポスト１１０であって、電流狭窄層１０７を含むメサポスト１１０と、メサポスト１１０および基板１０１の一主面を覆うパッシベーション膜１２３と、メサポスト１１０の基部を覆う耐湿性の金属膜１３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝の壁面からの酸化がされにくい信頼性の高い面発光レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、半導体膜からなる活性層と、半導体膜からなる電流狭窄層と、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることにより、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜を前記半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面に、絶縁体からなる絶縁体保護膜を形成する絶縁体保護膜形成工程と、前記絶縁体保護膜上に金属材料からなる金属保護膜を形成する金属膜形成工程と、を有することを特徴とする面発光型レーザーの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、第１クラッド層と、第１クラッド層の上方に形成された活性層と、活性層の上方に形成された第２クラッド層と、を含み、活性層は、第１側面１０５と、第１側面１０５に平行な第２側面１０７と、を有し、活性層のうちの少なくとも一部は、第１利得領域１６０と、第２利得領域１６２と、を構成し、第１利得領域１６０と、第２利得領域１６２は、第１側面１０５の垂線Ｐに対して傾いて設けられており、第１端面１７０の中心と第３端面１７４との中心を通る第１中心線１６０ａと、第２端面１７２の中心と第４端面１７６との中心を通る第２中心線１６２ａとは、交点Ａを有し、重なり面１７８は、交点Ａに対して、第２側面１０７から第１側面１０５に向かう方向に位置している。 （もっと読む）

【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

【課題】チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる発光素子、チップ及び発光素子の製造方法を提供する
【解決手段】レーザチップ１の光出射表面Ｐに、出射される光の一部を吸収する光吸収膜５を形成する、また、レーザチップ１に電流を通じたときに、光吸収膜５を介して短絡されないような構成とする。例えば、上面Ｕ及び下面Ｄに対して不連続となる光吸収膜５ａ、５ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】多くの半導体レーザが動作するＴＥモードに対応して動作し、且つ半導体光増幅器活性層を適切に保護して信頼性のある半導体光アイソレータを提供すること
【解決手段】この半導体光アイソレータでは、新たに導波層を設けて、光が導波層に比較的多く集中する構造を採用している。この導波層の側壁に強磁性体層を形成している。導波層の側壁に強磁性体層を配置し、光の一部が導波層から横方向に漏れ出して強磁性体層に到達することによって、光アイソレーションを得ている。即ち、活性層を加工する必要がないので、露出することが無く、信頼性が悪化することはない。 （もっと読む）

【課題】半導体層の加工に起因する半導体層の結晶性の悪化を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、リッジ１０ａを含む半導体層１０と、半導体層１０のリッジ１０ａを除いた領域に形成される電流ブロック層２０および３０と、電流ブロック層２０および３０上に形成されるとともに、リッジ１０ａに電気的に接続されるｐ側電極４０とを備え、電流ブロック層２０の上面２０ｃのリッジ１０ａ側の端部と電流ブロック層２０の外側の端部とによって構成される領域ａ内に複数の凹部２０ｄが、電流ブロック層３０の上面３０ｃのリッジ１０ａ側の端部と電流ブロック層３０の外側の端部とによって構成される領域ｂ内に複数の凹部３０ｄがそれぞれ形成されているとともに、電流ブロック層２０の下面２０ｂおよび電流ブロック層３０の下面３０ｂは、それぞれ略平坦な面になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 電極の剥離が抑制され、安定した動作が可能な窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型半導体層１１のリッジ部１２の側面に形成される絶縁膜１３の表面に密着層２１を形成し、密着層２１を介してリッジ部１２をｐ型電極１４によって覆う。これによって、リッジ部１２の側面では、絶縁膜１３とｐ型電極１４との間には、密着層２１が介在する。この密着層２１として、ガリウム（Ｇａ）を含む窒化物系材料から成る密着層を設ける。また密着層２１に代えて、金属材料と酸化されやすい易酸化性材料との合金材料から成る密着層を設ける。これによって、絶縁膜１３とｐ型電極１４との密着性を向上させ、ｐ型電極１４の絶縁膜１３からの剥離を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体レーザ（共振器）とコーティング膜との界面の界面準位を簡易な方法により低減した半導体レーザ素子とその製造方法に関し、半導体レーザの光出力に起因した瞬時光学損傷（ＣＯＤ）を抑制できる半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザの劈開面上にリチウム薄膜又はベリリウム薄膜からなるダングリングボンド終端膜が形成される。さらに、該ダングリングボンド終端膜上にコーティング膜が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直方向への貫通転位が抑制されて、結晶品質が優れたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置において、動作電圧の上昇による不良を抑制し、良品率を高めて生産歩留まりを向上させることを主要な目的とする。
【解決手段】半導体発光素子は、活性層を介在させて互いに接合されたｐ型半導体層とｎ型半導体層とを備える。ｐ型半導体層の上方にｐ型電極２３０が設けられている。ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に絶縁層２２２が設けられている。ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に位置して、水素を吸着する金属を含む水素吸着層２２１が設けられている。本発明によれば、水素吸着層２２１が、その水素を吸い寄せる力により、絶縁層２２２内に存在する水素の、活性層２０５への拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】外部からの水分や湿気の滲入を防止し、寿命を改善する樹脂封止面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ２０は、基板１０２上に、ｎ型のバッファ層１０４、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域１０８、電流狭窄層１１０、ｐ型の上部ＤＢＲ１１２、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層１１４を含む半導体層を積層する。コンタクト層１１４の表面全体に表面保護膜１１６が形成され、表面保護膜１１６上に環状電極１２０、および環状電極１２０の出射口覆う出射保護膜１２２が形成されている。樹脂封止されたＶＣＳＥＬ２０は、応力等により出射保護膜１２２が剥離された場合であっても、表面保護膜１１６によりコンタクト層１１４への水分の滲入を防止する。 （もっと読む）

【課題】部品点数が少なく、簡便な調整のみによって実装でき、且つ偏波多重光信号の送受信が可能な双方向光送受信装置を実現する。
【解決手段】同一基板１０上に発光部２０と受光部３０とが形成されている。発光部２０は、下部多層膜反射鏡１２とその上に形成された発光層２１とを含む。発光部２０の上部には、発光部２０の発光波長よりも小さい寸法を持つ複数の開口部が形成された金属ホールアレイ２６が設けられている。 （もっと読む）