【課題】共振器端面及びその近傍領域となる領域以外の領域における活性層のバンドギャップの変化を抑制しながら、共振器端面及びその近傍領域となる領域の活性層のバンドギャップを大きくして端面窓構造を形成できるようにする。
【解決手段】光半導体装置の製造方法を、半導体基板１の上方に、活性層３を含む半導体積層構造５を形成する工程と、半導体積層構造の共振器端面及びその近傍領域となる第１領域７上に空孔生成促進膜６を形成する工程と、空孔生成促進膜をマスクとして、半導体積層構造の第１領域以外の第２領域８上に半導体層９を選択成長させる工程と、熱処理を行なって第１領域に窓構造１０を形成する工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】一般に市場に出回っている安価なＳＯＩウェハを用いて直接遷移化して発光するゲルマニウム発光素子、あるいはゲルマニウム単結晶に大きな伸長歪みを印加することなく、良好な発光特性を有するゲルマニウム発光素子、あるいはレーザ発振のためのしきい値電流を低減することが出来るゲルマニウム発光素子を提供する。
【解決手段】（１００）面、もしくは（１１０）面、またはそれらと結晶学的に等価な面方位を表面に持つゲルマニウム層が絶縁体上に設けられた薄膜レーザ・ダイオード、あるいは、発光部として基板方向に垂直に形成された薄膜状のゲルマニウム・フィンを備え、該発光部は（１００）面または（１１０）面、もしくはそれと結晶学的に等価な面方位をを表面に持ち、一つまたは複数の発光層を有するゲルマニウム・レーザ・ダイオードであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】選択成長時のマスク近傍における屈折率変化の揺らぎに起因する意図しない位相シフトを低減し、特性劣化を防止することを可能とした波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成された活性導波路層１２の一部をエッチングし、活性導波路層１２とは組成または層構造が異なる非活性導波路層１３を選択成長することによって作製された二つのレーザ部Ａ１，Ａ２を有し、活性導波路層１２及び非活性導波路層１３の全長にわたって回折格子１５が形成され、選択成長時に生じる活性導波路層１２と非活性導波路層１３との間の屈折率変動に起因する−ΔΩの等価的な位相シフトに対して、活性導波路層１２と非活性導波路層１３との接合面に対応する回折格子１５の位置に位相シフト量ΔΩの補正位相シフトを挿入した。 （もっと読む）

【課題】光集積デバイスの素子と、素子との界面に流れる電流による、特性の劣化を抑える。
【解決手段】基板上に形成され、第１光路を有する第１導波路と、第１導波路上に形成された電極と、基板上に形成され、第２光路を有する第２導波路と、第１光路よりバンドギャップエネルギーが大きい材料で形成されて光路となる透明コアを有し、基板上の第１導波路及び第２導波路の間に形成された透明導波路と、を備え、電極は、第１導波路の上方に形成されており、かつ、透明導波路の上方には形成されておらず、第１導波路を有する素子は、電流注入により動作する光学的能動素子である光集積デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント構造を構成する第１及び第２の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク３０を用いて第１の半導体積層部２０にエッチングを施す工程と、Ａｌを含む光吸収層４２、及び光吸収層４２上に設けられるＩｎＰクラッド層４４を有する第２の半導体積層部４０を、エッチングマスク３０を用いて選択的に成長させる第１の再成長工程と、エッチングマスク３０を除去するマスク除去工程と、第１及び第２の半導体積層部２０，４０上に第３の半導体積層部を成長させる第２の再成長工程とを行う。第１の再成長工程において、ＩｎＰに対してエッチング選択性を有するＩｎＰ系化合物半導体を含むキャップ層４６を第２の半導体積層部４０上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク３０上に生じたＩｎＰ系堆積物Ｄｅを除去する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも広い波長可変帯域を有し、かつ、正確な発振波長制御が簡便な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】半導体波長可変レーザ４００のフィルタ領域４２０は、第１のＭＺＩ４２１と第２のＭＺＩ４２２を並列配置し、２×２光カプラ４２３の２つの出力ポートに各々接続している。各ＭＺＩは、２つの２×２光カプラの間に、同一構造の２本のアーム導波路を有する対称ＭＺＩである。各アーム導波路は、一方の２×２光カプラの出力ポートに接続された第１のミラーと、第１のミラーと所定の長さ（第１のＭＺＩ４２１では第１の長さＬ１、第２のＭＺＩ４２２では第２の長さＬ２）の光導波路により接続され、他方の２×２光カプラの入力ポートに接続された第２のミラーとを有するファブリペローエタロンを備える。当該他方の２×２光カプラの出力ポートには、反射率９０％以上の高反射ミラー４２４、４２５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ結晶基板上にモフォロジーが良好で均一な物性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層が成長された高特性のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ＧａＮ結晶基板１００と、ＧａＮ結晶基板１００の主面１００ｍ上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００と、を含み、ＧａＮ結晶基板１００は、マトリックス結晶領域１００ｓとｃ軸反転結晶領域１００ｔとを含み、主面１００ｍと｛０００１｝面１００ｃとの間のオフ角θについて、＜１０−１０＞方向および＜１−２１０＞方向のうちいずれか一方の方向を第１方向とし他方の方向を第２方向とするとき、第１方向のオフ角成分の絶対値｜θ₁｜が０．０３°以上１．１°以下、かつ、第２方向のオフ角成分の絶対値｜θ₂｜が０．７５×｜θ₁｜以下である。 （もっと読む）

【課題】エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体のエッチングの進行、またはポリマーの生成のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、マスクの周辺に周辺窓１７０１を有する周辺マスク１７００を形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有し、マスク１９００が、第１のパターンを有す第１のマスク部１９１０と、第１のマスク部上に形成され、第１のマスク部のマスク厚よりも厚く、第１のパターンの開口部幅を画定する第２のパターンを有す第２のマスク部１９２０とからなり、周辺マスクの窓領域が第１のパターンの回折格子方向周辺に配されるようにした。 （もっと読む）

【課題】再成長層の厚さの違いを低減可能な半導体集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、所定の方向に順に配列された第１の導波路メサ２１〜第３の導波路メサ２３を有する発光素子部２のための第１の半導体積層１００を半導体基板１０の上に設ける工程と、第１の半導体積層１００の上に第１のマスク６０を形成する工程と、第１のマスク６０を用いて第１の半導体積層１００をエッチングする工程と、第１のマスク６０を用いて光変調部３のための第２の半導体積層２００を半導体基板１０の上に成長する工程とを備える。第１のマスク６０、所定の方向に延在する第１のアーム部６１及び第２のアーム部６２と、第１のアーム部６１と第２のアーム部６２との間に設けられ第１のアーム部６１と第２のアーム部６２とを接続する第１のブリッジ部６３及び第２のブリッジ部６４とを有する。 （もっと読む）

【課題】スクライブにより良好なクラックを形成することができる半導体ウェハ、半導体バー、半導体ウェハの製造方法、半導体バーの製造方法、および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハのエピタキシャル成長層を用いて、光半導体素子（具体的には、半導体レーザ）が、複数個、当該半導体ウェハの面方向に並べて形成されている。ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層は、複数の光半導体素子の間に連続的に設けられ、当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層の下の層を少なくとも当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層より上の層に対して露出させる部分（具体的に言えば、開口部、或いは、溝）を備えている。この部分に沿ってスクライビングを行うことで、垂直進展したクラックを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が抑制された窒化物半導体層を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、ＧａＮ基板１１を準備する工程と、前記ＧａＮ基板上に、ＧａＮと材料の異なる窒化物半導体からなるバッファ層１２を部分的に形成する工程と、前記バッファ層から前記ＧａＮ基板が露出された第１領域、および、前記バッファ層が形成された第２領域にＧａＮを成長させてＧａＮ層を形成する工程と、前記ＧａＮ層上に窒化物半導体層を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リッジ型導波路とハイメサ型導波路とを同一基板上に有する光導波路、半導体光集積素子において、リッジ型導波路とハイメサ型導波路の境界で発生する光の反射を低減させた構造を提供することを目的とする。
【解決手段】下部クラッド層と、該下部クラッド層の一部分の上層に形成された光を発生する第１コア層と、該下部クラッド層の上層かつ該第１コア層が形成されていない領域に形成された光を吸収する第２コア層と、該第１コア層と該第２コア層の上層に重なるように形成された上部クラッド層とを備え、該第２コア層の屈折率が該第１コア層の屈折率より低く、該第２コア層は、該第１コア層と接触面を有し該接触面と平行な方向の該第２コア層の幅が該接触面から離れる方向に所定幅まで漸減する漸減部と、該漸減部の幅が該所定幅である部分と接触し該所定幅で直線状に形成されたストライプ部とを有する。 （もっと読む）

【課題】メサ部を形成するためのエッチング深さを精度良く制御できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、エッチングマーカー層４２を半絶縁性基板２０上に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７をエッチングマーカー層４２上に順に成長させる工程と、下部クラッド層２５、光導波層２６および上部クラッド層２７に対してプラズマエッチングを行うことにより、所定の光導波方向に延びるメサ部２２〜２４を形成するメサエッチング工程とを備える。エッチングマーカー層４２のプラズマ発光強度は、該エッチングマーカー層４２に接するｎ型コンタクト層２１及び下部クラッド層２５のプラズマ発光強度より大きい。メサエッチング工程の際、プラズマ発光強度の変化に基づいてプラズマエッチングを停止する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ重畳をかけることなく戻り光雑音を抑制することができるシングルモード半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性層には、誘導放出を行うアクティブ領域以外に、光出射端面から一定の距離内に誘導放出を行わないパッシブ領域が設けられ、パッシブ領域の屈折率をｎ_Ｐ、活性層のうち、メサストライプ領域の屈折率をｎ_Ｓ、アクティブ領域のうち、メサストライプ領域中心部の屈折率をｎ_Ｃ、としたときに、誘導放出を行う動作時の屈折率がｎ_Ｐ＜ｎ_Ｓ＜ｎ_Ｃである。誘導放出されたレーザ光は、パッシブ領域によりスポットサイズが広げられ、光出射端面から出力する。 （もっと読む）

【課題】光損失の発生および消費電力の増加を同時に抑制した半導体光導波路素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された埋込型の半導体光導波路素子であって、活性コア層と、前記活性コア層の上部に形成されたクラッド領域とを有する能動部と、前記能動部に接続し、該能動部の活性コア層から出力する光のスポットサイズを拡大するようにテーパー状に形成したコア層と、前記コア層の上部に形成されたクラッド領域とを有するスポットサイズ変換部と、を備え、前記コア層の上部のクラッド領域の厚さが、前記活性コア層の上部のクラッド領域の厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】発光波長の制御範囲を広くできる半導体光集積素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】硫黄を含む半導体基板上に、井戸層および障壁層からなる量子井戸構造を構成する複数の半導体層であって、前記井戸層または障壁層の厚さが互いに異なる複数の半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記複数の半導体層をそれぞれ含む複数の光素子を形成する光素子形成工程と、前記複数の半導体層の発光波長をシフトさせるための熱処理を行う熱処理工程と、を含む。好ましくは、前記熱処理工程は、６００℃〜８００℃の範囲にて行う。 （もっと読む）

【課題】斜めや曲線など、[０１１]方向成分以外の方向成分を含んで延設された積層構造体を有する半導体光素子において、埋め込み層の被り成長を抑制しつつ、ウェハ底面のバックグラウンド荒れを抑制する。
【解決手段】半導体光素子は、（１００）面を主面とする半導体基板上で［０１１］方向成分以外の方向成分を含んで延設されたメサ状の積層構造体と、前記積層構造体の両側の前記半導体基板上に配置され前記積層構造体と異なる高さを有する複数の突起と、前記前記積層構造体の両側面及び前記複数の突起の間を埋め込む埋め込み層と、を有し、前記埋め込み層は、前記積層構造体の両側の側面に位置する第１埋込部と、前記突起と突起の間を埋め込む第２埋込部とを含み、前記第１埋込層の断面積（又は堆積量）と、前記第２埋込部の断面積（又は堆積量）はほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】リッジ導波路構造を備え、迷光を吸収することができる、高温特性の良好な高信頼性で長寿命の集積型半導体光素子を提供すること。
【解決手段】ＭＭＩ光合流器１３の出力端の辺に、半導体光増幅器１４を結合する部分を除いた領域に迷光を導波させるための迷光導波メサ１５−１，１５−２が形成されており、迷光導波メサ１５−１，１５−２はコア層として活性層を含む構造を備えるため、活性層で迷光を吸収することができる。 （もっと読む）