【課題】無効なリーク電流を抑制し、高効率および高速動作を実現する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ半導体基板７上に、ｐ型クラッド層４、活性層３、および、ｎ型クラッド層２を有する活性層部からなる半導体レーザ部と、半導体レーザ部の両側を埋め込む電流狭窄層とを備えた半導体レーザの製造方法であって、前記電流狭窄層は、第一のｐ型ＩｎＰ層９、ＲｕドープＩｎＰ層５、および、第二のｐ型ＩｎＰ層１１を有し、ＲｕドープＩｎＰ層５が、第一および第二のｐ型ＩｎＰ層９，１１にのみ接するように形成する。当該構成を得るため、ＲｕドープＩｎＰ層５の成長の途中でハロゲン元素を含むガスを導入する、もしくは、ＲｕドープＩｎＰ層５の成長開始時にガスを導入し、成長途中でガス導入量を変え、ＲｕドープＩｎＰ層５の成長完了後にガス導入を停止させる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させ、光出力及び信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明は、ＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮ超格子構造、またはＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ｎ−ＧａＮ超格子構造の第１窒化物半導体層２０７と、第１窒化物半導体層２０の上に形成されて光を放出する活性層２１１と、活性層２１１の上に形成された第２窒化物半導体層２１３と、第２窒化物半導体層２１３の上に形成された第３窒化物半導体層２１５が含まれる窒化物半導体発光素子に関するものであって、本発明によれば、窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性が向上し、光出力及び信頼性が向上する長所がある。 （もっと読む）

【課題】窓領域への電流注入及び窓領域における自由キャリア吸収損失を効果的に抑制しうる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型の第２のクラッド層とを有し、対向する一対の端部に不純物の添加によって活性層のエネルギーバンドギャップが広げられた窓領域が形成された積層構造体を有し、第１のクラッド層及び第２のクラッド層のうちの一方は、第１の層と、活性層と第１の層との間に設けられ、第１の層よりもキャリア濃度の低い第２の層とを有し、窓領域が設けられた部分の第２の層の導電型が窓領域を形成する不純物によって反転している。 （もっと読む）

【課題】活性層内において「電流を閉じ込め、且つ、光を閉じ込めない」ことが可能な半導体レーザ構造を提供する。
【解決手段】半導体レーザ構造１０では、ｎ型クラッド層２、ｎ型光ガイド層４、多重量子井戸発光層５、ｐ型光ガイド層６、及びｐ型クラッド層８を積層して構成された構造であって、ｎ型クラッド層２内におけるｎ型光ガイド層４と当接する領域、及び、ｐ型クラッド層８内におけるｐ型光ガイド層６と当接する領域のうち、少なくとも一方の領域の両端部にだけ、ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４よりも絶縁性の高い材質からなる電流狭窄部３，７を設けるようにした。この構成では、駆動電流が無駄なく活性層に供給され、且つ、活性層内において、光が電流狭窄部３，７に遮られずに増幅される。 （もっと読む）

【課題】電極形成時の金属のつきまわり性を確保し、且つストライプメサ構造に注入される電流を効果的に狭窄する。
【解決手段】この方法は、ＩｎＰ系化合物半導体を含む第１及び第２の半導体領域２０，３０を有する基板生産物１０Ａの第２の半導体領域３０上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを用いてドライエッチングを行い、その後にウェットエッチングを行うことによりストライプメサ構造４０を形成する工程と、絶縁膜４２を形成する工程と、リフトオフ法により電極５０を形成する工程とを備える。所定方向は、ウェットエッチングにより形成されるストライプメサ構造４０の側面が順メサ形状となるように設定される。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物のパイルアップによるｐ型キャリア濃度の低減を抑制したIII−Ｖ族化合物半導体結晶、光半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】大気中に暴露されたｐ−ＩｎＰ層１３ａ上に、Ｚｎ及びＳｂを含むｐ−ＩｎＰ層１４ａと、Ｚｎを含むｐ−ＩｎＰ層１４ｂとを順次積層して、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体結晶を再成長させると共に、ｐ−ＩｎＰ層１４ａ中におけるＺｎの濃度をｐ−ＩｎＰ層１４ｂ中におけるＺｎの濃度より高くした。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込めを効果的に向上させるとともに、非発光再結合や電流リークを抑制することにより、電力−光変換効率の高い高効率な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型バッファ層１２１やｎ型クラッド層１２２などのｎ型半導体層と、発光層１２４と、ｐ型クラッド層１２６などのｐ型半導体層とを有する窒化物半導体発光素子１００であって、リッジ側面として発光層１２４の側面を含むリッジ構造を備え、発光層１２４の側面は、発光層１２４よりも抵抗が高いＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（但し、０≦ｘ，ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で構成されるパッシベーション膜１４０によって覆われており、パッシベーション膜１４０は、発光層１２４の屈折率よりも屈折率が低い低屈折率膜１５１によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】ＰＢＨ構造の半導体光素子に含まれる導波路部の電気的な分離を行うために設けられる分離溝が適切に形成されないことに起因してリーク電流が発生してしまうのを抑止する。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０の上にメサストライプ状の活性層１２を形成する工程と、活性層１２の両隣に、活性層１２よりも高い位置までＲｕ−ＩｎＰ層１４を形成する工程と、Ｒｕ−ＩｎＰ層１４の表面に設けた分離溝形成領域２０にシリコン酸化膜１８を形成する工程と、シリコン酸化膜１８が形成された前記Ｒｕ−ＩｎＰ層１４の上に、Ｐ−ＩｎＰ層１６を結晶成長させて形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層で一度狭窄された電流が、電流狭窄層から活性層に流れるに従って再び広がることを抑え、発光効率の低下を抑制することが可能となる垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】垂直共振器型面発光レーザであって、基板５０１上に形成された下部ＤＢＲ層５０２と、前記下部ＤＢＲ層の上に形成された下部クラッド層５１１と、前記下部クラッド層の上に形成された活性層５１３と、前記活性層の上に形成された上部クラッド層５１２と、前記上部クラッド層の上に形成された電流狭窄層５２５と、前記電流狭窄層の上に形成された上部ＤＢＲ層５０５と、前記上部クラッド層５１２と前記電流狭窄層５２５との間に配され、前記上部ＤＢＲを構成する半導体の伝導型とは異なる伝導型からなる半導体層である異種伝導型層５２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】特性が改善可能な半導体面発光素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層６Ａ内に複数の穴Ｈを周期的に形成し、穴Ｈ内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層６Ｂを成長させてなるフォトニック結晶層６と、フォトニック結晶層６に対して光を供給する活性層４と、を備え、穴の側面は、｛１１０｝面を有しており、埋め込み層６Ｂは、穴の側面との界面である少なくとも１つの｛１１０｝面から突出した凸部ＨＢ１を有している。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、［０００１］方向の側に向かって順に積層されたｎ形半導体層１０、第１障壁層３２ａ、第１井戸層３１ａ、Ａｌ含有層４０及び中間層５０を備えた窒化物半導体の半導体発光素子が提供される。Ａｌ含有層は、第１井戸層に接し、第１障壁層のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、ｎ形半導体層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{１−ｘ１−ｙ１}Ｉｎ_ｙ１Ｎ（０＜ｘ１＜１、０≦ｙ１＜１）の組成を有する。中間層は、Ａｌ含有層に接し、第１井戸層のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する。中間層のｎ形半導体層の側の部分におけるバンドギャップエネルギーは、中間層のｐ形半導体層の側の部分におけるバンドギャップエネルギーよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】リークパスが狭窄化された光半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体装置の製造方法は、一導電型半導体基板１０上に順に形成された一導電型クラッド層、活性層、および反対導電型クラッド層に対してメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の両側を前記活性層より高い位置で埋込む第１埋込層５０を成長する工程と、前記メサ構造の上面の両側に位置する前記反対導電型クラッド層に対してエッチングを施し、前記メサ構造の上面よりも低い面を形成する工程と、前記エッチングにより形成された低い面および前記第１埋込層上に一導電型の第２埋込層６０を成長する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 素子容量を抑制しつつリーク電流を抑制することができる光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の製造方法は、基板上に順に形成されたｎ型クラッド層、活性層、およびｐ型クラッド層に対して選択的にエッチング処理を施すことによってメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の側面から前記基板の前記メサ構造以外の平面部にかけて、前記平面部における厚さが５ｎｍ〜４５ｎｍのｐ型半導体層を形成する工程と、前記ｐ型半導体層上に、前記メサ構造を埋め込む高抵抗半導体層を形成する工程と、を含み、前記平面部において、前記ｐ型半導体層の厚みと前記ｐ型半導体層のｐ型ドーパントの濃度との積は、２．５×１０^１９ｎｍ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】導電性酸化物を用いた半導体レーザ素子において、電気特性を改善することにより、電力効率を向上させ、信頼性の高い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、前記基板上に、第１導電型半導体層１２と、活性層１４と、第２導電型半導体層１６とが順に積層された半導体層と、前記第２導電型半導体層の上面に形成されたストライプ状のリッジ１８と、前記リッジの上面に形成された導電性酸化物層２０と、前記リッジの側面に形成された、前記半導体層よりも屈折率が低い誘電体層２４と、前記導電性酸化物層及び前記誘電体層を覆うように形成された金属層２２とを備え、前記導電性酸化物層の表面は前記誘電体層から露出し、かつその側面は、前記リッジの上面に対する法線方向から傾斜しており、前記導電性酸化物層の側面の傾斜角度は、前記リッジ側面の、前記法線方向からの傾斜角度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】六方晶系ＩＩＩ族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面であり、第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。また、例えば第１の割断面２７の一端には、エッジ１３ｃからエッジ１３ｄまで延在するスクライブ跡ＳＭ１を有し、スクライブ跡ＳＭ１等は、エッジ１３ｃからエッジ１３ｄまで延在する凹形状を有する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 （もっと読む）

【課題】光吸収が少なく、高効率な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】２つの反射鏡１１６、１２２間に設けられ、活性層１０５と，電流経路制限層１０７と有する共振器１１０と、電流経路制限層に対して活性層とは反対側に位置するｐ型の第１の半導体層１２０と、第１の半導体層に隣接し、電流経路制限層と第１の半導体層との間に位置するｐ型の第２の半導体層１０９とを備え、第１の半導体層には、１×１０^１９ｃｍ^−３以上の炭素原子がドーピングされ、第２の半導体層のドーピング濃度は、５×１０^１８ｃｍ^−３以下であり、第１の半導体層の、電流経路制限層の電流が流れる領域１０７ｂに対向する領域の少なくとも一部１２１が、第１の半導体層の当該一部の領域以外の領域および第２の半導体層よりも高い水素原子濃度の領域である。 （もっと読む）

【課題】メサストライプ形状の積層体の側部に埋込層を有する半導体光素子および集積型半導体光素子において、埋込層を流れる無効電流を抑制するとともに、高速応答特性を実現することができる半導体光素子および集積型半導体光素子を得る。
【解決手段】ｐ型半導体基板１上に、ｐ型クラッド層２、活性層３およびｎ型クラッド層４が積層されたメサストライプ形状の積層体が形成され、積層体の側部に埋込層が形成され、埋込層は、第１ｐ型半導体層５、第１ｎ型半導体層６、Ｆｅドープ半導体層７、第２ｎ型半導体層８、低キャリア濃度半導体層９および第２ｐ型半導体層１０が積層され、Ｆｅドープ半導体層７は、第１ｐ型半導体層５および第１ｎ型半導体層６の結晶面の（１１１）Ｂ面上に成長されず、第２ｎ型半導体層８は、第１ｐ型半導体層５、第１ｎ型半導体層６およびＦｅドープ半導体層７の結晶面の（１１１）Ｂ面上に成長されない。 （もっと読む）

【課題】絶縁性シリコン化合物からなるマスクを形成する際の堆積物の発生を低減し、アッシングによる半導体積層へのダメージを抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１１上に、活性層１４ａ及び表層（キャップ層）１７ａを有する半導体積層部１０を成長させる。表層１７ａの表面を加熱して酸化膜１８を形成する。絶縁性シリコン化合物層１９ａを半導体積層部１０上に形成する。絶縁性シリコン化合物層１９ａの一部を覆うレジスト膜を形成し、絶縁性シリコン化合物層１９ａに対してフッ素系エッチャントを用いたドライエッチングを施すことにより、エッチングマスクを形成する。半導体積層部１０に対し、エッチングマスクを介してエッチングを施すことにより、半導体メサを形成する。半導体メサの周囲に、エッチングマスクを選択マスクとして埋め込み層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄構造を別途設けることなく、容易に作製できる２次元フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】２次元フォトニック結晶面発光レーザは、第１および第２半導体層と、前記第１半導体層と、前記第２半導体層とに挟まれ、キャリア注入によって、光を発生する活性層とを備え、前記第１半導体層は、前記活性層側とは反対側に複数の凸部を有し、前記複数の凸部のうちの全部または一部によって２次元フォトニック結晶構造を形成する。 （もっと読む）