【課題】光学部品との結合が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、モノリシックに形成された発光部２０と光制御部３０とを有する。ｎ型のＧａＡｓ基板１００には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲとが積層される。光制御部３０は、発光部２０で発せられた光を基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する。また、光制御部３０の表面には、反射部１２４が形成され、反射部１２４は、上部ＤＢＲ１０８からから入射された光を収束させ、一定方向へ反射させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の出射面の法線に対して線対称な斜め方向である２つ方向に出射されるレーザ光の強度比を制御することが可能な２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】面内方向に共振モードを有する２次元フォトニック結晶を有し、レーザ光の出射面の法線に対して線対称な斜め方向である少なくとも２つの方向に、レーザ光を出射する２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
２次元フォトニック結晶は、
２つの方向に出射するレーザ光の出射方向ベクトルを、レーザ光の出射面に射影した射影方向に垂直な方向に沿って、２次元フォトニック結晶の格子点を構成する媒質の深さあるいは高さが一定であり、
２次元フォトニック結晶の格子点を構成する媒質の深さあるいは高さが、射影方向に沿って該射影方向に平行な方向を法線とする任意の面に対して非対称に変化している。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザを構成する基板の法線方向に対し、遠視野像（ＦＦＰ）の重心方向を傾けることが可能となる面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】基板１１０上に、下部反射鏡１１２と活性層１１４と上部反射鏡１１６が積層され、上部反射鏡１１６における光出射面１４２の上部に表面レリーフ構造１５０を備えた面発光レーザ１００であって、表面レリーフ構造１５０は、面発光レーザ１００の出射光の少なくとも一部が透過できる材料により形成され、基板１１０の法線方向に所定の光学厚さを有する複数の領域が基板１１０の面内方向に隣接して構成され、前記光学厚さの基板１１０の面内方向の分布が、面発光レーザ１００の発光領域の中心軸に対して非対称な光学厚さの分布とされている。 （もっと読む）

【課題】十分に放熱することができるとともに発光点間隔を小さくすることができる半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】複数の半導体レーザ素子２０１〜２０５を備える半導体レーザアレイ１００であって、複数の半導体レーザ素子２０１〜２０５のそれぞれは、第１の端面３０１及び第２の端面３０２を両端とする光導波路２０１ａ〜２０５ａを有し、複数の半導体レーザ素子２０１〜２０５の少なくとも一つの半導体レーザ素子２０１は、光導波路２０１ａにおける第１の端面３０１と第２の端面３０２との間に形成された反射面２２１ｂを有し、反射面２２１ｂは、導波光を反射させて導波光の進行方向を変える。 （もっと読む）

【課題】導波路を伝搬した後に出射端面で反射されてこの反射光の光パワーが該導波路に結合することを低減できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】第１の埋め込み層１５は、半導体ストライプメサ１３の第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける一方の側面２８ａを覆い、一端面２３から延在する。第１の埋め込み領域１７は、第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける一方の側面２８ａ上に設けられ、一端面２３から延在する。第２の埋め込み領域１９は、第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける他方の側面２８ｂを覆い、一端面２３から延在する。第１の埋め込み層１５は第１のコア層２７ｂと第１の埋め込み領域１７との間に設けられる。第１の埋め込み層１５の屈折率は第１の埋め込み領域１７の屈折率より大きく、第２の埋め込み領域１９の屈折率より大きい。第１のコア層２７ｂにおける側面２８ａ、２８ｂを埋め込む埋込構造は半導体ストライプメサ１３に関して非対称である。 （もっと読む）

【課題】 ＢＤ用レーザーダイオードと、ＤＶＤ／ＣＤ用２波長レーザーが出射可能なモノリシックレーザーダイオードとを１つのパッケージに実装し、１つの対物レンズおよび単一光学系で信号の読み取りを行う光ピックアップ装置では、３つの波長の光源が離間しているため、対物レンズへの入射光が光軸から傾くレーザー光が発生し、像高に応じた収差が発生する。
【解決手段】 ＢＤ用レーザーダイオードの発光点をチップの中心より端にずらして設け、当該発光点とＤＶＤ／ＣＤ用２波長レーザーが出射可能なモノリシックレーザーダイオードとが近接するように２つのレーザーダイオードを並べて配置する。また、２つのレーザーダイオードはチップを個別に分離する劈開加工において、ハーフダイスを採用することによりチップサイズが小型化される。これにより、２つのレーザーダイオードを支持基板上に並べて配置する構造でありながら、発光点間の距離を縮小できる。 （もっと読む）

【課題】光伝送モジュールの放熱性を向上させる。
【解決手段】光伝送モジュールが備える光素子２０は、受発光面である主面（第１主面）２０ａ、主面２０ａとは反対側の主面（第２主面）２０ｂを有し、主面２０ｂに形成された複数のバンプ電極を介してフリップチップ接続方式により配線基板上に搭載される。また、光素子２０の主面２０ａ側には、レンズ（光学レンズ）１２が固定される。そして、光素子２０とレンズ１２の間には、放熱ブロック（放熱部材）１６が固定され、放熱部材の下面（第１の面）１６ａを、光素子２０の主面２０ａと当接させる。 （もっと読む）

【課題】２ＤＰＣ光共振器を用いた光源装置に関して、高い光取り出し効率を有するとともに集積化に適し、光出力の偏波方向を所望の方向に制御することが可能な、光源装置を提供すること。
【解決手段】デバイス基板と、該デバイス基板上にウエハ接合用接着材料を介して形成された、コアに発光体が導入された２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路及び該水素化アモルファスシリコン光導波路を伝搬する光を反射するための反射ミラーとを含む光源装置であって、該２次元フォトニック結晶光共振器が、少なくとも１つの鏡映面を有し、該水素化アモルファスシリコン光導波路が、２次元フォトニック結晶光共振器近傍において、少なくとも１つの鏡映面を有するとともに、２次元フォトニック結晶光共振器、水素化アモルファスシリコン光導波路が、互いの鏡映面が重なり合うように配置されていることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】植物工場用の光源や蛍光体励起用の光源として使用可能であり、かつ高圧ナトリウムランプや発光ダイオードよりも設備コストや消費電力を低減できる半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】互いに対向配置された一対の共振器面を有する半導体レーザ素子３０において、第１導電型の半導体基板１と、半導体基板１の下方に形成され、一対の共振器面から外部に向けて出射されるレーザ光Ｌａを発生すると共に半導体基板１に向けて自然放出光Ｌｂを発生する活性層５と、活性層５の下方に形成された第２導電型のリッジ１４と、リッジ１４に接続された第１の電極１９（２０）と、半導体基板１に接続された第２の電極２６と、を備え、自然放出光Ｌｂは、半導体基板１におけるリッジ１４が形成されている領域に対応する領域から外部に向けて出射される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の特性を向上させるとともに、光軸調整にかかるコストを低減することが可能な集積型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この集積型半導体レーザ素子は、発光領域１３を含むとともに、リッジ部８を有する青紫色レーザ素子１１０と、発光領域３４を含むとともに、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａを有する赤色レーザ素子１２０とを備えている。そして、リッジ部８は、ｎ型電流ブロック層３０の開口部３０ａに嵌め込まれており、発光領域１３と発光領域３４とは、半導体層の積層方向の同一線上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】共通光学系のレンズシフト量を最小限にすることができ、光ディスク装置の小型化を図ることができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２２に、ｎ型クラッド層４１ないしｐ型コンタクト層４４を順次成長させ、ｐ型コンタクト層４４およびｐ型クラッド層４３の上層部を選択的にエッチングして細い帯状の非対称なリッジ部を形成する。ｐ型コンタクト層４４ないしｎ型クラッド層４１を選択的に除去することにより、基板２２の（０１１）面側にＡｌＧａＩｎＰ系レーザ素子２４を形成する。基板２２に、ｎ型クラッド層５２ないしｐ型コンタクト層５５を順次成長させたのち、これらを選択的に除去し、ｐ型コンタクト層５５およびｐ型クラッド層５４の上層部に電流ブロック領域５６を形成することにより、基板２２の（０−１−１）面側にＡｌＧａＡｓレーザ素子２６を形成する。 （もっと読む）

【課題】導波路の斜め端面による端面反射率の低減効果を得ながらも、半導体光素子の導波路に入射するビームの方向或いは導波路から出射するビームの方向を、劈開端面とは独立に設計可能にした半導体光素子および光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０はハイメサ型の導波路１２を有する。導波路１２は、劈開端面１６とは異なる斜め端面１７を出射端面として有する。斜め端面１７による端面反射率を低減できると共に、斜め端面１７から出射する出射ビーム２１の方向を、劈開端面１６とは独立に設計できる。出射ビーム２１が劈開端面１６に対して垂直に出射されるようにしている。このため、半導体光素子の出射ビームを光ファイバや他の導波路などに結合しようとする場合、半導体レーザ１０を斜めに傾けてサブマウントに配置するなどの工夫をする必要が無い。 （もっと読む）

【課題】短波長半導体レーザにおいて、導波路内を水平方向に光が進むことにより高い出力が得られ、２次元配列が可能な可視領域波長の傾斜面集積型レーザを接合面下向き組み立てにより実装可能とする。
【解決手段】半導体基板の一主面上に設けた薄膜結晶により形成され、その一主面に垂直な半導体基板方向に光を放射する機能を有する半導体発光素子と、半導体基板の他主面より一主面に向かって薄膜結晶に到達する、もしくは光が透過するに十分な厚みの半導体基板を残して近接する孔部を形成し、該孔部より光を出射する半導体素子であって、この孔部に対向する基板表面には発光素子の通電を必要としない構成部分が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程が簡単で、かつ、利得を向上できる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】レーザユニット２は、非極性面であるｍ面を主面とする基板１上にIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させて構成されている。レーザユニット２は、ｃ面に平行な一対の共振器端面６Ａ，６Ｂを備えた光共振器６と、一方の共振器端面６Ａに対向し、基板主面の法線に対して傾斜した反射用ファセット面７Ａを有する反射部７とを備えている。光共振器６からは基板主面に平行な方向にレーザ光３が出射される。このレーザ光３が、反射用ファセット面７Ａに向けて放射される。反射用ファセット面７Ａに形成された反射膜１０で反射された後の光は、基板主面と交差する方向へと導かれる。 （もっと読む）

【課題】搭載されるデバイスの小型化を可能にする多波長レーザを提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１０上に、ＧａＮ基板１０上での結晶成長により形成されたレーザ構造部ＬＤ１と、ＧａＮ基板１０とは異なる基板（ＧａＡｓ基板１３０）上での結晶成長により形成されると共にＧａＮ基板１０上に、絶縁層１１、接着層１２および電極層１３からなる積層構造を介して配設されたレーザ構造部ＬＤ２，ＬＤ３とが設けられている。つまり、レーザ構造部ＬＤ１とレーザ構造部ＬＤ２，ＬＤ３とが互いに異なる基板上での結晶成長により形成されているので、レーザ構造部ＬＤ１と、レーザ構造部ＬＤ２，ＬＤ３との波長差を大きくすることができる。また、各レーザ構造部ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３が共通のＧａＮ基板１０上に設けられているので、各レーザ構造部ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３から射出されるレーザ光の光軸の間隔を十分に狭くすることができる。 （もっと読む）

【課題】水平方向の光放射角、および、発光点間隔の両方の制御性を向上させることが可能な半導体レーザ素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子の形成方法は、ＧａＡｓ基板１上に、発光層１３、エッチングストップ層１５、および、ｐ型第２クラッド層１６を含む第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程と、ＧａＡｓ基板上１に、発光層２３、エッチングストップ層２５、および、ｐ型第２クラッド層２６を含む第２半導体レーザ素子部２０を形成する工程と、エッチングにより、第１半導体レーザ素子部１０および第２半導体レーザ素子部２０に、それぞれ、リッジ部１６ａおよび２６ａを形成する工程とを備えている。また、第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程は、ｐ型第２クラッド層１６を、ｐ型第２クラッド層２６の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】面発光型の半導体レーザ素子の製造工程を複雑化することなく、レーザ光の偏向方向を安定させることができる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型の半導体レーザ素子２と、この半導体レーザ素子２が搭載される素子搭載面３Ａを有するステム３とを備える半導体レーザ装置の構成として、ステム３の素子搭載面３Ａに導電性ペースト１７を用いて半導体レーザ素子２を搭載するとともに、半導体レーザ素子２に引っ張り歪みを付与する突起部１９をステム３に設けた。 （もっと読む）

【課題】 比屈折率差が小さい系においても、Ｇｕｉｄｅｄ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅを起こさせる構造体を提供する。
【解決手段】 高屈折率である第１の部材１０１０に複数の孔が周期的に配列されているフォトニック結晶層１０００と、低屈折率である第２の部材１０２０とを有する構造体であって、第１の部材１０１０の上には第３の部材１０１５が形成されている。この第３の部材１０１５の屈折率は、１．０よりも大きく、また第１の部材１０００が有する屈折率よりも低い。そして、フォトニック結晶層１０００に設けられている孔の深さは、第１の部材１０１０の厚さの２０％以上８０％以下である。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振のためのしきい値電流を低減可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１と、キャビティ２と、ストライプ層４と、正極電極５と、負極電極６とを備える。キャビティ２は、基板１上に設けられる。そして、キャビティ２は、活性層を含み、レーザ光を出射する。ストライプ層４は、リング形状からなる平面形状を有し、キャビティ２上に形成される。正極電極５は、リング形状からなる平面形状を有し、ストライプ層４上に形成される。負極電極６は、基板１の裏面に形成される。そして、ストライプ層４は、正極電極５からキャビティ２へ注入された注入電流の拡がりを抑制する。 （もっと読む）

【課題】小口径に分割できると共に高次モードの抑制ができ、分割された面発光レーザがほぼ等しい周波数で発振することが可能な面発光レーザを実現する。
【解決手段】活性層に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、基板と、基板の上に形成された第１のミラーと、第１のミラーの上に形成された第１のスペーサ層と、第１のスペーサ層の上に形成された活性層と、活性層の上に形成された第２のスペーサ層と、第２のスペーサ層の上に形成され複数に分割された第２のミラーと、第２のミラーの上に形成されたバルク層とを備える。 （もっと読む）