【課題】スペックルノイズ及びキンクの双方を効果的に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａを有する半導体基板１０と、半導体基板１０の主面１０ａ上において主面１０ａに沿った方向Ａ１に並んで設けられ、シングルモードのレーザ光を出射する半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂとを備える。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各々は、方向Ａ１と交差し主面１０ａに沿った方向Ａ２に延びる光導波路構造２１と、方向Ａ２における光導波路構造２１の両端に形成された一対の共振端面２２ａ，２２ｂと、光導波路構造２１に電流を供給する為の電極２３とを有する。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの電極２３は互いに短絡されている。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各々から出射されるレーザ光は、互いに重なってマルチモードのレーザ光となる。 （もっと読む）

【課題】従来とは異なる構成でスペックルノイズを低減する半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射する光を略平行光にするコリメータレンズと、前記コリメータレンズから出射する光を分光する分光手段と、前記分光手段によって分光された光の中から特定波長の光を前記半導体レーザ素子へ帰還させる帰還手段と、前記分光手段、前記帰還手段、又は前記分光手段及び前記帰還手段を所定の回転中心を中心にして周期的に回転移動させる移動手段と、を備えた半導体レーザ装置である。 （もっと読む）

【課題】効果的にノイズを低減することが可能なＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】このＧａＮ系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成され、活性層１４を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に形成されたストライプ状導波路構造と、窒化物半導体層上に形成され、ワイヤボンド領域２２ａを有するｐ側電極２２とを備えている。窒化物半導体層は、ワイヤボンド領域２２ａの外側の領域に、上面から少なくとも活性層１４を含む位置まで設けられた光の吸収部分５０を有している。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により、スペックルノイズの発生を低減することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この携帯型プロジェクタ１００（表示装置）は、レーザ光を出力する赤色ＬＤ１２、青色ＬＤ１３および緑色ＬＤ１４と、レーザ光を走査させることにより、任意の投影領域に複数の画素からなる画像を投影するスキャナミラー１７と、複数の画素のうち一部の画素に対して、レーザの発振初期においてレーザ光の出力が不安定になる緩和振動の領域を含むレーザ光を出力するとともに、複数の画素のうち一部の画素以外の画素に対して、緩和振動の領域を含まないレーザ光を出力する制御を行うレーザ制御部１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ重畳をかけることなく戻り光雑音を抑制することができるシングルモード半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性層には、誘導放出を行うアクティブ領域以外に、光出射端面から一定の距離内に誘導放出を行わないパッシブ領域が設けられ、パッシブ領域の屈折率をｎ_Ｐ、活性層のうち、メサストライプ領域の屈折率をｎ_Ｓ、アクティブ領域のうち、メサストライプ領域中心部の屈折率をｎ_Ｃ、としたときに、誘導放出を行う動作時の屈折率がｎ_Ｐ＜ｎ_Ｓ＜ｎ_Ｃである。誘導放出されたレーザ光は、パッシブ領域によりスポットサイズが広げられ、光出射端面から出力する。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減することが可能な半導体レーザ素子の駆動方法及び半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ｐ側電極とｎ側電極の間に、ストライプ状の光導波路が設けられた半導体素子構造を有し、前記ｐ側電極及びｎ側電極の少なくとも一方が前記光導波路の長手方向に分離された複数の小片電極からなる半導体レーザ素子の駆動方法であって、発振閾値以上の順方向電圧を印加する前記小片電極を周期的に切り替える、又は発振閾値以上の順方向電圧を印加する前記小片電極の数を周期的に変えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】雑音の誘発を抑制する半導体光装置を提供すること。
【解決手段】光を増幅する第１光素子２と、第１光素子２の一端面から入射する光から所定波長帯域の光を選択する第２光素子１３と、第２光素子１３と第１光素子２を光結合させる第１の光導波路２２と、第１光素子２の他端面から入射する光を反射する反射鏡３８と、反射鏡３８と第１光素子２を光結合させる光第２の導波路３７とを備える光共振器２，３８、１３と、光共振器２、３８、１３に光結合される光出力部２４ａとを有し、第２の光導波路３７が光ファイバを有することを特徴とする半導体光装置。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で雑音特性の改善を図ることが可能となる半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】基板上に、活性層を含む複数の半導体層が積層された構造を備え、活性層における光導波路の入射側から出射側に信号光を増幅しながら導波する一方、
活性層に対し、外部光照射手段により外部光を照射して該活性層内のキャリア数を減少させるようにした半導体光増幅器であって、
外部光照射手段は、光導波路において信号光を導波する方向と直交する方向に、外部光が照射可能に構成されると共に、
外部光照射手段により外部光を活性層に照射するに当たり、光導波路における信号光の入射側では強い光強度で、光導波路における信号光の出射側では弱い光強度で照射可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型のレーザー光源を前提として、出力レーザー光の可干渉性を低下させることでスペックルノイズを確実に低減し得る光源装置を提供する。
【解決手段】レーザー光を射出するエミッター２２を有する第１発光素子１２と、エミッター２２から射出されたレーザー光が入射するように配置されたエミッター２３を有する第２発光素子を備え、エミッター２３は、射出されたレーザー光がエミッター２２へ入射するように配置され、エミッター２２と異なる２つのエミッター２３の間の光路上に、空間的に選択波長が異なる波長選択素子１７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単一光子の波長変換において、信号対雑音比の低下を防ぐこと。
【解決手段】波長変換装置は、第１の量子ドット及び第２の量子ドットを有する結合量子ドットと、結合量子ドットを内包する光共振器と、結合量子ドットに印加する電圧を制御する電圧制御部とを備え、第１の量子ドットにおける極性の異なるキャリアのうちの一方のキャリアのエネルギー準位と他方のキャリアのエネルギー準位との間のエネルギー差は入射単一光子のエネルギーに一致し、第２の量子ドットにおける極性の異なるキャリアのうちの一方のキャリアのエネルギー準位と他方のキャリアのエネルギー準位との間のエネルギー差、又は、第１の量子ドットにおけるキャリアのエネルギー準位と第２の量子ドットにおける該キャリアとは極性の異なるキャリアのエネルギー準位との間のエネルギー差は、光共振器の共鳴エネルギーに等しい。 （もっと読む）

連続モードホップフリー同調可能格子外部空洞レーザであって、利得媒質とコリメートレンズとからなる少なくとも１つの光学ユニットと、同調装置と、少なくとも１つの回折格子とを備え、前記利得媒質から出射されたコヒーレントビームは、前記コリメートレンズを経て平行光になり、前記平行光が前記回折格子で回折された後に、一部の回折光は、そのまま出力される第１出力レーザ光になり、他の一部の回折光は、元の入射光路に沿って前記利得媒質に戻り、前記利得媒質において、レーザ発振閾値を超えるまで発振・増幅されると、第２出力レーザ光になり、前記回折格子は前記同調装置に設けられ、前記同調装置は前記回折格子を前記回折格子の裏面に位置する回転軸回りに回転させるように駆動し、前記回転軸は前記回折格子の回折表面に平行しかつレーザの光軸に垂直する。レーザ周波数へのモードホップフリー連続同調を実現でき、レーザの生産コストを削減できる。
（もっと読む）

【課題】高出力・高温動作時の消費電力を抑制し、信頼性の高い二波長レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、共に基板１０１上に形成された第１の半導体レーザ素子１０２と、第１の半導体レーザ素子１０２と発振波長が異なり、第２の半導体レーザ素子１０３とを備える。第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３の共振器長は１５００μｍ以上であり、第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３は、それぞれＩｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ１Ａｌ_ｘ１）_１−ｙＰ （０＜ｘ１＜１、０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層と、Ｉｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ２Ａｌ_ｘ２）_１−ｙＰ （０＜ｘ２＜１、０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層とを有している。活性層３０３は、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０≦ｚ＜１）からなり、１層のみの井戸層を含む。 （もっと読む）

【課題】活性層へのｐ型不純物の拡散を抑え、利得、雑音指数の特性劣化が生じないようにする。
【解決手段】半導体素子を、ＩｎＰ基板１上に設けられ、活性層４を有するメサ構造６と、ｐ型不純物をドープした半導体材料からなり、メサ構造の両側を埋め込む第１埋込層７と、少なくとも活性層４の側面と第１埋込層７との間に設けられたＩｎ_１−ｘＧａ_ｘＰ（０＜ｘ≦１）ブロック層１２とを備えるものとし、Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘＰ（０＜ｘ≦１）ブロック層１２の膜厚を、臨界膜厚よりも薄く、かつ、ｐ型不純物の拡散長よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】小型であって、かつ、複数のレーザー光同士のコヒーレンスを低減させ、スペックルノイズを抑えたレーザー光源装置及びこれを備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置は、基本波光を出力する光源部分と、前記基本波光を入射して、該基本波光に含まれる所定の波長を選択的に透過する波長選択素子と、を備え、前記波長選択素子は、前記基本波光の入射によって選択波長が変化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型レーザのモードホップノイズを小さくして、精密な温度制御を必要としない、低価格且つ低ノイズの光送信装置を提供すること。
【解決手段】光増幅ユニットと、回折格子が設けられた第２のコア層を含み、前記光増幅ユニットに光学的に結合した光導波路を備えた光導波路ユニットとを有するレーザ光生成装置と、前記光増幅ユニットに電気信号を印加して、前記電流を前記半導体層に注入する電気信号源を具備し、前記レーザ光生成装置は、前記電気信号に従って、前記光反射面と前記回折格子が形成する光共振器の複数の共振器モードでレーザ発振する第１の状態と、前記第１の状態より発光強度が小さい第２の状態の間を往復して光信号を発生し、更に、前記共振器モードの間隔に相当する周波数が、前記電気信号のビットレートに対応する周波数より高いこと。 （もっと読む）

【課題】素子単体でスペックルが低減された半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、基本横モードと１次横モードとを許容する能動多モード導波路と、前記基本横モードが前記１次横モードよりも多く分布する第１の活性層領域と、前記１次横モードが前記基本横モードよりも多く分布する第２の活性層領域と、を有する活性層と、を備え、前記第１の活性層領域の発光波長と、前記第２の活性層領域の発光波長が異なることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、支持部１２０と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、活性層と離間して形成された反射部１４０と、を含む。活性層のうちの少なくとも一部は、複数の利得領域１６０，１６２を構成し、各々は、活性層の第１側面１０５から、それと平行な活性層の第２側面に向かって、傾いて設けられる。複数の利得領域は、少なくとも１つの利得領域対１６３をなし、第１利得領域の第２側面側の端面のうちの少なくとも一部と、第２利得領域の第２側面側の端面のうちの少なくとも一部とは、重なっている。第１利得領域の第１側面側の端面から出射される光２０は、反射部によって反射して、第２利得領域の第１側面側の端面から出射される光２２と、同一の方向または集束する方向に進む。 （もっと読む）

【課題】駆動系の複雑化やエネルギー効率の低下を招くことなく、スペックルノイズを低減することが可能なレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置１は、基本波長の光を発する活性層１４と、活性層１４から入射した基本波長の光を反射させて折り返す第１反射部１２と、第１反射部１２とともにレーザー発振を生じさせる共振器を構成し、活性層１４から入射した基本波長の光を反射させて折り返す第２反射部１７と、活性層１４の面方向において互いに独立した複数の発光領域に、活性層１４に入射する光を分割して集光する集光部１６と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】クラッド層にリッジストライプ１１を有する半導体レーザにおいて、リッジストライプ１１の両側面およびリッジストライプ１１の両側の底面に延在して電流狭窄用絶縁膜１４を設ける。電流狭窄用絶縁膜１４のうちの両共振器端面の近傍の部分以外の部分に、リッジストライプ１１の部分のレーザ構造の等価屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率絶縁体を含ませる。例えば、リッジストライプ１１の両側の底面に高屈折率絶縁膜１４ａを形成する。 （もっと読む）