【課題】不純物を直接ドーピングしても良好な結晶性を得ることができる量子ドットの形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓバッファ層の厚さが所定値に達すると、Ｉｎ及びＡｓの原料を供給し始める。この結果、ぬれ層が成長し始める。ぬれ層の成長開始から１２０秒程度経過すると、核生成が生じる（段階Ａ）。更に５秒間程度経過すると、核生成が停止し、各核を起点として量子ドットに原料が凝集し始める（段階Ｂ）。この段階においてＳｉの供給を開始し、量子ドットに不純物としてＳｉをドーピングする。更に３０秒間程度経過すると、量子ドットの凝集が停止し始める（段階Ｃ）。凝集が停止し始める時に不純物の供給を停止する。つまり、Ｓｉのドーピングを停止する。その後、不純物の供給を停止してから４５秒間経過した時にＩｎの供給を停止し、Ｇａの供給を再開することにより、キャップ層の形成を開始する。 （もっと読む）

【課題】 安全性が高く、結晶欠陥を生じにくい半導体レーザ素子の製造方法を提供することである。
【解決手段】 半導体レーザ素子の製造方法は、ＧａＡｓ層形成工程と、保護層形成工程と、不純物活性化工程と、保護層除去工程とを含んで構成される。ＧａＡｓ層形成工程では、半導体レーザ素子の前駆体１１の表面上に、ＧａＡｓを含むＧａＡｓ層を形成する。保護層形成工程では、Ａｌ、ＧａおよびＡｓを含む保護層（２３，６７）を形成する。不純物活性化工程では、ＧａＡｓ層形成工程で形成したＧａＡｓ層の温度を上昇させ、ＧａＡｓ層内に、予め定める不純物を活性化させる。保護層除去工程では、保護層形成工程において形成した保護層（２３，６７）を除去する。 （もっと読む）

【課題】内部に形成した電流狭窄層において、ｐ型窒化物半導体層から拡散されるｐ型の不純物によるｐ型転化を抑制して良好な電流狭窄特性を得る。
【解決手段】第３のｐ型光ガイド層１０から電流狭窄層９へのｐ型の不純物の拡散を考慮して、電流狭窄層９中にｎ型の不純物濃度が少なくとも１つのピークを持つように分布させる。これにより、ｎ型の不純物のピーク領域によって、拡散してくるｐ型の不純物を補償，捕獲して、電流狭窄層９のｐ型転化を抑制して、良好な電流狭窄特性を得る窒化物半導体装置の作成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される複数個の柱と、前記基板上に前記柱の間に配置される金属層と、前記柱の上及び間に配置される半導体層と、を含む。半導体素子は、金属層によって、電気的及び光学的特性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥の発生とリーク電流の発生を防止し、発光効率の飽和が抑制され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体レーザ２と第２の半導体レーザ３とを備え、第１の半導体レーザは、第一クラッド層１２と、第一拡散防止層１３と、第二クラッド層１４と、禁制帯幅がＥ１の第一量子井戸活性層１５とが順に積層されて構成され、第２の半導体レーザは、第四クラッド層２２と、第二拡散防止層２３と、第五クラッド層２４と、禁制帯幅がＥ２の第二量子井戸活性層２５とが順に積層されて構成されている。窓領域における第一拡散防止層と第二クラッド層との間に立ち上がり電圧がＶ１のｐｎ接合が形成され、窓領域における第二拡散防止層と第五クラッド層との間に立ち上がり電圧がＶ２のｐｎ接合が形成され、Ｅ１とＶ１とがＥ１＜ｅ×Ｖ１を満たし、Ｅ２とＶ２とがＥ２＜ｅ×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法において、半導体装置内部の欠陥を低減するとともに、製造工程における歩留まりを改善し、装置の信頼性を高めて寿命を延ばす。
【解決手段】 バッファ層を提供するとともに、第１の半導体層５３０をバッファ層５２０の表面に形成する。続いて、エピタキシャル工程にて不純物を高濃度でドーピングする方式でドーピング層５４０ａを第１の半導体層５３０の表面に形成する。その後、第１のドーピング層５４０ａの表面を第２の半導体層５５０ａで被覆する。最後に、第２の半導体層５５０ａ上に半導体発光素子５６０を成長させる。第１のドーピング層５４０ａの形成と第２の半導体層５５０ａでの被覆とが一連の工程である。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント接合位置近傍に於ける欠陥の発生を抑制して、AlGaInAs製の活性層を備えた集積型光半導体装置の性能を向上させる、集積型光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体マスクによって形成される庇の下に、［-１１０］方向を向いた側面を第１の上部クラッド層及びAlGaInAs製の第１の活性層に形成し、基板上の前記誘電体マスクによって覆われていない領域に第２の活性層と第２の上部クラッド層を成長する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ酸化膜をより確実に除去することができる光半導体素子の製造方法を得る。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板１０上に、ダミー層１４、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ下光閉込層１６、ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１８、ｎ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ上光閉込層２０を有する半導体積層構造２４を形成する。半導体積層構造２４をウェットエッチングしてメサ構造２８を形成する。メサ構造２８のダミー層１４以外の層に対してダミー層１４を選択的にウェットエッチングしてメサ構造２８の側面に凹部３０を形成する。Ａｌを含む下光閉込層１６、多重量子井戸活性層１８及び上光閉込層２０の表面に形成されたＡｌ酸化膜をエッチング除去する。メサ構造２８の両側をｐ型ＩｎＰ埋込層３２、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層３４、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層３６及びｎ型ＩｎＰ埋込層３８（埋込層）で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥を発生させずに、閾値電流を低減することの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】酸化層３２を含む複数の半導体ブロック３０がＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層２０のリッジ部２５上に設けられている。複数の半導体ブロック３０は、上部電極２７および金属層４０を介してリッジ部２５に接合されており、リッジ部２５の延在方向に沿って配列されている。これにより、酸化層２７から、活性層２２のうちリッジ部２５の直下の部分に対して、リッジ部２５の延在方向と直交する方向（［１１−２０］結晶方位と平行な方向）に一軸性の圧縮歪みＳ（図２参照）が印加される。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の作製プロセス中、活性層にダメージを与えることを抑制可能な半導体光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１１の上に、所定の膜応力および所定の厚みを有するシリコン酸化膜１３を形成する第１工程と、第１工程の後に、シリコン酸化膜１３の上に形成したレジスト１５を用いてシリコン酸化膜１３を基板１１の表面１１ａが露出するまでエッチングすることにより、シリコン酸化膜１３にストライプ状の溝１７を形成する第２工程と、第２工程の後に、溝１７に、活性層２３を含む半導体積層１９を成長する第３工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 、全面に渡って転位密度を低減し、クラック発生を抑制することが可能な窒化物半導体基板及びその製造方法、及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 この窒化物半導体基板は、基板（Ａ、Ｂ，Ｄ１）と、基板（Ａ、Ｂ，Ｄ１）上に形成され離間した結晶成長制限部Ｃと、基板（Ａ、Ｂ，Ｄ１）及び結晶成長制限部Ｃを被覆し、その露出表面の、Ｚ軸に平行な断面（ＸＺ断面）が、波の形状を構成し、この波の形状が多角形状になまっている窒化物半導体からなる波状層（Ｄ２，Ｅ，Ｆ２）と、波状層（Ｄ２，Ｅ，Ｆ２）上に形成され窒化物半導体からなる平坦化層Ｇとを備えている。形状変更層Ｆ２の露出表面が熱処理によって多角形状になまっているため、埋め込む山谷差が小さくなり、埋め込み体積が減るため、埋め込み成長がし易く、平坦化層Ｇが形状変形層Ｆ２内に緻密に埋まっている。 （もっと読む）

【課題】光出射端面から離れた活性層の領域における結晶劣化を抑制することができる構成、構造を有する端面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】端面発光型半導体レーザ素子は、第１化合物半導体層２１、活性層２３及び第２化合物半導体層２２が、順次、積層された積層構造体から成り、光出射端面からレーザ光を出射する発光部２０を有し、第２化合物半導体層２２は、ストライプ状の電流注入領域３１を有しており、しかも、第２化合物半導体層２２には、電流注入領域３１の両側であって、電流注入領域３１から離間し、且つ、光出射端面から離れた領域に凹部３３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の面発光レーザアレイ（ＶＣＳＥＬ）の作製方法を提供すると共に、作製した面発光レーザアレイを用いた高速または高解像度の書き込みが可能な画像形成装置を実現する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ素子は、少なくとも一部がＡ１組成の異なるＡｌＧａＡｓ高屈折率層と低屈折率層とからなるＤＢＲ（反射鏡）１０２，１０６とＤＢＲで挟まれた活性層１０３を有し、選択酸化層１０５により電流挟窄を行う面発光レーザ単素子（ＶＣＳＥＬ単素子）において、ＶＣＳＥＬ素子に電流を注入するための配線であって、凸部であるＶＣＳＥＬ素子のメサ上部からメサ底部を接続するメサ側壁部配線幅Ｗ２は凹部であるメサ底部に形成された配線幅Ｗ３よりも広いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層１２を積層し、該バッファ層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６を順次積層する方法であり、基板１１に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、前処理工程に次いで、基板１１上にバッファ層１２を、少なくとも金属Ｇａ原料とＶ族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）なる組成で形成するバッファ層形成工程と、バッファ層１２上に下地層１４ａを形成する下地層形成工程と、が備えられている。 （もっと読む）

【課題】基板上にＤＢＲミラーを形成した場合であっても転位の発生を抑制した高信頼性の面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる面発光レーザ素子１００は、下部ＤＢＲミラー２の平均歪と下部ＤＢＲミラー２の膜厚とは、基板１の反りが所定の条件を満たすように設定され、下部ＤＢＲミラー２の平均歪と下部ＤＢＲミラー２に含まれる平均窒素組成との関係をもとに、設定された下部ＤＢＲミラー２の平均歪に対応する組成、たとえば０．０２８％から０．３９０％の組成で下部ＤＢＲミラー２に窒素を添加することによって、基板１上にＤＢＲミラーを形成した場合であっても転位の発生を適切に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】寿命が低下するのを抑制することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子３０は、基板１１と、基板１１の側端面３０ａの主表面側に形成された段差部２１ｃと、側端面３０ａの反対側で、かつ、側端面３０ａと略平行な側端面３０ｂの主表面側に形成された段差部２１ｄと、主表面上に、段差部２１ｃの側壁２１ａを起点とする（０００−１）面からなる結晶成長面１２ａと、段差部２１ｄの側壁２１ｂを起点とする結晶成長面１２ｂとを含む窒化物系半導体層１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高品質の量子井戸層（活性層）結晶を有し良好な高温動作特性を有する光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置において、ＩｎＧａＡｓ基板又はＧａＡｓ基板の上にＩｎＧａＡｓからなるメタモルフィックバッファ層を形成した基板１と、前記メタモルフィックバッファ層を成長した基板の上に形成される下部クラッド層５と、前記下部クラッド層の上に形成され、バリア層とＧａＩｎＮＡｓからなる量子井戸層２とからなる１層又は多層の量子井戸構造７と、前記量子井戸構造７の上に形成される上部クラッド層６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ，Ｉｎ，ＮおよびＡｓを含む井戸領域中のＮに起因する結晶欠陥を低減し、該井戸領域のＰＬ強度を高めることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、ＧａＡｓ基板２と、ＧａＡｓ基板２上に設けられた単一量子井戸構造３とを備える。単一量子井戸構造３は、井戸領域４、下部バリア領域５および上部バリア領域６を有する。井戸領域４は、Ｇａ、Ｉｎ、ＮおよびＡｓを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなり、井戸領域４にはｎ型不純物（シリコンを除く）がドープされている。Ｇａ，Ｉｎ，ＮおよびＡｓを含む半導体結晶に例えば硫黄（Ｓ）といったｎ型不純物をドープすることにより、ＡｓおよびＮの原子半径の違いに起因する結晶欠陥を低減することができるので、井戸領域４のＰＬ強度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】貫通転位を低減された窒化物半導体層を含む構造体及び窒化物半導体層を含む複合基板と、それらの製造方法等を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を含む構造体であって、
少なくとも二つの窒化物半導体層による積層構造を備え、
前記積層構造における前記二つの窒化物半導体層の間に、該二つの窒化物半導体の下層側における窒化物半導体層上に形成された凹凸パターンの凹部の内壁を含む壁面によって囲まれた複数の空洞を有し、
前記空洞を形成する前記凹部の内壁の少なくとも一部に、前記窒化物半導体層の横方向成長を抑制する結晶性が乱れている部分が形成されている構成とする。 （もっと読む）