【課題】第１半導体層上へのそれとは異なる第２半導体層を形成する新規な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子Ｌの製造方法は、主面１２ａがｃ面であり且つ該主面１２ａとは異なる結晶成長面１２ｂが露出した第１半導体層１２を有する基板１０を用い、基板１０の第１半導体層１２の露出した結晶成長面１２ｂを起点として、第１半導体層１２を構成する半導体とは異なる半導体を結晶成長させることにより、第１半導体層１２上に第２半導体層１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】非極性面上に形成される発光素子において光閉じ込め性を向上できると共に転位による光学ロスを低減できる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】コア半導体領域１５、第１クラッド領域１７及び第２クラッド領域１９はＧａＮの支持基体１３の非極性の主面１３ａ上に搭載される。コア半導体領域１５は活性層２１及びキャリアブロック層２３を含む。第１クラッド領域１７はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２５及びｎ型ＩｎＡｌＧａＮクラッド層２６を含む。ｎ型ＩｎＡｌＧａＮクラッド層２６はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２５と活性層２１との間に設けられる。界面２７ｂにおけるミスフィット転位密度は界面２７ａにおけるミスフィット転位密度より大きい。ＡｌＧａＮクラッド層２５はＧａＮ支持基体１３に対して格子緩和し、ＩｎＡｌＧａＮクラッド層２６はＡｌＧａＮクラッド層２５に対して格子緩和している。 （もっと読む）

【課題】高い歩留でレーザーダイオードを製作することが可能な窒化物半導体自立基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法による窒化物半導体自立基板の製造方法であって、前記成長用基板上の前記窒化物半導体層が成長する領域における原料ガスを含むガスのガス流速を１ｍ／ｓ以上に、かつ、前記窒化物半導体層を形成するための原料ガスを含むガスを吹き出すガス吹出口から前記窒化物半導体層が成長する領域までの距離を５０ｃｍ以上に設定することで、ガス流れが均一となり、これにより、膜厚分布が大幅に改善し、基板表面Ｗ１での転位密度が４×１０^６／ｃｍ^２以下で、基板表面Ｗ１の面内における基板表面Ｗ１に沿った結晶軸の向きａのバラツキの範囲が、±０.２°以下の窒化物半導体自立基板Ｗが得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、ＧａＮのエピタキシャル付着により窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を製造するための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それが少なくとも１ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがＧａＮ基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からＧａＮ層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_aＧａ_1-aＮ（０．９≦ａ≦１．０）単結晶層３１および厚さ１０〜３０ｎｍのＡｌ_bＧａ_1-bＮ（０≦ｂ≦０．１）単結晶層３２が交互に繰り返し積層された第１の多層バッファ領域３と、厚さ２〜１０ｎｍのＡｌ_cＧａ_1-cＮ（０．９≦ｃ≦１．０）単結晶層４１および厚さ２００〜５００ｎｍのＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０≦ｄ≦０．１）単結晶層４２が交互に繰り返し積層された第２の多層バッファ領域４と、ＧａＮ単結晶層５と、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）単結晶層６とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。
【解決手段】n型Si基板10にエピタキシャル成長層40とp側電極26を形成する第1工程と、p側電極に支持基板30を接合する第2工程と、n型Si基板及びバッファ層40-1をエッチング除去する第3工程と、n型GaN層16の発光領域が形成される側の面16aの出力光を取り出す領域を除く領域にn側電極42を形成する第4工程と、を含んで構成されるLEDの製造方法。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を防止し、各窒化物半導体薄膜の各膜厚が均一で、表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】掘り込み領域２内において、側面部と底面部の境界に窪み７を形成するとともに、丘３の両端部に突起部５を形成することで、丘と掘り込み領域との間において、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子がマイグレーションなどで行き来することを抑制することにより、丘上において表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層４が形成でき、歩留まり良く窒化物半導体発光素子を製造できる。 （もっと読む）

【課題】低熱抵抗かつ低転位の面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、面発光レーザ装置、光源装置、および光導波路モジュールを提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板と、前記基板上に形成された、Ａｌ_xＧａ_1−xＡｓ（０．８≦ｘ≦１）からなる低屈折率層とＡｌ_yＧａ_1−yＡｓ（０≦ｙ＜ｘ）からなる高屈折率層との周期構造から形成され、かつ該低屈折率層および高屈折率層の少なくとも１層がｎ型である下部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡の上側に設けられた、低屈折率層と高屈折率層との周期構造から形成される上部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に設けられた活性層と、少なくとも前記下部多層膜反射鏡と前記活性層との間に設けられた、前記活性層に電流を注入するための下部電極と、を備える。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）などのデバイスを製造するための基板の前処理のための装置および方法に関する。本発明の一実施形態は、酸化アルミニウム含有基板の面をアンモニア（ＮＨ_３）およびハロゲンガスを含む前処理ガス混合物に暴露することにより酸化アルミニウム含有基板を前処理することを含む。
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【課題】結晶性が高く、また、内部抵抗が低減され、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにレーザダイオードを提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜成長用の基板１１上又は該基板１１上に形成されたバッファ層（ＩＩＩ族窒化物層）１２上に、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる組成を有する下地層（ＥＬＯ成長層）１３が形成され、下地層１３上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されており、下地層１３は、基板１１又はバッファ層１２上に形成された炭素材料からなるＥＬＯ用マスクパターンを用いて形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に高品質なＳｂ系結晶を成長させた半導体素子を提供することを可能にする。
【解決手段】本発明の一態様による半導体素子は、Ｓｉ基板１１上に設けられ、Ｓｂと、Ｓｂ以外のＶ族元素を含み、膜厚が１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の、第１の層１２と、第１の層上に設けられＳｂを含む第２の層１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上への窒化物半導体薄膜の形成時における、熱膨張係数差から生じる熱応力および多孔質シリコンの構造変化に起因したピットの問題を解消し、更に該被膜に生じる反りと応力を低減できる、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供。
【解決手段】シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に、歩留まりの向上等の目的で形成されたの掘り込み領域が、窒化物半導体薄膜の成長時に埋まってしまうことを抑制することを目的し、さらに、Ａｌ組成の変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成し、該窒化物半導体基板上に、ｎ型窒化物半導体薄膜、活性層およびＡｌを含むｐ型窒化物半導体薄膜を含む窒化物半導体薄膜を形成する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、上記ｐ型窒化物半導体薄膜を７００℃以上９００℃未満の温度で成膜することを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子のクラックの発生を防ぎ、かつ基板の掘り込み領域以外の領域上における窒化物半導体層の組成変動を抑制して、高い歩留まりで窒化物半導体発光素子を得る。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、掘り込み領域（１６）が形成された主面を有する窒化物半導体基板（１０ａ）と、掘り込み領域上に形成された結晶成長抑制膜（１０ｂ）と、結晶成長抑制膜（１０ｂ）および基板（１０ａ）の主面を覆うように堆積された複数の窒化物半導体層（１１）を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】低いピエゾ効果と共に良好な結晶品質を示すＩｎ含有窒化ガリウム系半導体層を含む窒化ガリウム系半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体光素子１１ａは、ＧａＮ支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５及び井戸層１９を備える。主面１３ａは、ＧａＮのｍ軸及びａ軸のうちの一方の結晶軸の方向に延びる基準軸に直交する面からＧａＮのｍ軸及びａ軸のうちの他方の結晶軸の方向に傾斜する。傾斜の角度Ａ_ＯＦＦは０．０５度以上１５度未満の範囲である。角度Ａ_ＯＦＦは、ベクトルＶＭとベクトルＶＮとの成す角に等しい。主面の傾斜は、代表的なｍ面Ｓ_Ｍ及びｍ軸ベクトルＶＭが示されている。ＧａＮ系半導体領域１５は、主面１３ａ上に設けられる。活性層１７の井戸層１９は、井戸層１９のｍ面及びａ面のいずれも主面１３ａの法線軸Ａ_Ｎに対して傾斜する。井戸層１９のインジウム組成は０．１より大きい。 （もっと読む）

【課題】良好な特性の半導体素子を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体素子は、ＡｌＮ基板、またはＳｉＣ基板上に形成されたＡｌＮ、またはＧａＮ基板上に形成されたＡｌＮ上に、少なくともＡｌＮに対して臨界膜厚以下の厚さのＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、０≦１−ｘ−ｙ≦１）または、少なくともＡｌＮに対して臨界膜厚以下の厚さのＳｉＣのいずれかからなる電子走行層と、ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ≦１）ゲートとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半極性面を有するＧａＮ支持基体上に設けられた発光層を含みミスフィット転位による発光効率の低下を抑制できる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１は、六方晶系窒化ガリウムからなる支持基体１３と、Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｙ１Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｙ１}Ｎ（０＜Ｘ１＜１、０＜Ｙ１＜１、Ｘ１＋Ｙ１＜１）層２１を含むｎ型窒化ガリウム系半導体層１５と、発光層１７と、ｐ型窒化ガリウム系半導体層１９とを備える。このＩｎＡｌＧａＮ層２１は半極性主面１３ａと発光層１７との間に設けられる。ＩｎＡｌＧａＮ層２１のバンドギャップＥが窒化ガリウムのバンドギャップＥ以上であるので、発光層１７へのキャリアと光の閉じ込め効果が提供される。ＩｎＡｌＧａＮ層２１のｃ面Ｓｃ２が法線軸Ａｘに対して傾斜しているけれども、ｃ面を主とするすべり面によるミスフィット転位の密度がＡｌＧａＮに比べて低減される。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物層を有する多層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に複数の核形成層を形成する工程と、該核形成層上に非極性ＩＩＩ族窒化物層を形成する工程とを備え、複数の核形成層がそれぞれ独立して下記式（Ｉ）で表される窒化物から選択される。


上記式において、ＡとＢは異なっており、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩＮ又はＴｌから選択され、且つ０≦ｘ≦１である。該複数の核形成層によって、応力の緩和、格子不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の減少、転位延長の阻止、転位密度の低減に有利になるため、表面が平坦で且つ結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて低閾値電流を実現し、かつ、発光効率が向上された半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオードは、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２は、ｐ型クラッド層１８およびｎ型クラッド層１４と、これらに挟まれたｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５と、これらに挟まれたＩｎを含む活性層１０とを備えた半導体レーザダイオード構造を有している。ｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５は、それぞれ、活性層１０に近づくほどＩｎ組成が大きくなっている。 （もっと読む）