【課題】凹凸を有する基層上に均一な結晶を成長させる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基層の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる工程を備えた半導体発光素子の製造方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基層の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】特性が改善可能な半導体面発光素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層６Ａ内に複数の穴Ｈを周期的に形成し、穴Ｈ内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層６Ｂを成長させてなるフォトニック結晶層６と、フォトニック結晶層６に対して光を供給する活性層４と、を備え、穴の側面は、｛１１０｝面を有しており、埋め込み層６Ｂは、穴の側面との界面である少なくとも１つの｛１１０｝面から突出した凸部ＨＢ１を有している。 （もっと読む）

【課題】特性が改善可能な半導体面発光素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層６Ａ内に複数の穴Ｈを周期的に形成し、穴Ｈ内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層６Ｂを成長させてなるフォトニック結晶層６と、フォトニック結晶層６に対して光を供給する活性層４と、を備え、基本層６Ａの主表面は（００１）面であり、穴Ｈの側面は、少なくとも異なる３つの｛１００｝面を有している。 （もっと読む）

【課題】断線等の発生が少ない信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に順次積層形成された下部半導体ＤＢＲ、活性層及び上部半導体ＤＢＲと、前記活性層及び前記上部半導体ＤＢＲに形成されたメサと、前記メサの上面から側面に形成される電極と、を有し、前記メサの上面は多角形状に形成されており、前記電極は前記メサの側面のうち２面以上に各々形成されており、前記メサ側面に形成された２以上の前記電極同士は接続されており、前記電極の形成される前記側面においては、前記電極の形成されない領域を有していることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】特性が改善可能な半導体面発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層６Ａ内に複数の穴Ｈを周期的に形成し、穴Ｈ内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層６Ｂを成長させてなるフォトニック結晶層６と、フォトニック結晶層６に対して光を供給する活性層４と、を備え、基本層６Ａの主表面は（００１）面であり、穴Ｈの側面は、異なる２つの｛１００｝面を有している。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた、Ａｌを含む化合物とその酸化絶縁物とを有する電流狭窄層を備える面発光レーザを提供する。
【解決手段】電流注入部１１０ａと電流狭窄部１１０ｂとを有する電流狭窄層１１０の両側に擬似的組成傾斜層１０９、１１１を設ける。擬似的組成傾斜層を形成する半導体層１７１、１７２、１７４、１７５の各層をＧａＡｓ層１７１ａ、１７２ａ、１７４ａ、１７５ａとＡｌＧａＡｓ層１７１ｂ、１７２ｂ、１７４ｂ、１７５ｂとでそれぞれ形成し、ＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層の膜厚比を変化させることによって、平均的Ａｌ組成が変化する擬似的組成傾斜層を構成し、擬似的組成傾斜層１０９、１１１内に設けたＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ａｓ層１７３によって、電流狭窄部１１０ｂを形成する際の酸化を停止する。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｎ型層と、前記ｎ型層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる活性層と、前記活性層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｐ型第１層と、前記ｐ型第１層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｐ型コンタクト層と、前記ｐ型第１層と前記ｐ型コンタクト層との間に設けられて上面が凹凸形状を有し、ｐ型不純物濃度が前記ｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低い、少なくともＩｎおよびＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体とを備えた凹凸層と、を備え、前記ｐ型コンタクト層の上面は前記凹凸層の前記凹凸形状を受け継いだ凹凸形状を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層内に形成される電子トラップ濃度を低減する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に接して形成されたＡｌＮを主成分とする下地層１２と、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２上に形成され、前記下地層１２から圧縮応力を受ける第１バッファ層１４と、前記第１バッファ層１４上に形成された第２バッファ層１６と、前記第２バッファ層１６上に形成されたＡｌの組成比が０．１以下のＧａＮ系半導体層１８と、を具備し、前記第２バッファ層１６における前記第１バッファ層１４側の面の結晶軸長に対し前記第１バッファ層１４と反対の面の結晶軸長が前記ＧａＮ系半導体層１８に近く、前記第２バッファ層１６の伝導帯底エネルギーが前記ＧａＮ系半導体層１８より高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まり、低コスト、高い信頼性および良好な波面品質のＩｎＧａＡｌＮレーザの提供。
【解決手段】基板１２上で、エピタキシャル成長され、下部クラッド層２０、活性層２２、上部クラッド層２４および接触層２６を有する。リソグラフィによって画定されたマスクを介したドライエッチングは、長さＩ_ｃおよび幅ｂ_ｍのレーザメサ３０を作製する。リソグラフィおよびエッチングの別の手順は、メサの上部に幅ｗのリッジ構造３２を形成する。エッチングステップはまた、レーザ導波路構造の端部にミラーまたはファセットを形成する。チップの長さＩ_ｓおよび幅ｂ_ｓは、導波路の長さＩ_ｃおよびメサの幅ｂ_ｍ以上の好都合な値とされ得る。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層であり、第５層で発生した光が伝播する導波路１１９は、第１面１０４ａの垂線方向から平面視して、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３と交差し、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_１であり、半導体部材１１８の、導波路１１９の延伸方向Ａの長さは、λ／２ｎ_２である。ただし、λは、第５層で発生する光の波長であり、ｎ_１は、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３における有効屈折率であり、ｎ_２は、半導体部材１１８における有効屈折率である。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高く信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態の窒化物半導体素子は、第１の主面上の面内方向に形成された複数の凸部１ａと、隣接する前記凸部の間の凹部１ｂと、を有する基板１と、前記基板１の前記凹部１ａ及び前記凸部１ｂ上に形成されたＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎ（０≦ｘ１≦１）第１埋込層２と、前記第１埋込層２上に形成されたＩｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_{１−ｙ−ｚ}Ｎ（０＜ｙ≦１、０≦ｚ≦１）埋込層３と、前記埋込層３上に形成されたＡｌ_ｘ２Ｇａ_１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２≦１）第２埋込層４と、を備える。前記第１埋込層２の前記凹部１ｂの上に形成された部分と、前記第１埋込層２の前記凸部１ａの上に形成された部分とは、互いに結合しない。前記埋込層３の前記凹部１ｂの上に形成された部分と、前記埋込層３の前記凸部１ａの上に形成された部分とは、互いに結合している。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、微細壁状部材１１２，１１３は、第１面１０４ａに隣接した第３層１１４と、第２面１０６ａに隣接した第４層１１６と、第３層１１４と第４層１１６とに挟まれた第５層と、を有し、半導体部材１１８は、微細壁状部材１１２，１１３に挟まれており、第１層１０４および第２層１０６の材質は、ＧａＮであり、第３層１１４、第４層１１６、第５層、および半導体部材１１８の材質は、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）であり、第５層のｘの値は、第３層１１４のｘの値、第４層１１６のｘの値、および半導体部材１１８のｘの値より大きく、第５層は、光を発生させ、かつ光を導波させる層であり、第３層１１４および第４層１１６は、第５層で発生した光を導波させる層であり、第１層１０４および第２層１０６は、第５層で発生した光の漏れを抑制する層である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層からの欠陥の転移を十分に抑制することができる面発光型半導体素子を提供すること。
【解決手段】面発光型半導体素子１では、電流狭窄層７が上側超格子構造層２１及び下側超格子構造層２２により挟まれており、これらの超格子構造層２１，２２は、複数の種類の結晶格子が重ね合わされた構造であるため、電流狭窄層７に欠陥が生じても、その欠陥は超格子構造層２１，２２内を伝搬し難くなり、欠陥が超格子構造層２１，２２を越えて他の層に転移することを防止することができる。よって、電流狭窄層７からの欠陥の転移を十分に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な化合物半導体層、特にIII族窒化物系化合物半導体層を有する半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に下地層を成膜する工程と、下地層上にＳｉＯ₂ 膜の帯状パターンマスクを形成し、次いで下地層及びサファイア基板の上部をエッチングして帯状の凸部と溝状の凹部とを交互に周期的に備えた凹凸構造を形成する工程と、その凹凸構造上にＧａＮ層を横方向成長法により成長させる工程と、この横方向成長工程の前（または後）に、識別マークを基板の少なくとも一方の面側に形成する工程と、識別マークを基準にして低欠陥密度領域上に半導体素子形成領域を位置決めする位置決め工程とを含む。横方向成長工程において、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的に形成されることを利用して、低欠陥密度領域の特定、および半導体素子形成領域の位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板１２であって、結晶成長面１２は複数の凸部１２ａと、複数の凸部１２ａ同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部１２ａから離隔する位置に設けられる凹部１２ｂと、を備える単結晶基板１２と、単結晶基板１２上に設けられ、複数の凸部１２ａのうち、一対の互いに隣接する凸部１２ａと、当該一対の凸部１２ａ同士の間に位置する凹部１２ｂにおいて、凹部１２ｂと一対の凸部１２ａとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部１２ａ同士の間に向かって延びる複数の転位１６を、一対の凸部１２ａ同士の間で結合させた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光半導体集積素子の信頼性及び性能の向上を図る。
【解決手段】光半導体集積素子１は、基板３０の（００１）面上方に形成された第１光半導体素子１０と、基板３０の（００１）面上方で、第１光半導体素子１０の［１１０］方向に、第１光半導体素子１０と光学的に接続されて形成された第２光半導体素子２０とを含む。第１光半導体素子１０は、第１コア層１１と、第１コア層１１上方に形成され、第２光半導体素子２０側の側面に、（００１）面となす角度θが５５°以上９０°以下の結晶面を有する第１クラッド層１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】六方晶系ＩＩＩ族窒化物の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子と、このＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を安定して作製する方法とを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１のアノード側にある第１の面１３ａの四つの角のそれぞれに、切欠部１１３ａ等の切欠部が形成されている。切欠部１１３ａ等は、素子１１を分離するために設けられたスクライブ溝の一部である。スクライブ溝はレーザスクライバで形成され、スクライブ溝の形状はレーザスクライバを制御することによって調整される。例えば、切欠部１１３ａ等の深さとＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子１１の厚みとの比は０．０５以上０．４以下、切欠部１１３ａの端部における側壁面の傾きは４５度以上８５度以下、切欠部１１３ｂの端部における側壁面の傾きは１０度以上３０度以下。 （もっと読む）

【課題】転位を少なくする半導体成長用基板および転位の少ない発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、 一方主面１５Ａから一部が突出するとともに、上面１４ａ´を有する突起１４ａを複数備えた単結晶基板１４と、
一方主面１５Ａの突起１４ａが配置されていない領域に設けられ、上部１４ａ´が突起１４ａの上面１４ａ´の高さ位置より高い位置にあるとともに、単結晶基板１４と異なる材料からなる複数の構造体１６と、単結晶基板１４上に構造体１６を被覆するように設けられた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）