【課題】半導体レーザと高調波発生素子とを用いて倍周波数のレーザ光を出力する発光装置に関し、出力特性の劣化を抑制しうる発光装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】単一縦モード発振する半導体レーザと、半導体レーザの温度を制御する第１のヒータと、半導体レーザから出力された光を増幅して出力する利得部と、利得部の温度を制御する第２のヒータと、利得部から出力された光を二次高調波に変換して出力する第二高調波発生素子と、環境温度及び前記利得部を駆動するための入力信号に基づいて第１のヒータを制御する制御装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】発振波長の高速制御を安定的に実現すること。
【解決手段】この波長可変半導体レーザの制御方法は、波長可変半導体レーザの発振波長を制御する制御方法であって、ＳＧ−ＤＦＢ領域２４における注入電流の変化に対する発振波長の変化率ａと、ＣＳＧ−ＤＢＲ領域２２におけるヒータ印加電力の変化に対する発振波長の変化率ｂとを取得し、目標発振波長と現在の発振波長との差分を算出し、差分がゼロに近づくように偏差が与えられた注入電流を、帰還制御によってＳＧ−ＤＦＢ領域２４に供給し、該注入電流の偏差及び変化率ａ，ｂを基に、ヒータ印加電力の目標値を決定し、該目標値と現在のヒータ印加電力との差がゼロに近づくように、帰還制御によってＣＳＧ−ＤＢＲ領域２２に供給するヒータ電流を調整する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加及び回路規模の増大を生じさせることなく、光出力及び波長の高速制御を可能にすること。
【解決手段】この波長可変半導体レーザの制御方法は、電流の注入によって利得波長特性が可変となるＳＧ−ＤＦＢ領域２４と、ヒータへの印加電力により反射波長特性が可変となるＣＳＧ−ＤＢＲ領域２２とを備え、動作温度、電流、及び印加電力により出力光の波長が可変とされる波長可変半導体レーザ１０の制御方法であって、印加電力、出力光の強度、及び動作温度をモニタすることで出力光の波長を所定値に維持し、外部制御信号に応答して、強度及び印加電力のみモニタしながら出力光の波長を切り替えて、波長を安定化させる。 （もっと読む）

【課題】 広い波長選択幅を実現する半導体レーザおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、利得領域と光吸収領域とを備え、回折格子部とスペース部とからなるセグメントが前記利得領域および前記光吸収領域に対応して複数接続して設けられ、利得スペクトルのピーク波長が第１の周期を持つ第１回折格子領域を有し、前記光吸収領域は、ｎ´−ｉ×ｋで表される前記光吸収領域の複素屈折率ｎが変化したとき、−１０≦Δｎ´／Δｋ≦１０を満たす（ｎは前記光吸収領域の複素屈折率、ｉは虚数単位、ｋは消衰係数、Δｎ´はｎが変化した場合のｎ´の変化量、Δｋはｎが変化した場合のｋの変化量を示す）ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度変化による補正を容易に行うことができるファイバレーザ発振器を提供する。
【解決手段】発熱部品である励起用レーザダイオード１１ａを当接配置するベース部３１ａと該ベース部３１ａから延設されて筐体１７外部に取り出される放熱部３１ｂとを備えて筐体１７よりも熱伝導率の高い材質からなる熱交換部３１と、熱交換部３１に取り付けられる温度センサと、温度センサからの温度情報に基づいて励起用レーザダイオード１１ａの駆動電流を補正する温度出力補正部とを備える。 （もっと読む）

【課題】光出力がオフ状態からオン状態に遷移する際に、安定した波長の光を出力すること。
【解決手段】光送信機１は、駆動電流Ｉ_ＬＤに応じて光信号Ｐ_Ｏを出力するＬＤ２１と、ＬＤ２１の温度Ｔ_ＬＤを制御するＴＥＣ２２と、ＬＤ２１に駆動電流Ｉ_ＬＤを供給するＬＤドライバ３と、ＴＥＣ２２の温度Ｔ_ＴＥＣを制御するＴＥＣドライバ４と、電流設定信号Ｓ_ＩをＬＤドライバ３に送出し、温度設定信号Ｓ_ＴをＴＥＣドライバ４に送出するコントローラ５と、を備え、コントローラ５は、光出力イネーブル信号ＥＮがイネーブルに遷移したことを検出したとき、電流設定信号Ｓ_ＩによってＬＤドライバ３を制御して駆動電流Ｉ_ＬＤを段階的に増加させるとともに、温度設定信号Ｓ_ＴによってＴＥＣドライバ４を制御してＴＥＣ２２の温度Ｔ_ＴＥＣを段階的に減少させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デジタル回路から発生するノイズがレーザモジュールに影響を与えることにより、レーザモジュールの出力レーザ光のスペクトル線幅が増大すること。
【解決手段】レーザモジュールと、レーザモジュールを駆動するアナログ回路と、レーザモジュールのレーザ出力を制御するデジタル回路と、アナログ回路およびデジタル回路が実装され、レーザモジュールに接続される基板とを備え、基板は、基板内においてアナログ回路に対向して設けられるアナログ用グランドパターンと、基板内においてデジタル回路に対向して設けられるデジタル用グランドパターンと、基板内に設けられ、レーザモジュールに接続されるレーザ用グランドパターンとを有するレーザ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光増幅素子から半導体レーザへの熱伝導の影響による半導体レーザの発振波長の変動を抑制することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】回折格子４ａ及び第１の活性層３を含む第１の導波路１３ａ、及び第１の導波路１３ａの上方に形成される第１の電極８ａを有する半導体レーザ１３と、第１の導波路１３aの第１の活性層３に連接する第２の活性層３を含む第２の導波路１４ａ、及び第２の導波路１４の上方に形成される第２の電極８ｂを有する光半導体増幅素子１３と、半導体レーザ１３に熱的に接続され、電流注入領域２〜５と第３の電極８ｃを有する温度調整素子１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型変調器と半導体レーザを同一基板上に集積した半導体光素子用いて、同等の変調・伝送特性を維持できる、小型で高歩留・低コストな、波長可変光送信器を提供する。
【解決手段】一つの電界吸収型変調器集積レーザを搭載し、温度調整によって発振波長を可変にするＤＷＤＭ用波長可変レーザモジュールを使用する。温度調整範囲において、ほぼ同等の変調・伝送特性を有するようにレーザおよび変調器の駆動条件を決定する。このような電界吸収型変調器集積レーザを用い、駆動条件を内蔵することで、小型低コストな波長可変光送信器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な光出力特性の光送信装置、光送受信装置、制御方法および制御プログラムを提供。
【解決手段】ＬＤ２２で発したレーザ光をＥＡ変調器２２が変調する光送信器１６に対し制御回路１４は、ケース温度(TC)が予め設定した低温側基準温度（T_cool）および高温側基準温度（T_heat）の範囲内にある場合、ＥＡ変調器２２への加熱・冷却を停止し、ＥＡ変調器２２へのバイアス電圧をメモリ回路４４に記録したテーブル情報に基づいて変調器温度に対応するバイアス電圧に設定し、ケース温度が低温側基準温度以下の場合、ＥＡ変調器２２を加熱するとともに低温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定し、ケース温度が高温側基準温度以上の場合、ＥＡ変調器２２を冷却するとともに高温側基準温度に対応するバイアス電圧を設定する構成。 （もっと読む）

【課題】 ヒータが劣化した場合でも所望の光特性が得られる、半導体レーザ装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置の制御方法は、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含みヒータによって屈折率が制御される第１波長選択部と、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含む第２波長選択部とを備える半導体レーザと、半導体レーザの発振波長の測定結果に基づいて半導体レーザのパラメータを規定値に補正する波長ロッカ部を備える半導体レーザ装置の制御方法であって、半導体レーザの再起動時に、固定された初期設定値を用いて半導体レーザを発振させる第１ステップと、第１ステップの後に、ヒータの発熱量が固定された規定範囲に入るまで発熱量を調整する第２ステップと、第２ステップの完了後、半導体レーザの発振波長の検出結果に基づいて、半導体レーザの波長を補正する第３ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】後段の装置に対する影響を最小限に抑えつつ、立ち上げまたは波長変更を行うことこと。
【解決手段】所望の波長のレーザ光を発生して出力する波長可変光源装置１において、温度と注入電流によって発光波長が変化するレーザダイオードから出力される光を増幅する増幅手段（利得素子制御回路３７）と、レーザ光の出力開始に先立って、レーザダイオードを目標とする発光波長に応じた所定の温度に調整する温度調整手段（ＬＤ温度制御回路３５）と、エタロンフィルタを目標とする発光波長に応じた所定の温度に調整する温度調整手段（エタロン温度制御回路４０）を具備し、レーザ光の出力を開始するときは、増幅手段を制御してレーザ光のパワーを最終目標パワーまでステップ状に増加させることで行い、レーザ光のパワーが最終目標パワーとなった場合には、レーザ光が目標波長となるように制御する波長制御手段（ＤＦＢ−ＬＤ電流制御回路３２、ＬＤ温度制御回路３５）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い光素子モジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】光学的に結合するように位置合わせされた、半導体光素子を含む複数の光素子を備え、前記複数の光素子の少なくとも一つは、バルク状態よりも低温で焼結出来るような粒子径を有する金属ナノ粒子を含む接合材によって固定をしたものである。好ましくは、前記金属は、クリープ変形が発生する温度が当該光素子モジュールの使用温度の上限値よりも大きいものである。 （もっと読む）

【課題】高調波光を安定して出射することが可能なレーザシステムを提供すること。
【解決手段】本発明は、レーザ光２４を発振するＤＦＢレーザ１２と、ＤＦＢレーザ１２の温度を調節するヒータ１４と、レーザ光２４をレーザ光２４の高調波光３４に変換する高調波生成素子１８と、を有するレーザモジュール１０と、高調波生成素子１８で変換された高調波光３４の強度を高調波生成素子１８で高調波光３４に変換されずに高調波生成素子１８を通過した非変換光３６の強度で規格化した規格化高調波光の強度が所定の強度になるようにヒータ１４に注入するヒータ電流２８を制御する制御部４０と、を具備するレーザシステム１００である。 （もっと読む）

【課題】１つのエタロンフィルタを用いてレーザ光の波長の周波数間隔を複数の異なる周波数間隔に制御すること。
【解決手段】エタロンフィルタ７の透過特性の周波数的な周期は、レーザ光源２から出射されるレーザ光の波長の目標周波数間隔よりも大きく、制御装置１５は、レーザ光源２から出射されるレーザ光の波長の目標周波数間隔に応じてエタロンフィルタ７の温度を制御することによってエタロンフィルタ７の透過特性を波長方向にシフトさせる。これにより、１つのエタロンフィルタを用いてレーザ光の波長の周波数間隔を複数の異なる周波数間隔に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、射出される１波のレーザの波長を変更することができる波長可変安定化レーザにおいて、この射出されるレーザ光の波長を所望の波長に固定することができる波長可変安定化レーザに関する。
【解決手段】 本発明は、光源１１、周期的フィルタ１２、光検出部１３および制御部１４を備え、制御部１４は、光源１１内の複数個のレーザのうちからいずれか１個のレーザを発振させるとともに、周期的フィルタ１２を介して入射されるレーザ光を受光した光検出部１３の出力が、複数の波長ごとに設定される複数の目標値のうちからいずれか１個の目標値になるように発振波長を制御する。このような波長可変安定化レーザでは、発振可能な波長ごとに複数の目標値を設定するので、複数の波長のなかから所望の波長のレーザ光を発振させることができ、しかもその波長に安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低くできる波長可変レーザ素子の制御方法および波長可変レーザ装置を提供すること。
【解決手段】温度調整によってレーザ発振波長を変化させることができる複数の半導体レーザ素子と、前記複数の半導体レーザ素子から入力されるレーザ光を増幅する半導体光増幅器とを備える波長可変レーザ素子の制御方法であって、出力すべきレーザ光の波長に応じて、前記複数の半導体レーザ素子から駆動すべき半導体レーザ素子を選択するとともに該選択した半導体レーザ素子を所定の温度に調整する調整工程と、前記選択した半導体レーザ素子に、前記所定の温度に応じた電流値の駆動電流を供給する電流供給工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 駆動回路の制御ループ帯域にかかわらず所望の周波数でディザー変調信号を重畳することができる、半導体レーザ駆動装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザを備えるレーザユニットを駆動する駆動部と、半導体レーザの出力光を検知する検知部と、検知部の検知結果と目標値との差を演算する誤差演算部と、誤差演算部と駆動部との間に設けられ誤差演算部の出力を増幅する増幅部と、検知部と増幅部との間の信号に第１変調信号を重畳する第１重畳部と、増幅部と駆動部との間の信号に対して第１変調信号よりも高い周波数を有する第２変調信号を重畳する第２重畳部と、第１重畳部および第２重畳部のいずれか一方に変調信号の重畳をさせる選択部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 波長光学部品の透過ピークもしくは入射光の波長が変化しているのか否かを判定する。
【解決手段】 レーザ装置は、所定の波長について透過性を有し光増幅器からの光を透過する波長光学部品を備える外部共振器と、波長光学部品を透過した透過光の光強度を検知する第１の光検知手段と、光増幅器側から入射しかつ波長光学部品により反射され透過光に対して逆相の関係にある反射光の光強度を検知する第２の光検知手段と、透過光または反射光における所定の波長の光強度に変化が観察されたとき、当該変化の前後における第１および第２の光検知手段が検知する光強度の増減が逆であるか否かを判定する判定手段と、当該増減が逆であると判定された場合に光増幅器の出力波長または波長光学部品の透過波長を制御する波長制御手段と、当該増減が同じであると判定された場合に光増幅器の出力を制御する出力制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所定の波長帯域における光を均一の光利得で増幅させる。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成された光吸収層及び光増幅層と、前記光吸収層及び前記光増幅層上に形成された上部クラッド層と、を有し、前記光吸収層を形成している半導体材料のバンドギャップは、前記光増幅層を形成している半導体材料のバンドギャップよりも広く、前記光吸収層を形成している半導体材料のバンドギャップと前記光増幅層を形成している半導体材料のバンドギャップとの差は、０．１２ｅＶ以上であることを特徴とする半導体光増幅器により上記課題を解決する。 （もっと読む）