【課題】炭化シリコン過渡電圧抑制器（ＴＶＳ）アセンブリを形成する方法および過渡電圧抑制器（ＴＶＳ）アセンブリのためのシステムを提供する。
【解決手段】ＴＶＳアセンブリは、第１の極性の導電性を有する第１の広バンドギャップ半導体の第１の層３０６と、第１の層と電気的に接触して結合された第２の極性の導電性を有する第１または第２の広バンドギャップ半導体の第２の層３０８であって、第２の極性は第１の極性と異なる、第２の層とを含むメサ構造の半導体ダイ３０２を含む。ＴＶＳアセンブリはまた、第２の層と電気的に接触して結合された第１の極性の導電性を有する第１、第２、または第３の広バンドギャップ半導体の第３の層３１２も含む。第２の極性の導電性を有する層は、第１の極性の導電性を有する層に比して低濃度にドープされる。 （もっと読む）

【課題】 高調波電流成分に対する対策とともに、過電圧に対する保護対策も実現できる電源装置及び照明器具を提供する。
【解決手段】 スイッチングトランジスタ２４のオンオフによりスイッチングトランス２３の二次巻線２３ｂを通して放出されるエネルギーを整流平滑回路２７により直流出力に変換し、この直流出力により発光ダイオード２８〜３１を点灯させる電源装置であって、交流電源１１の交流電力を整流する全波整流回路１２の出力端子に容量の小さな平滑用コンデンサ１３と、容量の大きなコンデンサ１５を有する過電圧吸収手段１７をそれぞれ設け、容量の小さな平滑用コンデンサ１３により全波整流回路１２の出力に含まれる高調波電流成分について高調波電流規格を満足させ、容量の大きなコンデンサ１５により交流電源１１より侵入する雷サージの過電圧を吸収させる。 （もっと読む）

【課題】逆極性の電圧から回路を保護する。
【解決手段】メイントランジスタ１０および逆流防止トランジスタ１２は、入力端子１０２と出力端子１０４の間に直列に設けられる。入力ダイオード１６は、逆流防止トランジスタ１２とメイントランジスタ１０の接続点Ｎ１と基準電圧端子１０６との間に、アノードが基準電圧端子１０６側となる向きで設けられる。制御部１８は、直流電圧Ｖｄｃに応じてメイントランジスタ１０のゲート電圧Ｖｇ１を制御する。逆流防止トランジスタ１２は、そのボディダイオードＤ１のアノードが入力端子１０２側となる向きで配置される。入力端子１０２が高電位、基準電圧端子１０６が低電位となる正常状態において逆流防止トランジスタ１２がオンするようにバイアスする。 （もっと読む）

【課題】雷サージ吸収時における制限電圧を低くすることが可能であるとともに、続流の発生を抑制することが可能な避雷器及びそれを備えた接地端子盤を提供すること。
【解決手段】Ｂ種接地電極１２ｂとＤ種接地電極１２ｄとを有する接地端子盤１０であって、Ｂ種接地電極１２ｂとＤ種接地電極１２ｄとの間に、コンデンサ２１とギャップ式アレスタ２２とが直列に接続された避雷器２０を接続する。ギャップ式アレスタ２２を用いることで、雷サージ電流吸収時における制限電圧を低く抑えることが可能となる。また、ギャップ式アレスタ２２にコンデンサ２１を直列接続することで、商業電源電圧による続流を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高速信号に対してもインピーダンス整合に優れたサージ吸収素子を提供すること。
【解決手段】サージ吸収回路ＳＡ１は、相互に極性反転結合されると共に端同士が接続された第１の導体１１及び第２の導体２１と、第１の導体１１及び第２の導体２１と電気的に絶縁された第３の導体３１とが形成された回路基板１Ａと、一方の端子が第１の導体１１と第２の導体２１との接続部分に接続され、他方の端子が第３の導体３１に接続されたサージ吸収素子３と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】２つの電力系統間に系統連系されて、互いに電力系統の電力を供給し合うための系統連系システＡであって、２つの電力系統間に、回路遮断器１４と、電流検出器１５と、スイッチ回路１２ａに、バリスタ１２ｂとコンデンサ１２ｃとの直列回路を並列に接続してなる限流器１２と、該限流器１２のスイッチ回路１２ａを制御する制御器１３とからなる限流遮断器１１を配置したものである。
【効果】限流器を、スイッチ回路と、該スイッチ回路に並列接続されたバリスタとコンデンサとの直列回路とにより構成したので、スイッチ回路の開放動作によるアーク放電を、バリスタとコンデンサの直列回路が短時間で小さい安全な電流にして、電力系統の事故時の瞬時停止や瞬時電圧低下を避け、重要負荷を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスは高圧の静電気によって破壊されたり、特性が劣化したりするため、静電気対策としてバリスタ等のサージ吸収素子が使用されている。バリスタを始めとするサージ吸収素子は浮遊容量成分や浮遊誘導成分を持つため、高速信号を扱う回路に適用すると信号を劣化させてしまう。浮遊容量と制御電圧・エネルギー耐量はトレードオフの関係にあるため、高速信号用途に対して特性のよいサージ吸収素子を適用できないという課題があった。
【解決手段】
上記目的を達成するために、本願発明に係るサージ吸収回路は、相互誘導素子等を利用してサージ吸収素子の浮遊容量成分の影響をキャンセルする。 （もっと読む）