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Fターム[5G303BA12]の内容

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Fターム[5G303BA12]に分類される特許

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【課題】 低温で焼成することができ、且つ十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、aBi(Zn1/3Ta2/3−bBi(Zn1/3Nb2/3−cBiSn(a、b及びcはモル%であり、a+b+c=100モル%である。)により表し、且つa、b及びcの各々の相関を三角図を用いて表した場合に、a、b及びcは、各々に対応する値が、図1における特定の領域内にあることを特徴とする。また、本発明のセラミック電子部品は、上記の誘電体磁器組成物からなる未焼成セラミック基体が焼成されてなるセラミック基体と、その内部及び/又は表面に設けられた未焼成導体層が未焼成セラミック基体と同時焼成されてなる導体層(Ag等を主成分とする。)と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】組成式(BaO)TiOで表され、式中のmが1.02〜1.03であるチタン酸バリウムとガラス成分と添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、組成式(BaO)m’・TiOで表され、式中のモル比m’がモル比mに対して、m’<mの関係を満足し、かつ窒素吸着法により測定した比表面積(SSA)が10〜50m/gのチタン酸バリウム原料とモル比m’をm’=mに調製可能な量のBa化合物を含む添加物成分原料とガラス成分原料とを準備する工程と、前記チタン酸バリウム原料に前記ガラス成分原料及び添加物成分原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。 (もっと読む)


1000℃以下の低温焼成が可能で、強度が高く、セラミックス層を利用した電子部品領域を形成する場合にも有利なセラミックス組成物及び配線基板を提供する。 SiO 52〜62質量%、MgO 12〜22質量%、CaO 21〜32質量%からなる主成分100質量部に対し、ホウ素成分を酸化物換算で0.5〜3質量部含む組成のセラミックス原料又はその仮焼粉末を成形し、焼成して、主結晶としてディオプサイド結晶を含有するセラミックス組成物を得る。また、上記セラミックス組成物からなる基板に導電性部材で形成された配線層を形成することにより、セラミックス配線基板を得る。 (もっと読む)


【課題】低温焼成が可能で、マイクロ波やミリ波などの高周波領域で使用しても、高い比誘電率と、高いQ値を有し、また共振周波数の温度係数(τf)の絶対値が小さい高周波用誘電体磁器組成物、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置を提供する。
【解決手段】少なくとも希土類(Ln)、Al、Ca、Ti,M1,M2およびWを含有する組成物を主成分とし、M1がZnおよびMgのうち少なくとも1種、M2がNbおよびTaのうち少なくとも1種であり、組成式を(1−y)xCaTia1+2a−(1−y)(1−x)Ca{(M1)1/3(M21-zz2/3b1+2b−yLnAlc(3+3c)/2としたとき、
0.56≦x≦0.8
0.08≦y≦0.18
0.05≦z≦0.5
(1−y)x≦0.660
0.985≦a≦1.05
0.9≦b≦1.02
0.9≦c≦1.05
を満足するようにする。 (もっと読む)


【課題】無機フィラーを高充填化させた空隙率の低い高誘電体組成物を得ること。
【解決手段】無機フィラーと樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの平均粒子サイズ0.01μm以上1μm以下であり、無機フィラーの表面積が、同一体積の真球に対し1.05倍以上1.3倍以下である無機フィラーを含有することを特徴とする誘電体組成物。 (もっと読む)


【課題】耐熱性と耐電圧特性をバランス良く兼ね備えたノンハロゲン難燃性組成物及び電線を提供すること。
【解決手段】オレフィン系ポリマーと、該オレフィン系ポリマー100重量部に対し、2族又は3族の金属元素の水酸化物30〜230重量部と、2族又は3族の金属元素の酸化物2〜50重量部と、イオン交換機能を有する無機物2〜50重量部とを配合する難燃性組成物を特徴とするノンハロゲン難燃性組成物。上記難燃性組成物の結晶融解熱量が、50J/g以下であることを特徴とする難燃性組成物。上記難燃性組成物からなる被覆を備えているとともに、該難燃性組成物が架橋されていることを特徴とする電線。 (もっと読む)


[(CaSr1−x)O][(TiZr1−y−zHf)O]で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Mn酸化物および/またはAl酸化物を含む第1副成分と、ガラス成分とを少なくとも含む誘電体磁器組成物である。主成分に含まれる式中の組成モル比を示す記号m、x、yおよびzが、0.90≦m≦1.04、好ましくは1.005≦m≦1.025、0.5≦x<1、好ましくは0.6≦x≦0.9、0.01≦y≦0.10、好ましくは0.02≦y≦0.07、0<z≦0.20、好ましくは0<z≦0.10の関係にある。
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【課題】BaO、希土類酸化物及びTiO2が主成分として含有された組成系であっても、Ag又はAgを主成分とする合金等の導体を内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとし、さらには、温度変化による共振周波数の変化が小さく、BaO−希土類酸化物−TiO2系誘電体磁器組成物の比誘電率より低い比誘電率を有し、しかも誘電損失が改善された誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物の主成分としてBaO、Nd23、TiO2、MgO及びSiO2を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてZnO、B23及びCuOを所定の比率で含有し、さらに副成分としてマンガン酸化物(MnO)を含有させるように構成する。 (もっと読む)


【課題】Alを主成分としてCaTiOを使用した誘電体磁器組成物があるが、誘電率が小さく製品小型化に課題があった。
【解決手段】Alを65.0〜85.0重量%およびCaTiOを15.0〜35.0重量%含み、AlとCaTiOの総和100重量%に対してSiOを0.001〜1.0重量%含むことを特徴とする誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】比誘電率が高いだけでなく誘電損失も小さい回路基板の構成要素として使用できる誘電体の製造に好適な無鉛ガラスの提供。
【解決手段】軟化点が840℃以下のSiO−BaO−TiO系無鉛ガラスで、BaO≦25モル%、ZnO<1モル%かつAlを含有し、焼成時にBaTi20結晶またはBaTi結晶が析出する無鉛ガラス。モル%で、SiO 25〜45%、BaO 5〜25%、TiO 18〜35%、Al 1〜10%、B 0〜15%、MgO+CaO+SrO 0〜15%、WO+ZrO 0〜7%、からなり、ZnO<1%である無鉛ガラス。 (もっと読む)


(Bal−h−i−mCaSrGd(Til−y−j−nZrHfMg)Oで表わされ、0.995≦k≦1.015、0≦h≦0.03、0≦i≦0.03、0.015≦m≦0.035、0≦y<0.05、0≦j<0.05、0≦(y+j)<0.05および0.015≦n≦0.035を満足する、チタン酸バリウム系複合酸化物からなる反応物を得、この反応物100モルに対して、Ma(Ba等)を1.5モル未満、Mb(Mn等)を1.0モル未満、Mc(Si等)を0.5モル以上かつ2.0モル以下それぞれ混合し、この混合物を焼成することによって、誘電体セラミックを得る。この誘電体セラミックは、耐湿性が良好で、JIS規格のF特性およびEIA規格のY5V特性を満足し、比誘電率が9000以上であり、高温での信頼性に優れている。
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【課題】 難燃性、成形加工性、機械特性、耐熱性、耐寒性に優れ、かつ、埋め立て、焼却などの廃棄時において、重金属化合物の溶出や、多量の煙、腐食性のガスの発生がない樹脂組成物及びその樹脂組成物で被覆した絶縁電線を提供する。
【解決手段】 (a)軟質ポリプロピレン及び/または(b)エチレン・酢酸ビニル共重合体20〜60質量%、(c)変性ポリエチレン0〜20質量%、(d)変性ポリプロピレン40〜80質量%からなる樹脂混合物100質量部に対して、(e)無機水和物60〜180質量部を配合した樹脂組成物、及びその樹脂組成物で被覆した絶縁電線。 (もっと読む)


【課題】BaO、希土類酸化物及びTiO2が主成分として含有された組成系であっても、Ag又はAgを主成分とする合金等の導体を内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとした誘電体磁器組成物を提供する。さらには、誘電損失が小さく、温度変化による共振周波数の変化が小さく、しかもBaO−希土類酸化物−TiO2系誘電体磁器組成物の比誘電率より低い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物の主成分としてBaO、Nd23、TiO2、MgO及びSiO2を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてZnO、B23及びCuOを所定の比率で含有させるように構成する。 (もっと読む)


【課題】微粒化しても比誘電率の高い結晶粒子により構成される誘電体磁器およびその製法、並びに積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の平均径が150nm以下であり、かつ前記結晶粒子のX線回折パターンから求められる格子定数(a、b、c)の積で表されるユニットセル当りの体積Vが0.0643nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 70〜85程度のεを発現しつつ、大きなQuが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ca及びSrの少なくとも一方と、Tiと、Alと、Nb及びTaの少なくとも一方と、Oとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式[aMO−bTiO−(1/2)cAl−(1/2)dM](但し、MはCa及び/又はSrであり、MはNb及び/又はTaであり、a、b、c及びdは各々モル比を表わし、且つ、a+b+c+d=1である)と表した場合に下記条件を満たす。0.436≦a≦0.500、0.325≦b≦0.375、0.054≦c<0.088且つ0.062<d<0.143。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 (もっと読む)


【課題】ゲイン、サイドローブの双方について要求特性を満たし、また、均質性が高く、さらに軽量で量産による低コスト化も図れるルーネベルグレンズを提供する。
【解決手段】ポリオレフィン系樹脂及び/若しくはその誘導体と高誘電率無機フィラーとを体積比で、樹脂99〜50:フィラー1〜50の割合で混合した樹脂混合体で形成される予備発泡ビーズを成形して比誘電率の異なる誘電発泡体層1aと1b-1〜1b-nを作製しこれを組み合わせる。また、少なくとも比誘電率1.5以上の誘電発泡体層は、分級選別した予備発泡ビーズで形成し、その誘電発泡体層中の気体体積分率Arの偏差σa、及び同層各部の気体体積分率Arの平均値Aaveから、f(A)=σa/Aaveの式で表されるf(A)について、0.0005≦f(A)≦0.1の条件を満足させた。 (もっと読む)


【要約書】
【課題】 高誘電率かつ印刷精度に優れた誘電体ペーストおよび高誘電率かつ低誘電正接かつ表面平滑性の良いキャパシタを提供する。
【解決手段】 バインダー樹脂と高誘電体粒子とを含み、誘電体層を構成する誘電体ペーストであって、前記高誘電体粒子の粒径は、前記誘電体層の厚さの5%以上40%以下であることを特徴とする誘電体ペーストにより達成される。前記バインダー樹脂としては、環状オレフィン系樹脂を用いることができ、前記環状オレフィン系樹脂としては、ノルボルネン系樹脂を含むものを用いることができる。本発明の誘電体は、前記誘電体ペーストで構成されることを特徴とする。本発明のキャパシタは、前記誘電体ペーストで構成される誘電体と導体とより構成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波、ミリ波などの高周波用誘電体材料としての用途の拡大を図るべく、共振周波数の温度係数(τf)の絶対値を簡易な方法でかつ確実に小さな値(より零ppm/℃に近づく小さな値)とでき、Q・f値の向上が図れる誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】Al23−TiO2系の誘電体磁器組成物の製造方法であって、Al23−TiO2系の誘電体磁器組成物を製造する原料を準備する原料準備工程と、準備された原料を混合する原料混合工程と、混合された原料を使用し成形した後、成形物を1300℃以上の温度で焼成する焼成工程と、焼成後の成形物を920〜1170℃の温度で熱処理するアニ−ル工程とを含み、アニール工程におけるアニール時間は、2時間を越える時間で、アニール時間零におけるQ・fの初期値をN0とした場合に、アニール後のQ・fの値が0.9N0以上の値が得られるアニール時間とする。 (もっと読む)


【課題】 30〜50程度のεを発現しつつ、大きなQuが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ca及びSrの少なくとも一方と、Tiと、Alと、Nb及びTaの少なくとも一方と、Oとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式[aMO−bTiO−(1/2)cAl−(1/2)dM](但し、MはCa及び/又はSrであり、MはNb及び/又はTaであり、a、b、c及びdは各々モル比を表わし、且つ、a+b+c+d=1である)と表した場合に下記条件を満たす。0.436≦a≦0.500、0.093≦b<0.124、0.093<c≦0.150且つ0.251≦d<0.362。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 (もっと読む)


【課題】 配向性が制御され、特性の良好な強誘電体を形成することができる強誘電体膜の形成方法および強誘電体膜を提供する。
【解決手段】 本発明の強誘電体膜の形成方法は、複合酸化物の原材料体20を結晶化する工程を含み、
初期核を形成するための第1の熱処理を行う工程と、
結晶成長をさせるために、前記第1の熱処理と比して低い温度である第2の熱処理を行う工程と、を含む。 (もっと読む)


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