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【課題】高密度化された基板面に設けられる遮断配線による遮断性能の低下を抑制し得る電子制御装置を提供する。
【解決手段】遮断配線30は、過電流による発熱に応じて溶断することで当該遮断配線30を介した接続を遮断するように構成されている。そして、基板面を被覆するソルダレジスト28には、遮断配線30の一部を外方に露出させるための矩形状の開口28aが形成されている。この開口28aは、遮断配線30のうち最も発熱する部位であるその全長の中央近傍部位を外方に露出させるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】従来から周知の過電流保護素子と過電圧保護素子とを一体化した回路保護素子は、過電圧保護素子が短絡した場合過電流保護素子が機能しなくなるという問題があった。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の両端部に形成された端子電極と、前記端子電極間の少なくとも二か所に直列に接続したヒューズと、前記ヒューズ間を結ぶ導電部から過電圧保護材料を介して形成された少なくとも二つのアース電極と、前記ヒューズと前記過電圧保護材料とを覆う保護樹脂層と、を有する過電流過電圧保護素子を採用することによって、二か所のギャップのうち一方の過電圧保護素子が短絡しても、過電流保護素子は正常に機能する。 (もっと読む)


【課題】遮断部間のばらつきやヒューズエレメント間のばらつきを抑えながらも、It値の低減、コスト低減、小型化を図ることができる電力用ヒューズを提供する。
【解決手段】セラミック基板20上に導電膜22が形成されて構成され、導電膜22による複数の放熱部24と複数の遮断部26とが一体的に連続形成されたヒューズエレメント18を有する電力用ヒューズ10において、導電膜22は、セラミック基板20の表面に対する1回以上の印刷による印刷層32にて構成され、放熱部24を構成する印刷層32の積層数が、遮断部26を構成する印刷層32の積層数以上である。 (もっと読む)


【課題】基板面に設けられる遮断配線による遮断性能の低下を抑制し得る電子制御装置を提供する。
【解決手段】遮断配線30は、一側接続配線40および他側接続配線50を介して電源配線23およびランド26に接続されている。一側接続配線40は、両側の側縁41,42が遮断配線30の両側の側縁31,32となだらかに連続しており電源配線23に向かうにつれて円弧状に広がるように、形成されている。また、他側接続配線50は、両側の側縁51,52が遮断配線30の両側の側縁31,32となだらかに連続しておりランド26に向かうにつれて円弧状に広がるように、形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子に接続された一対の導電ライン間に、電源平滑用などのコンデンサを設けてなる電子装置において、コンデンサを2個直列とすることなくコンデンサの短絡によるFHを適切に防止する。
【解決手段】外部と接続される第1の端子11および第2の端子12と、第1の端子11および第2の端子12に電気的に接続された回路基板20と、回路基板20に搭載され、第1の端子11および第2の端子12に電気的に接続された集積回路40を有する半導体素子30と、を備え、第1の端子11に電気的に接続された第1の導電ライン80と第2の端子12に電気的に接続された第2の導電ライン81との間に、コンデンサ90とヒューズ33aとが直列に接続されており、ヒューズ33aは半導体素子30内に形成された配線により構成され、ヒューズ33aの周りに、ヒューズ33aをヒューズ33a以外の部位と非接触とする空間部33bを設けている。 (もっと読む)


【課題】 作動特性の向上に寄与することが可能な、ヒューズ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ヒューズ装置1であって、基体2と、基体2の上面に設けられた温度ヒューズエレメント3と、基体2の下面に設けられた実装パッド5と、基体2内に設けられ、平面透視して温度ヒューズエレメント3と重ならない領域であって、実装パッド5と重なる領域に設けられた実装パッド発熱体6とを備えている。 (もっと読む)


【課題】銅(Cu)からなる配線状の金属層上に、スズ(Sn)からなる低融点金属層が積層された構成の例えばチップ型薄膜であるヒューズにおいては、定格使用状態においても、銅(Cu)のスズ(Sn)中へのエレクトマイグレーション(EM)に起因する金属層の細線化、断線の障害が発生する。このEMの進行を抑制し同ヒューズの長寿命を図る。
【解決手段】低融点金属層(スズ)の融点より低い再結晶化温度レベルで、製作されたヒューズに対する熱処理を行うことなどにより、低融点金属層(スズ)中の平均結晶粒径の大きさを、その低融点金属層の厚さの二分の一以上にする。これにより大幅にEMの進行レベルが低下し、金属層厚の増加などの行うことなく、ヒューズ溶断特性を変えることなく、このチップ型薄膜ヒューズの長寿命化が可能となる。 (もっと読む)


【課題】 作動特性を良好にすることが可能なセラミックヒューズを提供することを目的とする。
【解決手段】 セラミックヒューズ1であって、セラミック基板2と、セラミック基板2に設けられた温度ヒューズエレメント3と、セラミック基板2の平面透視して温度ヒューズエレメント3と重なる領域に温度ヒューズエレメント3と間をあけて設けられた、単位長さ当たりの抵抗値が両端部F2に比べて中央部F1で大きい発熱抵抗体5とを備えている。 (もっと読む)


【課題】ヒューズ部の焼損時に確実に電路を遮断することのできるプリント配線板、電子デバイス、及びプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】プリント配線板10が、孔11a(開口部)を有する絶縁性の樹脂基板11と、樹脂基板11上に形成された、導体からなる第1端子部12a及び第2端子部12bと、第1端子部12a及び第2端子部12bを相互に電気的に接続するヒューズ部12cと、を有する。ヒューズ部12cの少なくとも一部は、孔11a上に配置され、且つ、絶縁性を有する多孔質の無機被覆材13で覆われている。 (もっと読む)


【課題】過電流状態における電流ヒューズ素子の溶断特性を向上させること。
【解決手段】電流ヒューズ装置は、セラミック構造体1と、第1の電流ヒューズ素子用導体パターン21と、第2の電流ヒューズ素子用導体パターン22と、電流ヒューズ素子用めっきパターン23とを含んでいる。第1の電流ヒューズ素子用導体パターン21は、焼成によって基体部11の上面に形成された第1の導体層211を含んでいる。第2の電流ヒューズ素子用導体パターン22は、焼成によって基体部11の上面に形成された第2の導体層221を含んでいる。電流ヒューズ素子用めっきパターン23は、第1の電流ヒューズ素子用導体パターン21の上面から第2の電流ヒューズ素子用導体パターン22の上面にかけて設けられて、第1の電流ヒューズ素子用導体パターン21および第2の電流ヒューズ素子用導体パターン22を電気的に接続している。 (もっと読む)


【課題】 作動特性の向上に寄与することが可能な、抵抗温度ヒューズ、ならびに抵抗温度ヒューズパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】 抵抗温度ヒュー1ズであって、基板2と、基板2の上面に設けられた一対の電極3と、基板2の上面に設けられ、一対の電極3間に配置された発熱抵抗体4と、基板2内に設けられ、一対の電極3の一方および発熱抵抗体4の一端に電気的に接続され、且つ一対の電極3の他方および発熱抵抗体4の他端に電気的に接続された一対の内部電極5と、発熱抵抗体4の上面から一対の電極3の両方の上面にかけて設けられた温度ヒューズエレメント6とを備えたことを特徴とするものである。作動特性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズ1となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ハイパワーの回路に使用することができ、集熱と圧力リリーフ効果を兼ね備えた保護部材とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による埋め込み式回路保護部材は、相互に重ねあわされた二つの堆積基板と、ヒューズ体と、二つの端子電極とによってなる。二つの堆積基板の間には、少なくとも一つの圧力リリーフ・集熱空間を設け、圧力リリーフ・集熱空間の両端にはそれぞれ第一電極と第二電極を設ける。ヒューズ体は、第一電極と第二電極の間に設けるとともに、圧力リリーフ・集熱空間内に穿設する。二つの端子電極は、二つの堆積基板の端部に設けるとともに、第一電極と第二電極に電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】ヒューズ部を容易に切断する。
【解決手段】基体上に設けられるヒューズ部20と、前記ヒューズ部20の上層又は前記基体と前記ヒューズ部20の間の下層に配置され、かつ前記ヒューズ部20が通電した際に、前記ヒューズ部20の一部分と同電位となり、前記ヒューズ部20の一部分側から、前記一部分と相違する電位となる前記ヒューズ部20の他の部分の上層又は下層まで延在する導電部16と、を備える。 (もっと読む)


【課題】電流ヒューズ機能および発熱抵抗体付き温度ヒューズ機能を一体的に有するとともに小型化を図ること。
【解決手段】ヒューズ装置は、セラミック構造体1と、電流ヒューズ素子用パターン2と、温度ヒューズ素子3と、セラミック構造体1は、焼成によって一体的に形成されているとともに、下層11と介在層12と上層13とを含んでいる。電流ヒューズ素子用パターン2は、焼成によってセラミック構造体1と一体的に形成されている。温度ヒューズ素子3は、上層13の上面に設けられている。 (もっと読む)


【課題】 ヒューズ装置の過電流状態における特性を向上させること。
【解決手段】 ヒューズ装置は、パッケージ1と、導体パターン2と、ヒューズ素子3とを含んでいる。パッケージ1は、ベース部11と、ベース部11上に設けられたフレーム部12とを含んでいる。フレーム部12は、互いに対向している複数の凹部121,122を有している。導体パターン2は、複数の凹部121,122の各々に設けられている。ヒューズ素子3は、複数の凹部121,122にはめ込まれた端部31,32を有しているとともに、導体パターン2に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】作動特性を向上させることが可能な抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに抵抗温度ヒューズを提供することを目的とする。
【解決手段】抵抗温度ヒューズであって、複数の基板を積層して成るとともに、最上層に位置する基板に凹部を有する基体と、前記基体上であって、前記凹部上を渡って設けられる温度ヒューズエレメントと、前記基体に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域に形成される発熱抵抗体と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 ヒューズ装置の生産性を向上させつつ過電流時における特性に関して改善すること。
【解決手段】 ヒューズ装置は、セラミック構造体1と、ヒューズ素子用導体パターン2とを含んでいる。セラミック構造体1は、ベース部11と、ベース部11の上に設けられたフレーム部12と、フレーム部12の上に設けられたカバー部13とを含んでいる。ベース11部とフレーム部12とカバー部13とは、焼成によって一体的に形成されている。ヒューズ素子用導体パターン2は、ベース部11の上面に焼成によって形成されている。 (もっと読む)


【課題】電流ヒューズ機能および発熱抵抗体付き温度ヒューズ機能を一体的に有するとともに小型化を図ること。
【解決手段】ヒューズ装置は、セラミック構造体1と、電流ヒューズ素子用パターン2と、温度ヒューズ素子3と、発熱抵抗体用パターン4とを含んでいる。セラミック構造体1は、下層11と介在層12と上層13とを含んでいる。電流ヒューズ素子用パターン2は、焼成によって下層11と一体的に形成されている。温度ヒューズ素子3は、上層13の上面に設けられている。発熱抵抗体用パターン4は、焼成によって上層12と一体的に形成されている。 (もっと読む)


【課題】次の工程への搬送や封止工程のときにリード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体にクラックが生じるのを防止することができる抵抗付き温度ヒューズの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る抵抗付き温度ヒューズの製造方法は、 絶縁基板4の一方の片面を支持基板8上に固着するとともに、この絶縁基板4と並置して一対のリード導体6を支持基板8上に固着する工程と、支持基板8上に固着された絶縁基板4の他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極3と一対のリード導体6とに跨ってヒューズエレメント7を配設してヒューズエレメント用膜電極3と一対のリード導体6とを電気接続する工程と、支持基板8上の絶縁基板4及び支持基板8上の一対のリード導体6の部分を絶縁封止物9で封止する工程とを含む。 (もっと読む)


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