【課題】消費電力の少ない基準電圧を発生する回路を、従来並みのサイズで提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体接合に異なる電流密度の電流を流したときの差電圧に比例する電圧と、半導体接合に生ずる順方向電圧に比例する電圧とを加算して出力電圧とするバンドギャップリファレンス回路において、
前記差電圧が印加される第一のトンネル電流素子と、
第二のトンネル電流素子もしくは第二の複数のトンネル電流素子を直列接続した回路と、
前記第一のトンネル電流素子に流れる電流に比例した電流を前記第二のトンネル電流素子に流す手段によって、
上記「差電圧に比例する電圧」を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】面積の小さい定電流回路を提供する。
【解決手段】高い抵抗値の抵抗によらず、強反転領域の非飽和領域で動作するＮＭＯＳトランジスタ１３の高い抵抗値のオン抵抗により、定電流回路の定電流ＩＲＥＦが少なくなる。ＮＭＯＳトランジスタ１３の面積はこのトランジスタのオン抵抗の抵抗値と同じ抵抗値の抵抗の面積よりも小さいので、定電流回路の面積が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】特にナノアンペアオーダーの電流を生じる電流発生器、およびそのような発生器を用いる電圧調整器を提供する。
【解決手段】電圧調整器は、電流ミラーとして接続されていて、電源Ｖｄｄに接続可能な３個のトランジスタＰ１、Ｐ２、Ｐ３の第１組４１と、電流ミラーとして接続された２個のトランジスタＮ１、Ｎ２の第２組であって、各トランジスタが第１組のトランジスタに直列に接続されているトランジスタの第２組とを含み、第２組の第１トランジスタＮ１が、第１組の最後のトランジスタＰ３に直列に接続されたトランジスタＮ４に電流ミラーとして接続されたトランジスタＮ３Ｒに直列に接続されている。トランジスタＮ３Ｒは自身の線形領域で動作し、発生される電流の値は当該トランジスタの等価抵抗に依存し、２個のトランジスタが超長チャネルを有することにより比率Ｌ／Ｗが極めて大きい。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を改善した基準電圧回路を提供する。
【解決手段】基準電圧回路１００は、電源端子と接地端子の間に順に直列にスタックされた電流源３０、第１バンドギャップリファレンス回路１０および第２バンドギャップリファレンス回路２０を備える。第１バンドギャップリファレンス回路１０と第２バンドギャップリファレンス回路２０はそれぞれ、互いに反対の温度係数を有する第１基準電圧Ｖｒｅｆ１、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２を生成するよう構成される。基準電圧回路１００は、第１基準電圧Ｖｒｅｆ１と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の和電圧Ｖｒｅｆ（＝Ｖｒｅｆ１＋Ｖｒｅｆ２）を出力する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力および高精度な電圧発生回路を提供する。
【解決手段】例えば、電源電圧ＶＣＣと接地電源電圧ＧＮＤの間に、ソース−ドレイン経路が直列接続される複数のＮＭＯＳトランジスタＭＮ１，ＭＮ２と、ＭＮ１，ＭＮ２をサブスレッショルド領域で動作させるための定電流源ＩＳ１を備える。ＭＮ１，ＭＮ２のゲートは、ＭＮ２のドレインに共通される。ＭＮ１のゲート幅Ｗ１およびゲート長Ｌ１とＭＮ２のゲート幅Ｗ２およびゲート長Ｌ２は、例えば、Ｌ１＝Ｌ２かつＷ２＞Ｗ１とされる。これにより、ＭＮ１のドレイン電圧（Ｖｏｕｔ＿２ｎ）は、ＧＮＤを基準に正の温度特性となり、例えば、その後段で負の温度特性のデバイスを加算することで温度依存性が小さい電圧を生成できる。 （もっと読む）

【課題】低い電源電圧で駆動でき、かつ、電源電圧の変動に対して安定な基準電圧を生成するとともに、基準電圧の温度係数が製造工程におけるパラメータの変動に影響されにくい半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のトランジスタのコレクタ端子と第２のトランジスタのエミッタ端子とを接続して出力端子とし、第１のトランジスタのベース端子と第２のトランジスタのベース端子とを接続して第１のベース端子とし、第１のトランジスタと第２のトランジスタとは同一構造であり、第１のベース端子には、第１のトランジスタのエミッタ側ｐｎ接合がわずかに順方向バイアスされる動作領域から逆方向バイアスされる動作領域となる範囲の電圧を印加され、供給電圧には、第１及び第２のトランジスタがnpn、又はpnpかによって、正の電圧又は負の電圧を印加される半導体装置。 （もっと読む）

【課題】プロセスバラツキの影響を抑制し、低電圧動作に適した基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】第１トランジスタ（以下、Ｔｒ）と大きなエミッタ面積を持つ第２Ｔｒを有し、第１増幅回路により第１Ｔｒのベースとコレクタ電圧が等しくなるよう第１と第２Ｔｒのベース電流を形成する。第１抵抗は、第２Ｔｒのエミッタと基準電位との間に設けられてバンドギャップ電圧が印加される。第３ＴｒのエミッタとＶＳＳとの間に第２抵抗が、コレタク，ベースとＶＳＳとの間に第３抵抗が設けられる。第１と第２抵抗の比により、第３Ｔｒのコレタク，ベースから出力される基準電圧の温度補償を行う。第２増幅回路は、第１と第２Ｔｒのコレタクが等しくなるよう第１ないし第３ＭＯＳのゲート電圧を形成し、第１ないし第３Ｔｒのコレタク電流をそれぞれ形成する。第１ないし第３ＭＯＳのソース側に第４ないし第６抵抗を設ける。 （もっと読む）

【課題】基準電圧と基準電流を同時に得ることのできる定電流・定電圧回路を提供する。
【解決手段】基準電圧生成回路１００の出力Vrefはオペアンプ１０２の−側入力端子に入力され、トリミングを行っても総抵抗値が変わらない基準電圧トリミング回路１０３の出力電圧Voutがオペアンプ１０２の＋側入力端子に入力され、両方の電圧値が比較される。そしてオペアンプ１０２の出力が出力トランジスタ１０４のゲートを制御することでオペアンプ１０２の２つの入力が仮想短絡され、出力電圧Vref1を所望の値にする。出力電圧Vref1を調整する必要がある場合には抵抗R1，R2をトリミングする。トリミングを行っても総抵抗値が変わらないため安定して定電圧と定電流の両方を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧系の回路へ出力電流を出力するとともに、回路面積を削減する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタ１０１は、基準電流源ＲＥＦ１００からの基準電流Ｉｒｅｆに応じたゲート電圧ＶＧを生成する。ＭＯＳトランジスタ１０２は、バイアス電圧ＶＢをゲートに受け、低耐圧トランジスタ１０１が破壊されないように中間ノード電位ＶＮ１を抑制する。電圧電流変換部１０３は、低耐圧系の回路であり、ゲート電圧ＶＧに応じた出力電流Ｉｏｕｔを生成する。ゲイン制御部１０４は、低耐圧系の回路であり、制御信号Ｓｃｎｔｌに応じて、電圧電流変換部１０３における電圧電流変換係数を変更する。ＭＯＳトランジスタ１０５は、バイアス電圧ＶＢを受け、電圧電流変換部１０３が破壊されないように、中間ノード電位ＶＮ２を抑制する。 （もっと読む）

【課題】発生させる基準電圧の電圧レベルが高くなった場合でも、基準電圧を所定の許容範囲内に調整することができる基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】モード切替回路１２より、発生させる基準電圧に応じて当該基準電圧の電圧レベルが高くなるほど電流値の大きな供給電流を供給し、調整回路１４により、供給電流の通電経路における所定位置の電圧を基準電圧Ｖｒｅｆとして出力すると共に、当該通電経路の抵抗値を変更することにより出力される基準電圧の電圧レベルを調整しており、基準電流制御回路１６により、発生させる基準電圧の電圧レベルが高い場合に通電経路に通電される供給電流の一部を分岐させる。 （もっと読む）

【課題】温度変化／電圧変動に依存性しない複数出力の基準電圧発生回路。
【解決手段】電源電圧変動／温度変化の影響を受け無いバイアス電圧発生回路と、チャンネル幅とチャンネル長の比が実質的に等しい２つのＮＭＯＳ型トランジスタを直列に接続して構成した第１〜第Ｈ（Ｈは２以上の正の整数）の直列回路と、これらの直列回路に電流を供給する電流供給源とを備え、前記夫々の直流回路を構成するＮＭＯＳ型トランジスタのゲートとドレインとを接続し、前記第１の直列回路の一方のＮＭＯＳ型トランジスタのゲートに前記バイアス電圧発生回路の直流出力電圧を印加し、他方のＮＭＯＳ型トランジスタの出力端子に前記直流出力電圧の２倍の直流出力電圧を発生させ、第Ｈ−１の直列回路の出力電圧を第Ｈの直列回路の相互接続点に印加し、他方のＮＭＯＳ型トランジスタの出力端子に前記バイアス電圧発生回路の直流出力電圧に（Ｈ＋１）倍の直流出力電圧を発生させる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動と無関係に一定の電圧を出力することができる半導体装置用の内部電圧発生器を提供すること。
【解決手段】電源電圧と第１ノードａの間に接続された第１トランジスターＰ３、第１ノードと第２ノーｃの間に接続された第２トランジスターＮ２、電源電圧と第３ノードｂの間に接続された第３トランジスターＰ４、第３ノードと第２ノードの間に接続された第４トランジスターＮ４、及び第２ノードと接地の間に接続された第５トランジスターＮ３を備え、第１及び第３トランジスターのゲートがともに第１ノードに接続されているカレントミラー部２０１と、カレントミラー部の第１及び第３ノードからの出力信号によって制御される第１ドライバー２０２と、第１ドライバーの出力信号によって制御される第２ドライバー２０３と、第２ドライバーの出力ノードと接地の間に接続された分圧器２０４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 低い電源電圧でも高精度な基準電圧を発生できると共に、外部から印加される初期化信号や複数の定電流源を必要とすることなく、回路の安定した起動を実現できる基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】 この基準電圧発生回路は、２つのＰＮ接合を含む回路に発生する２つの電圧を入力して出力電圧を生成する差動増幅部と、２つのＰＮ接合に電流を供給する電流供給部と、起動信号に従って差動増幅部の動作を第１の安定状態から第２の安定状態に移行させるために電流供給部を制御する制御部とを含み、差動増幅部の出力電圧に基づいて生成された第１の電圧を分圧して基準電圧として出力する定電圧回路２０と、第１の電圧に基づいて差動増幅部の動作が第１の安定状態を経過するまで起動信号を活性化する起動回路１０と、起動信号が活性化されているときに第１の電圧を減少させる起動促進回路３０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 出力電流の制限値が測定装置の測定範囲を超えた場合でも該測定装置で制限電流値を測定することができる、電流制限回路を備えた定電圧電源回路を得る。
【解決手段】 制限電流測定時には、測定装置から負荷１０に、所定の定電圧Ｖ１よりも少し小さい電圧Ｖｓが印加されると共に、該測定装置によってテスト信号Ｓ１をハイレベルにして負荷１０に大きな電流を流し、入力電圧ＶｄｄとＮＭＯＳトランジスタＭ４のドレインとの間に接続される抵抗値を、抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ３の各抵抗値の和になるようにして、通常動作時と比較して小さい電流値で出力電流ｉｏの電流制限がかかるようにした。 （もっと読む）