【課題】 ｐｕｌｌ−ｄｏｗｎ抵抗が端子に設けられている場合においても、
ＡＣ特性を改善することを目的とする。
【解決手段】 半導体内部電源電圧よりも高電圧の外部信号線に接続される出力端子部６と、フローティングＮウェルを有し複数のＰチャネル型トランジスタ５２、５３、５４とアナログスイッチ５１ａにより構成され半導体内部信号を外部へ出力するハイ側出力回路部と、複数のＮチャネル型トランジスタ５５、５７が直列に接続され半導体内部信号を外部へ出力するロー側出力回路部とを備えた半導体装置の入出力回路において、前記アナログスイッチを構成するＰチャネル型トランジスタ５１ａの閾値電圧を他のトランジスタの閾値電圧より低く設定した。
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【課題】温度検出を行う第２及び第３の各電界効果トランジスタに電源供給を行う第１の電界効果トランジスタのソース電圧をＺＴＣ点に設定することにより、低電圧動作が可能な温度検出回路を得る。
【解決手段】温度検出を行う各電界効果トランジスタＭ２，Ｍ３に電源供給を行う電界効果トランジスタＭ１におけるソース電圧を、温度上昇に伴ってしきい値電圧Ｖｔｈが低下してドレイン−ソース間電流が上昇する効果と、移動度が低下してドレイン−ソース間電流が低下する効果が相殺されるＺＴＣ点に設定するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置に搭載される出力回路に関し、出力バッファのトランジスタのスレッショルド電圧のばらつきによる外部出力信号のスルーレートのばらつきを抑制できるようにする。
【解決手段】プリバッファ５８は、内部出力ノード１４とＰＭＯＳトランジスタ１０のドレインとの間に制御信号電圧変化調整回路５９を接続する構成とする。制御信号電圧変化調整回路５９は、出力バッファ８のＮＭＯＳトランジスタ１５のスレッショルド電圧のばらつきによる外部出力信号ＳＣ１のスルーレートのばらつきを抑制するように制御信号ＳＢ１の電圧変化を調整する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型MOSトランジスタのしきい値の温度依存性及び、ｐ型MOSトランジスタのしきい値のばらつきを低減するパワーオン電源電位検知回路を提供する。
【解決手段】 電源電位Vddと電源電位Vddより低い低電位Vssとの間に直列接続されたダイオードD₁、第１の抵抗R₁及び第２の抵抗R₂と、第１の抵抗R₁と第２の抵抗R₂の接続点の電位VG1をゲートに入力し、ソースを第３の抵抗R₃を介して電源電位Vddに接続し、ドレインを第４の抵抗R₄を介して低電位Vssに接続したｐ型MOSトランジスタQ₁とを備える。 （もっと読む）

【課題】 性能を落とすことなく低電圧化が可能な電流スイッチを提供することを目的にする。
【解決手段】 正電源と負電源の間に基準電流源とバイアス回路を接続し、この接続点を第１のエミッタフォロアに入力して、この第１のエミッタフォロアが、差動入力信号が入力される差動対回路を駆動し、差動対回路の出力を第２のエミッタフォロアに入力して、この第２のエミッタフォロアの出力を電流出力部に入力するようにした。また、これらの回路を構成するトランジスタのエミッタ面積と抵抗の比を所定の比率に調整するようにした。出力部のエミッタ結合対と負電源の間のトランジスタを省略できるので、低電圧化することができる。 （もっと読む）

【課題】 イコライザによるイコライジングのレベル設定を変える必要がなく、また、キャパシタによる面積の増大を解消し微細化に適した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 伝送されてきた信号をイコライズする機能を有する半導体集積回路において、受信した信号を差動増幅するバッファ１０１と、バッファ１０１から出力された信号を受信し、増幅するバッファ１０２と、バッファ１０１から出力された信号を受信し、バッファ１０２よりも高いコモンモード電圧で増幅するバッファ１０３と、バッファ１０１から出力された信号を受信し、バッファ１０２よりも低いコモンモード電圧で増幅するバッファ１０４と、信号の状態からバッファ１０２、１０３、１０４の出力信号の内、少なくとも一つの出力信号を選び出し、選び出された出力信号をサンプリングするサンプラー１０５を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、トランジスタの差動対を用い、かつ低供給電圧Ｖｃｃ下で動作できる電流スイッチに関する。本発明によれば、共にカスケードされたそれぞれ２つのトランジスタの２つの差動対（Ｔ１、Ｔ１ｂ；Ｔ２、Ｔ２ｂ）を含む電流スイッチが提供されるが、第２の対（Ｔ２、Ｔ２ｂ）は、入力部（Ｅ、Ｅｂ）の状態によって反転する相補電流出力部（Ｈ、Ｈｂ）を有する。第１の対（Ｔ１、Ｔ１ｂ）は、電流源を通して接地（ＧＮＤ）され、値Ｉｏの電流を供給し、電圧Ｖｂｉａｓのバイアスをかけられるトランジスタ（Ｔｓ１）を含み、Ｎ．Ｖｂｅ＋Ｖｂｉａｓに等しい電圧を供給されるが、ここで、Ｎは整数（好ましくは１に等しい）であり、Ｖｂｅは、トランジスタ（Ｔｓ１）のベース−エミッタ電圧である。第２の対（Ｔ２、Ｔ２ｂ）は、抵抗器（Ｒ２）を通して直接接地される。本発明は、サンプルホールド回路、マルチプレクサ、高速低電圧論理回路等のオン−オフ制御に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】
第１の電源系と第２の電源系の間で信号の伝送を行う信号線の電圧上昇を抑制することが可能となり、非常に高い異常電圧が発生した場合においても、回路の破壊を抑止することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】
第１の電源線に接続された第１の回路１１１を有する第１の電源系１１と、第２の電源線に接続された第２の回路１２１を有する第２の電源系１２と、第１の回路１１１と第２の回路１２１との間に接続され、第１の回路１１１と第２の回路１２１との間で信号を伝送する信号線１４と、信号線１４とは異なり、第１の電源系１１と第２の電源系１２の間に異常電圧が発生したときに異常電流が流れる放電経路１３と、異常電圧が発生したときに、異常電流が流れている放電経路１３内の二点間の電位差に基づいて動作し、信号線１４の電圧上昇を抑制する保護回路１２３と、を備えた半導体集積回路装置 （もっと読む）

【課題】 簡単なバルク電位制御の回路構成で回路面積の増大を防ぐことができ、ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値を調整することができると共にしきい値電圧のばらつき幅を低減させることができ、安定した低電圧動作を行うこと。
【解決手段】 しきい値電圧を制御したいトランジスタＴ２のバルク端子ｂを、同しきい値電圧を有し、ゲート端子ｇとドレイン端子ｄを短絡したダイオード接続型のトランジスタＴ１のゲート端子ｇと接続することで、しきい値電圧に応じたバルク電位を発生させ、しきい値の絶対値及びばらつき幅を抑制することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、過熱監視対象の近傍に設けられても、高精度の温度保護動作を行うことが可能な温度保護回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る温度保護回路１０は、チップ温度が第１の閾値温度に達したときにイネーブルとされ、第１の閾値温度よりも低い第２の閾値温度を下回ったときにディセーブルとされる信号Ａを生成する発熱検出部１１と；信号Ａが所定の確認期間に亘ってイネーブル状態に維持されたときにイネーブルとされる信号Ｂを生成するイネーブル制限部１２と；信号Ｂのイネーブルに同期してイネーブルとされ、かつ、少なくとも所定の最短期間については、そのイネーブル状態が維持される温度保護信号Ｓｔｓｄを生成するディセーブル制限部１３と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】 電子スイッチの強電波による誤動作を抑制できるようにする。
【解決手段】 比較回路COM21の負入力端子に供給される電圧値が電波非検出で、かつ、遊技球非検出を示す電圧値V₁である場合、弁別閾値となる電圧値V₄₁を電波非検出で、かつ、遊技球検出を示す電圧値V₂と電波検出を示す電圧値V₃との中間電圧値V₄₁hiに切り替え、比較回路COM21の負入力端子に供給される電圧値が電圧値V₂である場合、弁別閾値となる電圧値V₄₁を電圧値V₁と電圧値V₃との中間電圧値V₄₁loに切り替えるようにしたので、電波が検出されると、電子スイッチ２１により遊技球３１は検出されるものの、カウントするための比較回路COM21の動作が保持されることになる。本発明は、パチンコ遊技台に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 サブスレッショルドリーク電流を低減した論理ゲートを提供する。
【解決手段】 ソースに第１の電圧が印加され、ゲートに第１の入力信号が入力され、ドレインから第１の出力信号を出力する第１のトランジスタと、ソースに第１の電圧よりも低い第２の電圧が印加され、ゲートに第２の入力信号が入力され、ドレインから第２の出力信号を出力する第２のトランジスタと、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタのドレイン間に接続され、第１のトランジスタと第２のトランジスタを接続または切り離す接続切換部とを有する構成である。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の全範囲にわたって論理回路の論理閾値を線形に制御可能にする。
【解決手段】論理閾値制御電圧を論理閾値制御回路に入力させ、前記論理閾値制御回路の出力を論理回路の出力端子に接続させ、前記論理回路の論理閾値を電源電圧の全範囲にわたって変換する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流遮断回路を備える半導体装置において、別途データ保持回路の配置領域や記憶手段を設けることなく、そのデータが破壊されるのを防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】データ保持回路を含む内部回路と、電源側およびグランド側のリーク電流遮断回路とを備える。例えば、グランド側のリーク電流遮断回路は、内部回路を構成するグランド側トランジスタのソースとグランドとの間を電気的に接続状態または遮断状態とするスイッチと、グランド側トランジスタのソースの電位がグランドの電位と略等しいことを検出するとスイッチを遮断状態とし、グランド側トランジスタのソースの電位がデータ保持回路にデータを保持するために必要なローレベルの最高電位よりも低い所定の電位まで上昇したことを検出するとスイッチを接続状態とする制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 入力回路のしきい値を調整することなく、製造ばらつきに関わらず安定して動作するトレラント入力回路を提供する。
【解決手段】 入力パッド１と入力回路２との間にＮチャネルＭＯＳトランジスタにてなる降圧素子Ｔr3を介在させ、降圧素子Ｔr3のゲートに入力回路の電源ＶDDを供給して、入力パッド１に入力される高電圧信号を、電源ＶDD電圧以下に降圧して入力回路２に供給するトレラント入力回路であって、入力パッド１に高電圧信号が入力されたとき、降圧素子Ｔr3のバックゲート電圧を上昇させるバックゲート電圧制御回路を備えた。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ回路を用いた差動出力回路において、電源・温度・プロセス等の変動による影響により、不所望の大きさのＶＣＭ変動が発生している。
【解決手段】 本発明による低振幅差動出力回路は、相互に相補である正相駆動信号ＭＩＮＴと逆相駆動信号ＭＩＮＢとによる差動信号であるメインバッファ駆動信号ＭＩＮＴ／ＭＩＮＢを出力するプレバッファ回路１と、プレバッファ１に接続され、メインバッファ駆動信号ＭＩＮＴ／ＭＩＮＢに応答して差動出力信号ＯＵＴＴ／ＯＵＴＢを出力するメインバッファ回路２とを備え、正相駆動信号ＭＩＮＴと逆相駆動信号ＭＩＮＢは、第１の電位ＶＤＤと第２の電位ＧＮＤとの電位差を振幅とし、正相駆動信号ＭＩＮＢと逆相駆動信号ＭＩＮＢは、前記第１の電位と前記第２の電位との中間の電位と、前記第１の電位との間の電位で同電位となる。 （もっと読む）

【課題】 論理入力信号やノイズのレベルに適切に対応することが可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】 レベルシフト回路において、一端にて論理入力信号が入力される容量素子と、容量素子の他端に接続された入力に対して第１の論理反転レベルを有する第１の論理反転回路および第２の論理反転レベルを有する第２の論理反転回路を含み、第１と第２の論理反転回路の出力極性が一致することで第２の論理振幅を有する論理出力信号を反転する論理出力回路と、容量素子の他端に入力の一端と出力が接続され、前記第１の論理反転レベルよりも低く第２の論理反転レベルよりも高い第３の論理反転レベルを有する第３の論理反転回路と、第１および第２の論理反転回路と第２の論理振幅に対応する電源とを接続し、前記第１の論理反転レベルおよび前記第２の論理反転レベルを設定する論理反転レベル設定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧で高速高精度な動作を行なうことができるＭＯＳ型トランジスタを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ゲート入力部１２およびボディ入力部１４を有する少なくとも１つのＭＯＳ型トランジスタ１０と、ゲート入力部１２に第１制御信号（ゲート電圧Ｖ_g（ｔ））を送出する第１出力部２２、およびボディ入力部１４に第２制御信号（ボディ電圧Ｖ_b（ｔ））を送出する第２出力部２４を有する制御回路２０とを備える。制御回路２０は、ゲート電圧Ｖ_g（ｔ）の印加によってＭＯＳ型トランジスタ１０をＯＮ状態にした後、ＭＯＳ型トランジスタ１０がＯＮ状態にある間にＭＯＳ型トランジスタ１０の閾値を上昇させるように、ボディ電圧Ｖ_b（ｔ）のレベルを変化させる。 （もっと読む）

【課題】回路の動作スピードを保ちつつリーク電流を削減でき、更に論理ゲートの面積増大を抑えることができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】各論理ゲート内に含まれる同一導電型の複数のトランジスタが共通のしきい値特性を有する。例えば、同一導電型のトランジスタには、同程度のしきい値を有する同一種類のトランジスタを用いる。これにより、これらのトランジスタを同一活性領域に近接して形成することが可能になるため、論理ゲートの面積を小さくすることができる。また、図１に示す半導体集積回路は、ｐ型ＭＯＳトランジスタまたはｎ型トランジスタの一方に高しきい値特性のトランジスタを用いた論理ゲート（Ｇ１，Ｇ２）を有するため、回路を伝播する２相の信号（立ち上がりおよび立ち下り）のうちの何れか一方の信号経路に高しきい値特性のトランジスタを選択的に挿入することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造のスイッチを使用して、複数のスイッチのオンオフをひとつの入力端子の安価なマイコンで検出する。全てのスイッチのオンオフを独立して検出する。
【解決手段】複数のスイッチのオンオフ検出回路は、複数のスイッチ１と、各々のスイッチ１のオンオフを”Ｈｉｇｈ”と”Ｌｏｗ”の信号に変換する変換回路３と、変換回路３の出力に接続されて、変換回路３から出力される”Ｈｉｇｈ”と”Ｌｏｗ”をアナログ信号に変換するＤ／Ａコンバータ４と、このＤ／Ａコンバータ４から出力されるアナログ信号を単一の入力端子６に入力するマイコン２とを備える。マイコン２は、入力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータ５を備え、入力されるアナログ信号をＡ／Ｄコンバータ５でデジタル信号に変換し、デジタル信号から各々のスイッチ１のオンオフを検出する。 （もっと読む）