【課題】出力変動が少なく動作の安定化に有利な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体集積回路装置は、電流経路が第１，第２電源電圧の間に直列接続される第１，第２トランジスタ（Ｍ１、Ｎ１）を有するインバータを備える出力回路３１と、一端が前記第１電源電圧に接続され、他端が前記第１トランジスタの制御端子に接続される第１ダイオード回路Ｄ１と、入力クロックが第１レベルの際に、前記第１トランジスタの制御端子の電荷を前記第２電源電圧に放出する電流経路を形成する調整回路３３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】小型化と高いアイソレーションを実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】装置本体２は、半導体素子搭載部３と、第１の導電体４及び第２の導電体５を有する。第１の導電体４及び第２の導電体５は、半導体素子搭載部３の周囲に互いに近接して設けられている。半導体素子は、半導体素子搭載部に配設される。半導体素子は、第１のスルースイッチＦＥＴ１と、第１のシャントスイッチＦＥＴ１と、第２のスルースイッチＦＥＴ２と、第２のシャントスイッチＦＥＴ２と、を有する。第１のスルースイッチＦＥＴ１は、共通端子ＡＮＴと第１の高周波端子ＲＦ１との間に接続される。第１のシャントスイッチＦＥＴ１は、第１の高周波端子ＲＦ１に接続される。第２のスルースイッチＦＥＴ２は、共通端子ＡＮＴと第２の高周波端子ＲＦ２との間に接続される。第２のシャントスイッチＦＥＴ２は、一端が第２の高周波端子ＲＦ２に接続される。 （もっと読む）

【課題】スイッチングノイズの少ない電圧出力回路を提供する。
【解決手段】電圧出力回路１０では、出力トランジスタ１１は、入力電圧Ｖｉｎが印加される第１端子１６と負荷ＲＬが接続される第２端子１７の間に接続され、ゲート電極が第１ノードＮ１に接続される。第１プルアップ回路１２は、制御信号ＶｃがＬｏｗのときに、第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。プルダウン回路１３は、制御信号ＶｃがＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き下げる。ゲート電圧監視回路１４は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、差電圧ΔＶ＝Ｖｉｎ−Ｖｎ１が基準電圧Ｖｒｅｆより大きいときに導通して第２ノード電圧Ｖｎ２をＨｉｇｈにする。第２プルアップ回路１５は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、制御信号ＶｃがＬｏｗで且つ第２ノード電圧Ｖｎ２がＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い省電力モードを実現可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、送信ノードＴＸをアンテナＡＮＴに接続するスイッチ用トランジスタＴＳＷ２と、ＴＸを接地電源電圧ＧＮＤに短絡するスイッチ用トランジスタＴＳＷ１と、ＴＳＷ１，ＴＳＷ２のオン・オフを正の電源電圧ＶＳＷと負の電源電圧（−ＶＳＳ）で制御するレベルシフト回路ＬＳを備える。ＬＳは、ＴＳＷ２をオン、ＴＳＷ１をオフに制御する送信動作モードＴＸＭＤの状態でスリープ命令を受けた際に、一旦、ＴＳＷ２をオフ、ＴＳＷ１をオンに制御するアイソレーション動作モードＩＳＯＭＤに移行し、一定の期間（Ｔｗａｉｔ）が経過したのち、ＶＳＷ，−ＶＳＳが非活性状態となるスリープモードＳＬＰＭＤに遷移する。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタの駆動用電源から引き抜かれる無駄な駆動制限電流を低減する。
【解決手段】駆動制限回路１１は、トランジスタ５に流れる検出電流Ｉｓを入力すると、それに応じた駆動制限電流をチャージポンプ回路６から制御ライン１２を介して引き抜くことにより、電流Ｉｍを保護開始電流値Ｉm1以下に制限する。電流引受回路２５は、トランジスタ４の保護開始電流値Ｉm1に対応してトランジスタ５に流れる検出電流値よりも小さく設定された引受電流Ｉａを流し込む。検出電流Ｉｓが引受電流Ｉａ以下のときは、検出電流Ｉｓは全て電流引受回路２５に流れ込むので、チャージポンプ回路６の出力電流は全てトランジスタ４のゲート駆動に使われる。 （もっと読む）

【課題】スイッチの切替時間を短縮できる高周波半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、負電圧発生回路に接続されるとともに、出力ノードが高周波スイッチ回路に接続され、高周波スイッチ回路に供給するローレベルの制御信号として負電位の信号を供給するレベルシフト回路を有し、出力ノードに蓄積されている電荷を、レベルシフト回路が動作する前に放電させる。 （もっと読む）

【課題】小型化及びコストダウンを図ることができるスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチ素子駆動回路１０は、スイッチ素子１のゲート電極１ｇに二次巻線ｎ２が接続されたトランス１１と、トランス１１の一次巻線ｎ１に電流が流れるオン期間と一次巻線ｎ１に電流が流れないオフ期間を交互に設けて、スイッチ素子１をオン／オフさせる制御回路１２を備える。制御回路１２は、オン期間に一次巻線ｎ１に流れる電流に基づいて、スイッチ素子１に接続された負荷状態をモニタし、負荷状態に応じて二次側に供給する出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】 異なる通信システムに対応可能で、受信感度が高く送信電力の損失が抑制された高周波回路、高周波部品及びこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２のアンテナ端子と、第１の通信システム用の送信端子並びに第１及び第２の受信端子と、前記第１及び第２のアンテナ端子を選択して前記送信端子と接続するスイッチ回路を少なくとも備えた高周波回路であって、前記スイッチ回路と第１のアンテナ端子をつなぐ信号経路と、前記スイッチ回路と第２のアンテナ端子をつなぐ信号経路のそれぞれに整合回路を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より簡易的な構成で半導体スイッチを駆動する回路を実現する。
【解決手段】充放電切替回路１１は、プラス側の電力線に挿入される半導体スイッチ１２−１および１２−２と、入力側の端子に入力される入力電圧を、所定の出力電圧に変換して出力側の端子から出力する絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２とを備える。そして、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のマイナス端子がプラス側の電力線に接続され、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のプラス端子が半導体スイッチ１２−１および１２−２の開閉を制御する端子に接続される。本発明は、例えば、高電圧の電源の充放電を制御する回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の双方向スイッチを小型化する技術を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴを用いた双方向スイッチにおいて、ＭＯＳＦＥＴのソース端子とバックゲート端子間を、トランスファゲートＴＧを介して接続する。ＭＯＳＦＥＴのバッグゲート端子とトランスファゲートＴＧ間の接続点と、グラウンド電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｎチャネルの場合）または電源電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｐチャネルの場合）との間にスイッチを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の異なる複数の電源を備えた、電圧駆動型素子を駆動する駆動装置で、駆動電源と電圧駆動型素子との接続部の電圧降下を抑制する。
【解決手段】 駆動装置の駆動電源は、複数の直流電源を備えており、複数の直流電源のうち、最も出力電圧の絶対値が大きい第１直流電源は、第１スイッチング素子を介して接続部と接続しており、複数の直流電源のうち、第１直流電源よりも出力電圧の絶対値が小さい１つ以上の第２直流電源の各々は、第２スイッチング素子および電流低減素子を介して接続部と接続している。第１スイッチング素子および第２スイッチング素子のそれぞれは、対応する直流電源と接続部とを導通状態と非導通状態とに切替えると共に、導通状態としたときに流れる電流と逆方向の電流の向きを順方向とする寄生ダイオードを有する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】供給電圧に対して負荷電流が直線的に変化しない特性の負荷を駆動する駆動回路であっても、高精度に過電流の発生を検出することが可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）と負荷ＲＬとの接続点と、グランドとの間に電圧重畳回路１４を設ける。そして、電圧Ｖ１が増加してツェナーダイオードＺＤ１の両端電圧がツェナー電圧を超えると、電圧重畳回路１４に電流が流れて抵抗Ｒ１に電圧降下が発生する。そして、この電圧降下分が重畳電圧ＶｇとなってＦＥＴ（Ｔ１）の両端電圧に加算され、加算後の電圧と判定電圧ＶＭとの比較により、過電流が検出される。従って、ＨＩＤランプ等の特殊負荷を駆動する負荷駆動回路であっても、高精度に過電流の発生を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部１１が、短絡や過電流が発生したと判断して半導体遮断器１２が電流を遮断するとき、スイッチＳ_３，Ｓ_４の電気的接続状態をオン状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を低い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を開始する閾値電圧Ｖ_１よりもやや高いレベルまで短時間で一気に減少させる。次に、スイッチＳ_１，Ｓ_３の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を高い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を完了する閾値電圧Ｖ_２よりもやや低いレベルまで緩やかに減少させる。 （もっと読む）

【課題】しきい電圧Ｖ_Ｔが小さくてもリーク電流が小さく、また高速にかつ小さな電圧振幅で動作するＣＭＯＳ回路さらには半導体装置を提供することである。
【解決手段】ゲートとソースを等しい電圧にしたときにドレインとソース間に実質的にサブスレショルド電流が流れるようなＭＯＳＴ（Ｍ）を含む出力段回路において、その非活性時には、前記ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートとソース間を逆バイアスするように該ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートに電圧を印加する。すなわち、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｐチャンネル型の場合にはｐ型のソースに比べて高い電圧をゲートに印加し、また、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｎチャンネル型の場合にはｎ型のソースに比べて低い電圧をゲートに印加する。活性時には、入力電圧に応じて該逆バイアス状態を保持するかあるいは順バイアス状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】高周波信号が通る信号線と、オーディオ信号が通る複数の信号線が合流して使用される場合において、高周波信号およびオーディオ信号に発生する歪成分を抑制する。
【解決手段】高周波信号を伝送可能なケーブルの端子と、オーディオ信号を専用に伝送するケーブルの端子を共通に挿し込むことができる共通端子５０からの信号線は二つに分岐して、高周波系スイッチ（ＵＳＢスイッチ１０）の一端と、第１階層のオーディオ系スイッチ（オーディオスイッチ２０）の一端にそれぞれ接続される。高周波系スイッチの他端からの信号線は目的の回路に接続される。第１階層のオーディオ系スイッチの他端からの信号線は複数に分岐して、それぞれ第２階層のオーディオ系スイッチ（ヘッドホンスイッチ２１、マイクスイッチ２２）の一端に接続される。第２階層の複数のオーディオ系スイッチの他端からのそれぞれの信号線はそれぞれの目的の回路に接続される。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化することなく且つ半導体スイッチの電圧のばらつきの影響を軽減して過電流を検出することが可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のドレインと、ＥＥＰＲＯＭ１２との間に、抵抗Ｒ１，Ｒ２の直列接続回路を含む分圧回路１５を設ける。従って、ＥＥＰＲＯＭ１２には、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電圧Ｖ１を抵抗Ｒ１とＲ２で分圧した電圧が供給され、この電圧が判定電圧ＶＭの嵩上げ電圧となる。その結果、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン・ソース間電圧Ｖdsが大きく、判定電圧ＶＭがＥＥＰＲＯＭ１２の設定電圧の上限を超える場合であってもこの嵩上げ電圧が存在することにより、この電圧Ｖdsに応じた判定電圧ＶＭを設定することができ、過電流の発生を高精度に検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部１１が、短絡や過電流が発生したと判断し、半導体遮断器１２にて電流の遮断を開始するように制御する。半導体遮断器１２が電流を素早く遮断することができるように、半導体遮断器１２のゲート電圧を、半導体遮断器１２が遮断を開始する閾値電圧Ｖ_１に向けて急激に減少させていく。その後、半導体遮断器１２のゲート電圧が閾値電圧Ｖ_１に達すると、半導体遮断器１２のゲート電圧が、半導体遮断器１２が遮断を完了する閾値電圧Ｖ_２になるまで、スイッチＳ_２の電気的接続状態をオン状態、オフ状態に交互に切り替えて、半導体遮断器１２のゲート電圧を徐々に減少させていく。 （もっと読む）

【課題】目標電流値変更後のディザー制御目標電流値の開始位置を揃えることができる誘導負荷駆動制御装置及び誘導性負荷駆動制御方法を提供する。
【解決手段】誘導性負荷１５に流れる電流が目標電流値に近づくようＰＷＭ制御により前記誘導性負荷の駆動制御を行う駆動制御手段１２と、設定電流値に、前記ＰＷＭ制御の周期よりも大きくな周期を有する所定振幅の電流制御量を付加して前記目標電流値を生成する目標値制御手段１１と、前記設定電流値の変化時に前記電流制御量の付加を前記電流制御量の特定の位相状態から開始させる電流制御量付加制御手段３７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）