Fターム[5J056EE15]の内容
Fターム[5J056EE15]に分類される特許
261 - 261 / 261
入力回路及び半導体集積回路装置
【課題】外部信号に応答した内部信号を生成する入力回路であって、増幅時に発生する外部信号のエッジから内部信号の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジの相対的な遅延を改善する。
【解決手段】差動回路は、外部信号DQS ,DQと基準電圧Vref がそれぞれ入力される一対のNMOSトランジスタTN1,TN2を備え、外部信号DQS ,DQと基準電圧Vref に基づいて一対のNMOSトランジスタTN1,TN2にそれぞれ流れる電流に応じて、外部信号DQS ,DQに応答した内部信号dqsz,dqz を出力する。電流調整回路としてのNMOSトランジスタTN4は、外部信号DQS ,DQに対する内部信号dqsz,dqz のレベルに応答して差動回路の電流量を調整すべくオンオフ動作する。
(もっと読む)
261 - 261 / 261
[ Back to top ]