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Fターム[5J056EE15]の内容

論理回路 (30,215) | 接続構成 (2,928) | 複数の出力回路を並列接続するもの (261)

Fターム[5J056EE15]に分類される特許

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【課題】回路の面積を増大させることなく、高い分解能及び広い抵抗値の範囲を有するターミネーション抵抗回路を提供すること。
【解決手段】本発明に係るターミネーション抵抗回路は、キャリブレーションコードが所定値を有すると、論理値が、前記キャリブレーションコードが前記所定値と異なる値を有する場合の論理値から変化する制御信号を生成する制御信号生成部と、前記キャリブレーションコードに応答してそれぞれオン/オフされる、相互に並列接続された複数の並列抵抗と、前記制御信号に応答してターミネーション抵抗回路全体の抵抗値を変更する抵抗値変更手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】プリエンファシス機能を有し、ジッタを低減する出力バッファ回路の提供。
【解決手段】第1の論理信号を入力して伝送線路(L)を駆動する第1のバッファ回路(M1)と、第1の論理信号に対して所定の論理関係にある第2の論理信号を入力し、出力が第1のバッファ回路の出力と共通接続された反転バッファ(T4,T5)と、反転バッファと第1の電源(VDD)間に接続され、制御端子に入力される信号に基づき、オン・オフ制御される第1のスイッチ(T3)と、反転バッファと第2の電源(VSS)間に接続され、制御端子に入力される信号に基づき、第1のスイッチと連動してオン・オフ制御される第2のスイッチ(T6)と、を備えたプリエンファシス制御用の第2のバッファ回路(M2)を備える。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路のドライブ能力調整を、量産出荷時の検査時に頼ることなく行う。
【解決手段】半導体集積回路21は、各々出力バッファと入力バッファを含み、外部の装置との間でデータのやり取りを行う複数のI/Oセル37,38,39,40,41と、テストモード時に論理素子を通じて、当該複数のI/Oセルをチェーン状に接続するテストモード設定回路34と、テストモード時に、チェーン接続された複数のI/Oセルの総遅延値を測定する遅延測定回路27とを備える。 (もっと読む)


【課題】接地電圧と電源電圧の電位差を規定値に保ち、誤動作を防止することができるバッファ回路及びその制御方法を提供する。
【解決手段】出力制御信号に応じて入力信号に対応する信号を出力する場合、第1スイッチング素子により出力スイッチング素子を導通状態に駆動し、第2および第3スイッチング素子により出力スイッチング素子を非導通状態に駆動する。一方、出力制御信号に応じてハイインピーダンス状態を出力する場合、第3スイッチング素子は非導通に制御されるので、出力スイッチング素子は、第2スイッチング素子のみにより非導通状態に駆動される。 (もっと読む)


【課題】駆動力が互いに異なる負荷が、1つの端子に接続されている場合、大きな駆動力で負荷を駆動することによる放射ノイズの発生を抑制することができるバッファ駆動能力制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】駆動能力の大きな負荷を駆動するための駆動能力と駆動能力の小さな負荷を駆動するための駆動能力を切り替えることのできる出力バッファを持ち、駆動能力の大きな負荷を駆動するための制御期間と駆動能力の小さな負荷を駆動するための制御期間とを持ち、それぞれの制御期間に、それぞれの負荷に適した駆動能力に出力バッファの駆動能力を切り替える。 (もっと読む)


【課題】高精度に設定された受端抵抗を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第1回路の第1端子は、所望の抵抗値を有する抵抗素子が接続され、電圧比較部は、第1端子の電圧と第1中間電圧との比較出力信号を形成し、制御論理部は、スイッチ部を制御して第2中間電圧を第2抵抗回路のMOSFETのゲートに供給し、第1抵抗回路の複数のMOSFETのオン/オフ制御により合成抵抗値を一方から他方に向けて変化させ、電圧比較出力が反転した時点のオン/オフ制御検知して記憶する。スイッチ部を制御して電圧比較出力を第2抵抗回路のMOSFETのゲートに供給する。第2回路の第3抵抗回路は、第1抵抗回路と同様な複数のMOSFETがオン/オフ制御され、第4抵抗回路のMOSFETのゲートは、第2抵抗回路のMOSFETのゲートと同じ電圧比較出力が供給される。 (もっと読む)


【課題】USB2.0対応の半導体デバイスに内蔵されて、終端抵抗としてHigh Speedモードでの終端抵抗の規定を満足し、データ・ドライバとしてもFull Speedモードでの出力インピーダンスの規定を満足する終端抵抗調整回路を提供すること。
【解決手段】ドライバと、該ドライバの出力端とバスとの間に接続される抵抗素子とを備えて構成される出力/終端ユニットが並列に複数備えられる出力/終端部と、出力/終端ユニットと同一の構成を有しドライブ状態に維持されるモニターユニットと、モニターユニットに備えられる抵抗素子の一端に接続され、基準電流を流す電流源と、モニターユニットを流れる基準電流に応じてモニターユニットに備えられる抵抗素子の一端に出力されるモニター電圧に基づいて、出力/終端部においてドライバがドライブ状態となることに応じて終端抵抗を構成する出力/終端ユニットの構成数を調整する制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】隣り合う電源ドメイン間の電圧レベル差を調整する電圧レベル調整回路を提供する。
【解決手段】第1電源13と第1回路14との間に接続され、第1制御信号S1に応じて第1電源13の電圧Vdd1を調整した第1電圧V1を第1回路14に出力する第1電圧調整回路15と、第1電源13とは供給源が異なる第2電源16と、第1回路14と信号をやり取りする第2回路17との間に接続され、第2制御信号S2に応じて第2電源16の電圧Vdd2を調整した第2電圧V2を第2回路17に出力する第2電圧調整回路18と、第1電圧V1と第2電圧V2との電位差ΔVを検出し、電位差ΔVが小さくなるように、第1制御信号S1を第1電圧調整回路15に出力し、第2制御信号S2を第2電圧調整回路18に出力する電圧制御回路19と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】並列する配線に伝達される信号の波形品質の低下を抑制すること。
【解決手段】半導体装置の出力回路23は、出力部41a,41bと調整部42を有する。出力部41a,41bは、内部信号Sa0,Sb0に基づいて、互いに隣接する2つの伝送路11a,11bのそれぞれに外部信号Do0,Do1を出力する。隣接する伝送路11a,11bの特性インピーダンスは、それぞれの伝送路11a,11bに出力される外部信号Do0.Do1、即ち内部信号Sa0,Sb0の遷移に応じて変動する。調整部42は、各出力部41a,41bから伝送路11a,11bに出力する信号Sa0,Sb0の遷移状態を検出し、その検出結果に基づいて各出力部41a,41bの出力インピーダンスを調整する調整信号を生成する。 (もっと読む)


回路は、少なくとも1つのクロック信号のためのクロック入力を含めて記述される。1つのクロックバッファだけが、少なくとも1つのクロック信号、少なくとも1つの第1の変更されたクロック信号および第2の変更されたクロック信号に基づいて生成するクロック入力に接続される。複数のフリップフロップは、クロックバッファに接続される。フリップフロップの各々は、第1および第2の変更されたクロック信号を受け取る。複数のデータ入力は、複数のフリップフロップに入力データを供給するために、複数のフリップフロップの少なくとも1つに各々接続される。複数のデータ出力は、複数のフリップフロップからの出力データを供給するために、複数のフリップフロップの少なくとも1つに各々接続される。複数のフリップフロップの各々は、第1の変更されたクロック信号および第2の変更されたクロック信号を利用して入力データを出力データに変換する。 (もっと読む)


【課題】ホットキャリア劣化による素子性能の低下を低減すること。
【解決手段】メイン−nMOS52を含む第1回路部分C1及びメイン−pMOS54を含む第2回路部分C2の双方又はいずれか一方を備えており、第1回路部分は、メイン−nMOSと電気的に並列に接続されていて、メイン−nMOSと利得係数が等しく、かつ閾値電圧が段階的に大きくなる1個以上のサブ−nMOS14を備えており、第2回路部分は、メイン−pMOSと電気的に並列に接続されていて、メイン−pMOSと利得係数が等しく、かつ閾値電圧が段階的に大きくなる1個以上のサブ−pMOS18を備えている。 (もっと読む)


【課題】テストパターン数の増加を抑えながら、1縮退故障、遷移遅延故障、ラッチ動作故障等を検出可能な論理回路を提供する。
【解決手段】論理回路は、制御端子への入力信号に応じて第1の状態又は第2の状態に設定され、第1の状態では入力クロック信号を出力信号として出力し、第2の状態では出力信号を一定値に固定するゲーテッドクロックバッファと、ゲーテッドクロックバッファの出力信号を受け取るフリップフロップを含みスキャンチェーンを構成する複数のスキャンフリップフロップとを含み、ゲーテッドクロックバッファの制御端子への入力を制御する信号を第1の信号と第2の信号との間で切り替え可能とし、第1の信号はスキャンチェーンを用いるテスト時には常時イネーブル値となり、第2の信号はスキャンシフト時にイネーブル値となり且つキャプチャ時の少なくとも一部の期間でディスエーブル値となる。 (もっと読む)


【課題】動作に支障が生じるような電源スイッチ制御経路の故障を検出する。
【解決手段】回路ブロック2内の回路部と、回路部の電源供給を制御する複数の電源スイッチ10と、共通の制御線11を介して複数の電源スイッチ10をオンまたはオフする制御部12と、制御部12に近い側で制御線11の途中に設けられ、その接続と遮断を制御するテストスイッチ部13と、制御部12に遠い側で制御線11に接続され、テストスイッチ部13の動作に伴う制御線電位の変化を受け、テスト応答を出力するフリップフロップ回路FFrと、を有する。 (もっと読む)


【課題】出力バッファーの面積・体積・部品点数の増加を抑制するとともに、ドライブ能力を向上させることが可能な出力バッファー回路を提供する。
【解決手段】第一駆動信号LINを伝達する第一入力経路4a、第二駆動信号RINを伝達する第二入力経路4b、第一入力経路4aと対応する第一出力バッファー6a及び第二入力経路4bと対応する第二出力バッファー6bを備える出力バッファー回路1において、入力経路切り替え手段8が、ステレオモード及びモノラルモードのうち、モノラルモードでは、第一入力経路4aと第一出力バッファー6a及び第二出力バッファー6bとを電気的に接続させ、出力経路切り替え手段10が、第一出力バッファー6a及び第二出力バッファー6bと、第一入力経路4a及び第一出力バッファー6aと対応する第一負荷2aとを、電気的に接続させる。 (もっと読む)


【課題】インピーダンス調整の精度を向上させる。
【解決手段】4ビットカウンタ33pは、コンパレータ32pから供給されたアップダウン信号Spに基づいて4ビットのカウンタ値CNTpを出力する。重み付け選択回路35pは、各PMOSトランジスタのDC特性の平均値との偏差に基づいて重み付けを行い、4ビットカウンタ33pのビット1(LSB)には、偏差が最も小さいトランジスタを割り当てる。重み付け選択回路33pは、4ビットカウンタ33pのビット2には、2つのPMOSトランジスタ、ビット3には、4つのPMOSトランジスタ、ビット4(MSB)には、8つのPMOSトランジスタを割り当てる。そして、重み付け選択回路35pは、4ビットカウンタ33pから出力されたカウンタ値CNTpに基づいて、トランジスタP3−1〜P30を選択する。 (もっと読む)


【課題】データバスの電位の遷移によるバッファ内の貫通電流を低減し、高速にデータバスを駆動することができる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】本発明の一形態の出力バッファ回路は、メモリ装置から読み出されたデータを出力する出力バッファ回路において、前記メモリ装置(1)のビット線をセンスするセンスアンプ(11)と、前記センスアンプからの出力信号を取り込むラッチ部(10)と、前記ラッチ部からのデータを出力する主バッファ(14)及び副バッファ(13)と、を備え、前記主バッファは、前記センスアンプでセンスするタイミングを規定するパルスに同期して生成される制御信号が有効な期間中に非活性化し、前記副バッファは、常時活性化する。 (もっと読む)


【課題】外付抵抗の抵抗値をもとに、出力バッファの抵抗値を調整する。
【解決手段】外付抵抗と、各抵抗調整部との抵抗比による電位をコード生成部CG1で検知し、コード生成部CG1にて、その検知結果に応じて抵抗調整用のコード信号PU1/PD1を調整し、各抵抗調整部の抵抗値を外付抵抗ERに合わせこむ。さらに、各抵抗調整部の抵抗値が外付抵抗の抵抗値に合わせ込まれたコード信号PU1/PD1によって、出力バッファの抵抗値の抵抗調整を行う。 (もっと読む)


【課題】信号の動作周波数の高速化を容易に実現可能とする論理モジュールを提供する。
【解決手段】論理モジュール100は、FPGA101、102とコネクタ105(107)、106(108)と、接続切替回路103(104)とを備える。FPGA101が接続切替回路103(104)を介してFPGA102またはコネクタ106(108)と接続される場合には、接続切替回路103(104)と接続されるFPGA101の接続ピン内側にバス終端抵抗131(133)が接続される。また、FPGA102が接続切替回路103(104)を介してFPGA101またはコネクタ105(107)と接続される場合には、接続切替回路103(104)と接続されるFPGA102の接続ピン内側にバス終端抵抗134(135)が接続される。 (もっと読む)


【課題】I/F回路用電源電圧が変更になると、ACタイミングが異なることになるため、回路の変更を行う必要が生じる。また、外部から駆動能力調整の制御を行う必要があり、半導体集積回路の外部端子数を増加させる問題がある。
【解決手段】本発明は、制御信号に応じて駆動能力を可変するインターフェイス回路と、前記インターフェイス回路の出力電圧範囲に応じて、前記制御信号を生成する制御回路とを1チップ上に有する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】データ出力回路を提供する。
【解決手段】クロック信号を受信して所定のパルス幅を持つクロックパルスを生成するデータ出力制御部と、前記クロックパルスに同期して第1データを出力する第1データ出力部と、前記クロックパルスに同期して第2データを出力する第2データ出力部と、を含むデータ出力回路を提供する。 (もっと読む)


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