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Fターム[5J056EE15]の内容

論理回路 (30,215) | 接続構成 (2,928) | 複数の出力回路を並列接続するもの (261)

Fターム[5J056EE15]に分類される特許

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【課題】電源電圧VDD2が変更される場合においても、クロックスキュー量をタイミングエラーが発生しない値に調整することが可能な半導体装置等を提供すること。
【解決手段】第2ブロックBK2には可変に制御される電源電圧VDD2が供給される。また第1ブロックBK1はクロックCLK1で動作し、第2ブロックBK2はクロックCLK2で動作する。第1ブロックBK1と第2ブロックBK2との間では、クロックCLK1およびCLK2に基づいて、互いにデータの受け渡しが行われる。モニタ回路4は、データ受け渡しが正常に行われるか否かを検出する。クロックCLK1とCLK2との間には、スキューが存在する。クロック遅延調整回路3は、ハイレベルのモード切替信号MSが入力されることに応じてスキュー量の調整を行う。クロック遅延調整回路3は、モニタ回路4でのデータの受け渡しが正常に行われるようにスキュー量を調整する。 (もっと読む)


【課題】信頼性を高め、かつ消費電力の増加を低減することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】通信装置と無線信号の送受信を行うためのアンテナと、アンテナに電気的に接続された複数の機能回路と、を有し、複数の機能回路のうち、いずれか一の機能回路は、いずれか他の機能回路の電源回路より出力される電源電圧を制御するための電源制御回路を有し、いずれか他の機能回路における電源制御回路は、第1端子が電源回路の出力端子に電気的に接続され、第2端子がグラウンド線に電気的に接続されたトランジスタを有し、トランジスタのゲート端子がいずれか一の機能回路が有する電源制御回路に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】回路規模を縮減するインピーダンス調整回路の提供。
【解決手段】外付抵抗3と、被調整抵抗5のレプリカをなすレプリカ抵抗4の抵抗値の大小を比較するコンパレータ2と、抵抗制御回路10と、を備え、抵抗制御回路10は、コンパレータ2での比較結果に基づきカウント値をアップ・ダウンしレプリカ抵抗への制御信号を出力するレプリカ抵抗制御カウンタ11と、被調整抵抗5へ与える制御信号を保持する被調整抵抗制御信号保持回路12と、前記カウンタの状態と、前記保持回路の出力を入力し、レプリカ抵抗制御カウンタ11のカウント状態と被調整抵抗制御信号保持回路12の出力(Y)との値の差(|X−Y|)が予め定められた所定範囲内にあるときは、被調整抵抗制御信号保持回路12の出力(Y)を被調整抵抗制御信号保持回路(12)への入力(Z)として供給する監視回路13を備えている。 (もっと読む)


【課題】貫通電流対策の手間を最小限に抑え、かつ、消費電力の低減化を図った半導体集積回路の設計方法を得る。
【解決手段】ステップS1において、電源遮断対象部11内の複数のセルのうち、電源遮断を行うことが必要な第1の要電源遮断セルを認識する。次に、ステップS2において、Dフリップフロップ1から入力方向に遡って第1の要電源遮断セルに至る要電源遮断信号経路を探索する。その後、ステップS3において、ステップS2で探索された要電源遮断信号経路上のセルでステップS1で認識された第1の要電源遮断セル以外のセルを第2の要電源遮断セルとして設定する。最後に、ステップS4において、第1及び第2の要電源遮断セルに対する遮断用制御回路を生成する。 (もっと読む)


【課題】差動伝送方式の信号伝送回路の消費電力を低減する。
【解決手段】電源電位Vtermが供給される電源配線とグランド電位GNDが供給される電源配線との間に直列接続された差動出力回路10,20,30及び定電流源4を備える。このように、一つの定電流源4が3つの差動出力回路10,20,30に対して共用されており、差動出力回路10の動作に用いられた電流Iは差動出力回路20の動作に再利用され、さらに、差動出力回路20の動作に用いられた電流Iは差動出力回路30の動作に再利用される。これにより、Vterm×Iの消費電力で3つの差動出力回路10,20,30を動作させることが可能となるため、全体的な消費電力が1/3に低減される。 (もっと読む)


【課題】高周波成分を強調した信号を精度良く生成する。
【解決手段】外部から受け取った受信信号に応じた送信信号を出力するドライバ回路であって、入力される第1信号に応じた電圧を出力する第1ドライバと、第1ドライバが出力する電圧を電源電圧として受け取り、入力される第2信号および電源電圧に応じた送信信号を出力する第2ドライバと、受信信号の変化に応じて第1信号および第2信号の両方を変化させて、受信信号に応じた送信信号を第2ドライバから出力させる制御部と、を備えるドライバ回路を提供する。 (もっと読む)


【課題】 ノイズを発生させ難い出力回路等を提供する。
【解決手段】 出力回路(10)は、入力ノード(IN)と、出力ノード(OUT)と、入力ノードと出力ノードとの間に配置され、第1のゲート(13)を有する第1の出力トランジスタ(12)と、入力ノードと出力ノードとの間に配置され、第2のゲート(16)を有する第2の出力トランジスタ(15)と、入力ノードと出力ノードとの間に配置され、第3のゲート(19)を有する第3の出力トランジスタ(18)と、を備える。第1のゲート(13)および第2のゲート(16)は、第1の方向(DR1)に、第3のゲート(19)を介さず、互いに接続される。第2のゲート(16)および第3のゲート(19)は、第1の方向とは異なる第2の方向(DR2)に、第1のゲート(13)を介さず、互いに接続される。第1のゲート(13)および第3のゲート(19)は、第2のゲート(16)を介して接続される。 (もっと読む)


【課題】消費電力、回路面積を増やすことなく、プリエンファシス量の分解能を向上することが可能な出力バッファ回路、差動出力バッファ回路、調整回路及び調整機能付き出力バッファ回路、並びに伝送方法を提供する。
【解決手段】遅延回路23と、反転回路22と、出力バッファ3〜7とを備え、伝送線路2に論理信号を送信し、伝送線路2の信号減衰量に応じて、送信側で4種以上の信号電圧を有する波形を生成する機能を有する出力バッファ回路10であって、出力バッファ3はオン抵抗に可変抵抗部分12を有し、可変抵抗値の変更によりプリエンファシス量が変更される。出力バッファ3は、前段にセクレタ20を有し、オン抵抗に可変抵抗部分12を有しており、反転回路22は、セレクタ論理により出力バッファ6に入力する信号を選択可能で、データ信号を反転し、そして、セレクタ論理のセレクト信号により、タップのプリエンファシス量を調整する。 (もっと読む)


【課題】
ポートからポートへの遅延を実装することにより雑音を減らす。
【解決手段】
雑音を減らす方法は、次を含む:電源供給網をオンにする時に、高速データリンクの最大の雑音の周波数を特定すること;その最大の雑音を最小化する、第1のポートと第2のポートの間の遅延時間を特定すること;及び、第1のポートをオンにした時から、その遅延時間後に、第2のポートをオンにすること。他の実施例も開示し請求する。 (もっと読む)


【課題】出力バッファの出力信号に含まれるノイズが低減した半導体集積回路および差動出力回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路10において、共通の半導体基板100上に形成された差動出力バッファ13_1〜13_nを複数備えるとともに、共通の半導体基板100上に形成され、複数の差動出力バッファ13_1〜13_nに動作電流を供給する共通の電流源11,12と、共通の半導体基板100上に形成され、共通の電流源11,12と複数の差動出力バッファ13_1〜13_nとの間の共通のノードC1,D1に接続された共通の容量素子14,15とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造バラツキによる出力特性のバラツキを抑制する出力ドライバを提供する。
【解決手段】本発明のドライバ回路は、第1電源及び出力端子間に接続された各々大きさの異なる複数の第1MOSTrからなる第1MOSTr(トランジスタ)群と、出力端子及び第2電源間に接続された各々大きさの異なる複数の第2MOSTrからなる第2MOSTr群と、第1SW群の第1SW(スイッチ)の各々のゲートに出力信号を供給するオン状態又はオフ状態とする第1の制御信号を印加するかを、第1MOSTr個々に制御する第1SWからなる第1SW群と、第2スイッチ群の第2SWの各々のゲートに出力信号を供給するオン又はオフ状態とする第2制御信号を印加するかを、第2MOSTr個々に制御する第2SWからなる第2SW群と、第1制御信号により第1SW群における第1SWの組合せをオン状態とするかを制御する第1制御回路と、第2制御信号により第2SW群における第2SWの組合せをオン状態とするかを制御する第2制御回路とを有する。 (もっと読む)


【課題】信号レベルの変動による誤動作を防ぐ。
【解決手段】終端抵抗回路2は、入出力端子INOUTへの接続をオン/オフ可能とする終端抵抗10〜14、15〜19を含み、テブナン終端を構成する。制御回路1は、終端抵抗10〜14、15〜19におけるそれぞれのオン/オフタイミングを時間的にずらして制御する。 (もっと読む)


【課題】 信号配線数を増大させることなく、微細化等に伴う電源電圧の引き下げによる伝送品質への影響を低減できる信号伝送システムを提供する。
【解決手段】 送信回路10が、多値伝送データDCの値別に伝送データ用電流値を規定した信号変換条件に基づいて、送信対象の複数の2値電圧データを伝送データ用電流値の多値伝送データDCに変換し出力する多値伝送データ生成出力回路を備え、伝送データ用電流値の夫々が単位伝送データ用電流値の整数倍で規定され、多値伝送データ生成出力回路が、信号配線に対し単位伝送データ用電流値の電流を供給可能な単位電流駆動回路130を複数備えたデータ出力回路13と、複数の2値電圧データを多値電流データに変換した後の多値電流データの伝送データ用電流値に基づいて、単位電流駆動回路130別に、電流供給を行うか否かを設定するための駆動制御信号を生成する駆動制御信号生成回路と、を備える。 (もっと読む)


【課題】伝送線路間のインピーダンス不整合を検出する。
【解決手段】メモリモジュール104とMCH102とを相互に接続する伝送線路301,302と、伝送線路301のインピーダンスを記憶するBIOS108と、伝送線路302のインピーダンスを記憶するSPDチップ220とを備え、CPU101は、BIOS108に記憶されたインピーダンスとSPDチップ220に記憶されたインピーダンスとの整合情報をMCH102に出力する。MCH102は、これに応じてDRAM200へのモードレジスタセットを実行し、DRAM200のODTインピーダンスを変化させる。 (もっと読む)


【課題】キャリブレーションコードを転送するラインの本数を減らすことにより、オンダイターミネーション装置及びこれを適用したチップ全体の面積を縮小させること。
【解決手段】本発明のオンダイターミネーション装置は、ターミネーション抵抗値を決定するためのキャリブレーションコードを生成するキャリブレーション回路410と、時間に応じて増加するカウントコードを生成するカウント回路420と、カウントコードに応答してキャリブレーションコードを順次転送する転送回路430と、カウントコードに応答して転送回路430からキャリブレーションコードを順次受信する受信回路440と、受信回路440からのキャリブレーションコードに応じて決定される抵抗値でインピーダンス整合を行うターミネーション抵抗回路450と、を備える。 (もっと読む)


【課題】消費電力を低減させつつ基準電流回路の起動を速める。
【解決手段】制御信号EnableがLoからHiに切り替わるとき、VGnノードは基準電流IREFと、制御信号EnableがLoであるときにコンデンサC1に保持されていた電荷とによって充電される。この結果、VGnノードが急速に充電されるため、トランジスタNM2〜NM5,PN2〜PN4が速くバイアスされる。これにより、基準電流IREFを増大させることなく、基準電流回路2の起動時間を短縮することができる。 (もっと読む)


【課題】従来の半導体集積回路装置では、消費電流の変動に伴う電源ノイズの増大を効率的に抑制することができない問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路装置は、内部回路に電源を供給する第1及び第2の電源配線と、第1の電源配線と前記第2の電源配線とを接続する電源スイッチ16と、内部回路におけるノイズを測定する電源ノイズ測定回路12a、12b、17と、電源ノイズ測定回路12a、12b、17の測定結果に基づいて電源スイッチ16の導通状態を制御する制御回路14と、を有する半導体集積回路装置である。 (もっと読む)


【課題】VDD2>VSS2>VSS1、且つVDD1>VSS1の関係にある入力電圧VDD1,VSS1を入力してVDD2,VSS2にレベルシフトする際に、VSS1>VSS2になったときであってもラッチアップ現象の発生を回避する。
【解決手段】信号出力端子OUTとなるノードN1とノードN2の間に逆並列接続された2個のインバータからなり且つ電圧VDD2とVSS2で動作するラッチ回路3と、信号入力端子INとノードN3の間に接続され且つ電圧VDD1とVSS1で動作する第1のインバータ1と、ノードN3とノードN4の間に接続され且つ電圧VDD1とVSS1で動作する第2のインバータ2と、ノードN1,N2,N3に接続された第1の反転駆動回路4と、ノードN1,N2,N4に接続された第2の反転駆動回路5と、電圧VSS1の端子側をアノード、電圧VSS2の端子側をカソードとするダイオードD1とを設ける。 (もっと読む)


【課題】半導体装置内のドライバ部(データ伝送路を駆動するドライバ部)において、線形なI−V特性をもつドライバ部を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置では、ドライバ2のプルアップ側において、抵抗素子が直列に挿入されたPchトランジスタP1、P2、P3を用意し、Pchトランジスタ側のON抵抗と抵抗素子の抵抗値とを選択可能に構成する。また、ドライバ2のプルダウン側においても、抵抗素子が直列に挿入されたNchトランジスタN1、N2、N3を用意し、Nchトランジスタ側のON抵抗と抵抗素子の抵抗値とを選択可能に構成する。そして、これらを任意に組み合わせる事で、線形なI−V特性をもつドライバ2を実現する。 (もっと読む)


【課題】動作時におけるトランジスタのリーク電流を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、クロックに同期した信号を受ける入力ノードINに結合される制御電極と、出力ノードOUTに結合される第1導通電極と、第2導通電極とを有する第1のトランジスタM1,M2と、入力ノードINに結合される制御電極と、出力ノードOUTに結合される第1導通電極と、電源ノードに結合される第2導通電極とを有する第2のトランジスタM3,M4と、電源ノードと第2のトランジスタM3,M4の第2導通電極との間に接続され、クロックの周波数の検出結果を示す第1の制御信号VDETに基づいてオン・オフされる第1のスイッチ素子CM1とを備える。 (もっと読む)


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