【課題】 信号の減衰を防止し、素子内でインピーダンスマッチングが取れるＳＡＷフィルタモジュールおよび信号伝送装置を提供する。
【解決手段】 ＳＡＷフィルタモジュール１０は、ＳＡＷフィルタ２０と、前記ＳＡＷフィルタ２０の入力側および出力側に接続されたマッチング回路と、前記ＳＡＷフィルタ２０の入力側および出力側の少なくともいずれか一方に接続された信号増幅回路と、を備えた構成である。そしてマッチング回路、またはマッチング回路と信号増幅回路は、バッファ３２，３４を構成している。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧、温度、プロセス変動等によっても立上り遅延のバラツキが小さくなり、且つ、立上り遅延と立下り遅延の差も小さくなるようにすること。
【解決手段】 電源電圧ＶＤＤより高い入力電圧Ｖｉｎを電源電圧ＶＤＤより低い電圧に低下させる耐圧回路２と、耐圧回路２の出力電圧から高周波ノイズ成分を除去するＲＣフィルタ回路４と、ＲＣフィルタ回路４の出力電圧に応じて反転／復帰するシュミットインバータ回路５と、耐圧回路２の出力電圧Ｖ１がハイレベルで且つＲＣフィルタ回路４の出力電圧が所定の電圧以上のときＲＣフィルタ回路４のＲＣ時定数を小さな値に切り替える時定数切替回路８を設けた。 （もっと読む）

信号を取り込むための入力回路と、信号を出力するための出力回路とを含む半導体集積回路において、上記入力回路は、入力信号遷移時の入力インピーダンスが、入力信号遷移時以外の入力インピーダンスよりも小さくなるように設定され、上記出力回路は、信号遷移の後半での駆動力が遷移の前半での駆動力よりも低めに設定される。入力信号遷移時の入力インピーダンスが、入力信号遷移時以外の入力インピーダンスよりも小さくなるように設定することは、入力信号遷移時における反射波を低減する。また、信号遷移の後半での駆動力が遷移の前半での駆動力よりも低めに設定することは、信号遷移の後半での反射波の発生を抑える。これにより、インピーダンス整合のためのダンピング抵抗や終端抵抗などの外付け部品を不要とする。
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【課題】 電界効果型トランジスタで構成した複数の電流モード論理回路を多段接続した論理回路において、トランスコンダクタンスｇ_ｍやトランジスタの遮断周波数ｆ_Tを改善し、かつ高速・広帯域化する。
【解決手段】 複数の電流モード論理回路を多段接続した論理回路であって、各電流モード論理回路は、一端が高電位側電源に接続された２つの抵抗と、ドレインがそれぞれ２つの抵抗の他端に接続され、かつ、それぞれ２つの出力端子に接続され、ゲートがそれぞれ２つの入力端子に接続され、エソースが共通接続された２つの電界効果型トランジスタと、一端が２つの電界効果型トランジスタのエソースに接続され、他端が低電位側電源に接続された定電流源とを有し、後段の電流モード論理回路ほど、２つの抵抗の一端に印加される電位が高い。 （もっと読む）

【課題】 ネットワーク、特にフリートポロジーネットワークにおけるノード間における通信の品質向上を実現する。
【解決手段】 終端抵抗設定方法は、ＡＤコンバータが通信用ＩＣから送信中フラグを受信すると（Ｓ１００にてＹＥＳ）、ＡＤコンバータが通信用トランスの１次側の電圧値をＡＤ変換して測定回路に出力するステップ（Ｓ２００）と、測定回路が通信用ＩＣから送信開始フラグを受信すると（Ｓ３００にてＹＥＳ）、測定回路がプリアンブルの電圧値の絶対値が基準電圧値±αの範囲内にあるか否かを判断するステップ（Ｓ４００）と、プリアンブルの電圧値の絶対値が基準電圧値±αの範囲内にないと（Ｓ４００にてＮＯ）、測定回路がプリアンブルの電圧値が基準電圧値に近くなるように調整用終端抵抗の抵抗値を変更するステップ（Ｓ５００）とを含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成によりＮＢＴＩ対策機能を備え、高信頼性を実現した半導体集積回路装置と半導体システムを提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ回路を構成するＰチャネルＭＯＳＦＥＴのうち、ＮＢＴＩによって回路動作マージンが劣化すると予測されるＭＯＳＦＥＴをターゲットとして、そのゲートに信号供給を行う伝達経路に第１スイッチを設け、所定の動作モードのときに上記第１スイッチをオフ状態にし、かつ、上記ＭＯＳＦＥＴのゲートにチャネル電圧よりも絶対値的に高い電圧を供給する回復電圧印加回路を設ける。 （もっと読む）

【課題】 高周波スイッチＳＷの前段に接続される素子の出力インピーダンスとの最適化を簡便に行え、高周波スイッチＳＷから発生する高調波を抑制できる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 高周波スイッチＳＷの送信波入力側端子Ｐｂは、直接第１端子Ｐ１に接続されると共に移相器ＰＳ２、ＰＳ３、ＰＳ４を介してそれぞれ第２端子Ｐ２、第３端子Ｐ３、第４端子Ｐ４に分岐され、
各端子Ｐ１〜Ｐ４での移相量が３６０度を等間隔に分割するように各移相器ＰＳ２〜ＰＳ４のインダクタンス及びキャパシタンスが好適に選定されている。
これにより高周波スイッチＳＷの送信波入力側に接続されるローパスフィルタＬＰＦ等のとの接続点の条件（インピーダンス）に良好な入力側端子を選択可能にしている。 （もっと読む）

【課題】周囲の温度変化に応じた適切なリフレッシュ周期で動作可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】定電流発生回路１０は、温度依存性の小さい抵抗を内部に有し、周囲の温度にかかわらず常に一定のバイアス電圧ＢＩＡＳＴを発生させて定電流発生回路１１およびバイアス電圧調整回路１２へ入力させる。定電流発生回路１１は、温度依存性の大きい抵抗を内部に有し、周囲の温度によって変化するバイアス電圧ＢＩＡＳＮを発生させてバイアス電圧調整回路１２へ入力させる。バイアス電圧調整回路１２は、バイアス電圧ＢＩＡＳＴ，ＢＩＡＳＮに基づいて、温度依存性を有するバイアス電圧ＢＩＡＳＳを発生させてリングオシレータ１３へ入力させる。リングオシレータ１３は、バイアス電圧ＢＩＡＳＳのレベルに応じて、パルス信号ＰＨＹ０の発生周期を変化させる。 （もっと読む）