【課題】２つの周波数帯の混合信号を各周波数帯で同時にインピーダンス整合可能な整合回路を提供する。
【解決手段】主整合ブロック１０１と副整合ブロック１０２とが直列に接続された整合回路である。ブロックをｂと略記すると、副整合ｂ１０２は、主整合ｂ１０１に一端が直列に接続された直列整合ｂ１１０と、直列整合ｂ１１０の他端に接続された並列整合ネットワーク１７０とを備える。交流周波数が第１の周波数ｆ_１の場合について、直列整合ｂ１１０と第１並列整合ｂ１１１との接続部は交流的に開放状態とされ、第１並列整合ｂ１１１と第２並列整合ｂ１１２との接続部は交流的に短絡状態とされ、交流周波数が第１の周波数ｆ_１の場合には、主整合ｂ１０１および直列整合ｂ１１０でインピーダンス整合を行うとされ、交流周波数が第２の周波数ｆ_２の場合には、主整合ｂ１０１および副整合ｂ１０２でインピーダンス整合を行う。 （もっと読む）

【課題】変化する入力電力やピーク／平均電力比に対して最適なバイアスを印加するドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】アクティブ・バイアス回路では、平均電力検出手段２２が入力信号の平均電力を示す電圧値を検出し、包絡線検出手段２６が入力信号の包絡線を検出し、しきい値演算手段２４が平均電力電圧値に応じて包絡線のしきい値を演算し、電圧制限手段３２が包絡線を一定値以下に制限し、これにより、入力信号の平均電力に応じたバイアス電圧を印加する。また、ピークホールド手段２７が包絡線の最大電圧値を保持し、差演算手段２８が包絡線最大電圧値と平均電力電圧値との差を演算し、電圧制御増幅器３０が演算された電圧値を制御電圧として増幅率を変化させて包絡線を増幅し、これにより、入力信号のピーク／平均電力比に応じたバイアス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】利得の低下を抑え、かつ小型で高利得な差動増幅器を得る
【解決手段】逆位相の信号がそれぞれ入力される第１の入力端子１ａおよび第２の入力端子１ｂと、基本トランジスタセルをＮ段（Ｎは２以上の整数）並列接続してなり、逆位相の信号をそれぞれ増幅する第１の増幅器１１および第２の増幅器１２と、第１の出力端子３ａおよび第２の出力端子３ｂとを備えた差動増幅器において、第１の増幅器１１に含まれる基本トランジスタセルと第２の増幅器１２に含まれる基本トランジスタセルとが互いに隣接する箇所を２箇所以上設けるように配列する。 （もっと読む）

【課題】小型で製造が容易でしかも全体としての寿命が長いマイクロ波モジュールを提供すること。
【解決手段】金属ケースと、この金属ケースの内部に取り外し可能に固定され所定の寿命を有する第１のマイクロ波機能回路と、前記金属ケースに内蔵され、前記第１のマイクロ波機能回路より長い寿命を有する第２のマイクロ波機能回路が固着されると共に、前記第１のマイクロ波機能回路及び前記第２のマイクロ波機能回路に接続される配線を有する配線基板と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｈｉｒｅｘ合成器とＦ級増幅器とを組み合わせて、高効率な線形増幅器を実現する場合、補償リアクタンス成分がＦ級増幅器の高周波整合条件に悪影響を及ぼし、効率が低下する。
【解決手段】電力増幅器として機能するＬＩＮＣ方式増幅器１００は、ＬＩＮＣ信号分離回路１０と、遅延器１２と、移相器１４と、電力増幅ＩＣ４０と、を有している。また、電力増幅ＩＣ４０は、整合回路３２，３４と、ＦＥＴ１６，１８と、伝送線路２２，２４と、伝送線路２２に接続されたλ／８オープンスタブ２６と、伝送線路２４に接続された３λ／８オープンスタブ２８と、を有している。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド対応のバイアス回路を提供する。
【解決手段】交流回路に一端が接続された第１リアクタンス手段２と、この他端に接続された第２リアクタンス手段３と、両者の接続部２１０に接続されたスイッチ７と、この他端に接続された第３リアクタンス手段８と、第２リアクタンス手段３に接続された容量性手段４と、第２リアクタンス手段３と容量性手段４との接続部２２０に接続された、直流電圧を供給可能な直流回路５とを少なくとも備えており、接続部２２０が交流的に接地状態とされたバイアス回路１００である。接続部２１０は、第１の周波数とは異なる第２の周波数において、接続部２１０から容量性手段４の方を見たときのインピーダンスが十分に大とされる位置であり、バイアス点８００からバイアス回路の方を見たときのインピーダンスは、いずれの周波数においても十分に大とされる。 （もっと読む）

【課題】 高効率ドハティ増幅器の入力分配器の分配損によるゲイン低下を防止して高ゲインを図り、高次歪の増加を抑えて高次歪を低減できる増幅器を提供する。
【解決手段】 ＡＢ級で動作するキャリア増幅回路４とＢ級又はＣ級で動作するピーク増幅回路５からの出力をノード６２で合成出力するものであって、分配器２で分配された信号に対して伝送線路３３で線路の長さが調整されて低入力時の反射係数を変更し、キャリア増幅回路４からの信号をインピーダンス変換器６４でインピーダンス変換し、ピーク増幅回路５からの信号について伝送線路６５で損失がないよう低入力時のインピーダンスを大きくみせ、低入力時に、分配器２からピーク増幅回路５側の入力インピーダンスを無限大に近づけることで、低入力時の利得を上げる増幅器である。 （もっと読む）

【課題】インピーダンスの調整および切替えを容易に行い、これらの機能を有する小型高性能の高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】１個または複数の高周波増幅素子を含む第一の半導体チップと、１個または複数の高周波整合回路素子および１個または複数のスイッチ素子を含む第二の半導体チップからモジュール等の高周波増幅装置を構成する。第二の半導体チップは高周波増幅素子の整合回路を有している。さらに、第二の半導体チップが、容量および容量と直列または並列に接続されたスイッチ素子からなる回路を含んでおり、スイッチ素子のオンまたはオフにより容量が整合回路の一部として接続、非接続の状態となるような切替えを行う。 （もっと読む）

【課題】現実的なトランジスタを対象とした、より高効率で広帯域、かつ実装面積が小さく小形な増幅器を得る。
【解決手段】増幅用トランジスタ１０と、増幅用トランジスタ１０の出力端子に接続され、基本波周波数ｆ_０の整数倍となる複数の周波数において入力サセプタンスが発散する高調波反射用スタブ２０と、一端が増幅用トランジスタ１０の出力端子に高調波反射用スタブ２０と並列に接続され、他端が負荷回路に接続され、増幅用トランジスタ１０の出力アドミタンスと高調波反射用スタブの入力サセプタンスの和を、負荷回路のインピーダンス値にインピーダンス整合させる基本波整合回路３０とを備え、高調波反射用スタブ２０は、一端が増幅用トランジスタの出力端子に接続される１つの幹スタブＴ２１と、幹スタブＴ２１の他端に分岐して並列接続される複数の枝スタブＴ２２、Ｔ２３とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の周波数帯域の信号に対して効率的に動作する整合回路、及び、複数の周波数の信号を同時に効率良く増幅することができるマルチバンド増幅器を提供する。
【解決手段】２以上の周波数帯域の信号を増幅する増幅素子１０と、周波数帯域ごとの信号に対してインピーダンス整合を行う整合回路４０を備える。一般に、整合回路は、増幅素子よりも動作周波数の幅が狭い。しかし、本発明のように、分波回路２０で分波した一方の信号（ｆ_１）に対してインピーダンス整合を行うように整合ブロック３０を設計し、他方の信号（ｆ_２）に対してインピーダンス整合を行うように整合ブロック３１を設計することにより、各整合ブロックを効率的に機能させることができる。その結果、高効率で、同時に２以上の周波数帯域の信号を処理する整合回路４０、マルチバンド増幅器１００を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】出力効率が高く広い周波数帯域において良好な歪み特性を有する高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】マルチフィンガー形のトランジスタで形成され、信号が入力されるゲートパッド３０ａと接地されるソースパッド３０ｂと信号が出力されるドレインパッド３０ｃとを有する単位ＦＥＴ３０を複数有するＦＥＴ素子１２と、単位ＦＥＴ３０のゲートパッド３０ａと接地端との間にシャント接続された直列共振回路３２が複数個配設された高周波処理回路１４とを備え、直列共振回路３２の二つがＦＥＴ素子１２の動作周波数帯域に含まれる周波数の２次及びそれ以上の高調波であって互いに異なる共振周波数を有するものである。 （もっと読む）

【課題】回路の複雑化を避けながら、基本周波数よりも広帯域の２次高調波のインピーダンス制御を可能とする。
【解決手段】入力信号の基本周波数のバンド幅が第１の基本周波数Ｆ１から第２の基本周波数Ｆ２までの５０ＭＨｚ以上である広帯域で使用される電力増幅器用トランジスタ１０２の出力整合回路は、１ｎＨ以上のインダクタ１０８Ｌと容量１０８Ｃとが直列に接続されてなる第１の２次直列共振回路１０８と、１ｎＨ以下のインダクタ１０９Ｌと容量１０９Ｃとが直列に接続されてなる第２の２次直列共振回路１０９とを有する。 （もっと読む）

【課題】２つの増幅器がそれぞれ出力する信号を合成すると共に増幅器の電力効率を高くすることが可能な合成器、およびそのような合成器を適用した装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１増幅器の出力端子に一方の端が接続される線状の第１線導体と、第２増幅器の出力端子に一方の端が接続される線状の第２線導体と、第１増幅器の出力端子に接続されない側の第１線導体の端と第２増幅器の出力端子に接続されない側の第２線導体の端との間に接続される先端導体と、第１線導体と第２線導体との間に接続される導電性部材と、を備え、第１増幅器が出力する信号と第２増幅器が出力する信号とを合成し、先端導体から出力する合成器であって、導電性部材が接続される位置が、第１増幅器および第２増幅器における電力損失に基づいて定められることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波回路において周波数変化率が高い素子を実現し、これを用いた安定化回路および高周波フィルタを提供する。
【解決手段】高周波回路の第１のノード５に接続された開放スタブＴ_１１、開放スタブＴ_２２の伝送線路の特性インピーダンスはそれぞれＺ_１、Ｚ_２であり、高周波回路の動作周波数ｆにおける位相定数はそれぞれβ_１とβ_２である。開放スタブＴ_１１と開放スタブＴ_２２の長さＬ_１とＬ_２はＺ_１×cot（β_１×Ｌ_１）＝−Ｚ_２×cot（β_２×Ｌ_２）の関係式を満たす任意の組み合わせを用いる。抵抗Ｒ４の抵抗値は任意に設定可能であり、周波数ｆ以外の周波数において高周波回路に与える損失の大きさを調整する。抵抗Ｒ４が第１のノード５における高周波信号インピーダンスよりも十分小さいかあるいは十分大きい場合は高周波回路に与える損失は小さくなり、抵抗Ｒが前記高周波信号インピーダンスに近い場合は損失が大きくなる。 （もっと読む）

【課題】出力する歪のレベルを調整することができる歪発生器を提供する。
【解決手段】ドライバ増幅器２２で増幅され且つ非線形側伝送線路３４−１から取り出されたマイクロ波信号は、マイクロ波信号のキャリア周波数に整合している出力端側整合回路５２を介して歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに供給される。歪発生用トランジスタ増幅器４８は、出力端子４８ｂに供給されたマイクロ波信号を基に歪成分を発生して入力端子４８ａ及び出力端子４８ｂの両方から出力する。可変移相器５４により歪発生用トランジスタ増幅器４８の入力端子４８ａと開放端５７との間を通過する信号の位相を調整することで、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂ側で合成される歪成分の位相差を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】歪補償効果を向上させることができる歪補償増幅器を提供する。
【解決手段】線形側伝送線路３２−１から位相調整回路３８、及び位相調整回路３８から線形側伝送線路３２−２へのマイクロ波信号の通過を許容するとともに、位相調整回路３８を介することなく線形側伝送線路３２−１から線形側伝送線路３２−２へマイクロ波信号が通過するのを抑える線形側方向性素子に、サーキュレータ３６が用いられている。非線形側伝送線路３４−１から歪発生回路４０へのマイクロ波信号の通過、及び歪発生回路４０から非線形側伝送線路３４−２への歪の通過を許容するとともに、非線形側伝送線路３４−１から非線形側伝送線路３４−２へのマイクロ波信号の通過を抑える非線形側方向性素子にも、サーキュレータ４６が用いられている。 （もっと読む）

【課題】発生させる歪のレベルを増大させることができる歪発生器を提供する。
【解決手段】ドライバ増幅器２２で増幅され且つ非線形側伝送線路３４−１から取り出されたマイクロ波信号は、マイクロ波信号のキャリア周波数に整合している出力端側整合回路５２を介して歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂに供給される。歪発生用トランジスタ増幅器４８は、出力端子４８ｂに供給されたマイクロ波信号を基に歪成分を発生する。歪発生用トランジスタ増幅器４８で発生した歪成分は、歪発生用トランジスタ増幅器４８の出力端子４８ｂから出力端側整合回路５２及びサーキュレータ４６を介して非線形側伝送線路３４−２へ供給される。 （もっと読む）

【課題】電力増幅器の並列運転時にいずれかの電力増幅器が故障した場合に、安全に電力増幅器の交換作業を行うことができる高周波電力合成器を提供する。
【解決手段】電力増幅器ＰＡ１〜ＰＡｎの出力電力を入力するｎ個（ｎは２以上の正整数）の入力ポート１１〜１ｎを有し、その入力ポート１１〜１ｎそれぞれにリアクタンス成分を変更可能な可変リアクタンス素子２１〜２ｎを有し、その可変リアクタンス素子２１〜２ｎそれぞれからすべてのトランスフォーマ合成点５１まで入力電力波長の１／４の奇数倍の線路長の伝送線路４１〜４ｎで接続する。状況に応じて、故障した電力増幅器の出力電力を入力する任意の入力ポートに接続した可変リアクタンス素子のリアクタンス成分を変更することにより当該入力ポートにおいて全通過から全反射へと連続的に切り替えをすることができる。なお、電力増幅器ＰＡ１〜ＰＡｎ内に反射電力を吸収するアイソレータを有する。 （もっと読む）

【課題】基板内を伝搬するＰＰＭ漏洩波を減衰させて、電力損失の低減と回路動作特性の向上と異常発振の防止を図った高周波回路装置，高周波モジュール及び無線通信装置を提供する。
【解決手段】高周波回路装置は、スロット線路１，２とＦＥＴ２００とを誘電体基板１００の表面側に備え、スロット線路１，２と非対称なＰＤＴＬを構成するスロット線路３，４とを裏面側に備える。接地された導体板５−１，５−２が誘電体基板１００の両側面部に取り付けられ、導体板５−１（５−２）の上面部５２が表面側導体１０１に、下面部５３が裏面側導体１０２にそれぞれ接触して、表面側導体１０１と裏面側導体１０２とを導体板５−１（５−２）で短絡している。そして、誘電体基板１００の基板端１００ａ（１００ｂ）と導体板５−１（５−２）の起立部５１との間に空隙５５を画成し、基板端１００ａ（１００ｂ）を開放している。 （もっと読む）

【課題】ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ１８００、ＰＣＳ１９００、ＷＣＤＭＡ１９００の５つのＲＦ送信周波数を送信するＲＦ電力増幅器モジュールで、電力増幅器の個数を低減すること。ＧＳＭ規格のランプアップ・ダウンのため入力バイアス電圧の高速制御と広帯域ＷＣＤＭＡの送信出力の雑音低減とを両立すること。
【解決手段】ＤＣＳ１８００、ＰＣＳ１９００、ＷＣＤＭＡ１９００の送信を、共通の第２ＲＦ電力増幅器ＨＰＡ２により送信する。高利得の入力増幅器１ｓｔ＿Ｓｔｇ＿ＨＢでＤＣＳ１８００、ＰＣＳ１９００で送信出力を３３ｄＢｍ高送信出力モードとし、バイアス回路の内部ボルテージフォロワを活性化する。ＷＣＤＭＡ１９００では低利得の１ｓｔ＿Ｓｔｇ＿ＨＢで送信出力を２８〜２９ｄＢｍ低送信出力モードとしボルテージフォロワを非活性化する。高・低送信出力モードの切り換えとボルテージフォロワの制御は、モード信号ＭＯＤＥで行う。 （もっと読む）