【課題】増幅されるＲＦ信号の電力出力を効率的及び経済的に増加させる、分布型電力増幅器のトポロジー及びデバイスを提供する。
【解決手段】電力増幅器は、新規の環状で相互に接続された複数のプッシュプル増幅器を具えており、等しい大きさ及び逆相の入力信号で駆動される隣接する増幅デバイスの信号入力を有する能動素子の１次巻線として機能することが好ましい。また、そのトポロジーは、１次巻線の形状に適合する２次巻線１５０の使用と、個々の電力増幅器の電力を効率的に合成する働きをする変化に適応する変化を開示している。新規の構造は、ＲＦ、マイクロ波、ミリ波の周波数で低コストで、高集積で、ハイパワーである増幅器のデザインを可能としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、比較的狭い特定の周波数帯域のみで高周波信号を減衰させることができ、利得等化の精度を向上させることができる可変減衰回路、及び高周波増幅器を提供する。
【解決手段】第１可変共振部６０の第１電波吸収体３は、第３誘電体基板１３の導体パターン１６との間でキャパシタをなしている。金属筐体５０の上面部の下面から第３誘電体基板１３への第１可変共振部６０の突出箇所は、インダクタをなしている。第１円筒状金属導体１の上端部が回転されることによって、第１可変共振部６０の全体が第１ねじ孔５０ａに沿って摺動される。これにより、第１可変共振部６０は、第３誘電体基板１３の導体パターン１６に対して接近・開離するように変位可能となっている。第１可変共振部６０の突出量の変化に伴って、減衰帯域の基準となる共振周波数が変化する。 （もっと読む）

【課題】使用帯域内で平坦な利得特性と安定な動作を実現することができる安定化回路及び増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】抵抗がオープンスタブと伝送線路からなる回路に接続されており、上記回路の一端が半導体素子と接続されている安定化回路において、半導体素子３の入力インピーダンスのうち、使用帯域における高域の周波数ＦＨの入力インピーダンスが、使用帯域における低域の周波数ＦＬの入力インピーダンスより高くなるように、伝送線路５及びオープンスタブ７により半導体素子３の入力インピーダンスが変成されている。これにより、使用帯域内で平坦な利得特性と安定な動作を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波トランジスタの寄生容量成分も含めたトランジスタの出力インピーダンスに対して広帯域にわたって良好なインピーダンス整合を可能にする。
【解決手段】高周波トランジスタと、当該トランジスタの出力端子に対して設けられた、設計中心周波数にて前記トランジスタの寄生容量成分と並列共振する電気長のショートスタブと高周波短絡用キャパシタからなる直列回路と、終端負荷とのインピーダンス整合を行う少なくとも３段の直列接続されたインピーダンス変成線路とを備え、中間段のインピーダンス変成線路の特性インピーダンスが、トランジスタと接続するインピーダンス変成線路および終端負荷と接続するインピーダンス変成線路のいずれよりも高インピーダンスとなるように設定されるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】
トランジスタを高効率動作させるために流通角を狭くする方法がある。しかしながら、高い入力電力によりトランジスタのゲート−ドレイン間に高い電位差が発生する。その結果、出力電力はトランジスタのゲート−ドレイン間耐圧により制限される。また、高い入力電力を得るためには、高出力ドライバ増幅器が必要となり、電力増幅装置全体の効率は低下する。
課題は高い入力電力による増幅手段の耐圧の問題を緩和し、また、高い電力を与えるためのドライバ増幅器の電力消費を低減し、高出力・高効率電力装置を提供することである。
【解決手段】
解決手段として、増幅手段の入力信号に基本波に対して同相の３倍波を重畳し、入力信号の波高率（最大値／実効値）を高め、入力電力を高めることなく狭流通角動作を実現する。 （もっと読む）

【課題】増幅率及び雑音特性の両方の性能を良好にすることができる増幅回路を提供することを課題とする。
【解決手段】入力信号が入力される入力信号ノード（ＩＮ）と、ゲートに前記入力信号ノードが接続される第１の電界効果トランジスタ（ＴＲ１）と、前記第１の電界効果トランジスタに直列に接続され、ゲートに第１のバイアス電圧ノードが接続される第２の電界効果トランジスタ（ＴＲ２）と、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの相互接続点と第１の電位ノードとの間に電流を流すための電流パス（１０３，１０４，ＴＲ３）とを有することを特徴とする増幅回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】誘電体チップ等の付加や、スタブ長の長いオープンスタブを用いることなく、インピーダンス変換の特性調整を可逆的に且つ微調整可能なようにしたインピーダンス変換回路及びそれを備えた高周波回路を構成する。
【解決手段】スタブＳＴ２の長さを固定したままスタブＳＴ１の長さを短くすると、インピーダンスＺｂはアドミッタンスチャート上を矢印Ａ１で代表する方向に移動する。また、スタブＳＴ１の長さを固定したままスタブＳＴ２の長さを短くすると、インピーダンスＺｂはアドミッタンスチャート上の等コンダクタンス円上を矢印Ａ２で代表して示すように移動する。したがって図中スミスチャートの中心とショート点とを直径とする円内では、インピーダンス軌跡は、スタブＳＴ１，ＳＴ２のトリミングによってインピーダンスは互いに可逆的に調整できることになる。 （もっと読む）

【課題】 広帯域・高出力特性が得られ、かつ入力反射特性に優れた分布型増幅器を提供する。
【解決手段】 順次直列に接続される複数の伝送線路と、この複数の伝送線路を介して伝播された入力信号がゲート電極に入力される複数のFETを備え、入力信号の増幅を行う分布型増幅器であって、
複数の前記伝送線路の入力端子に直列にカットオフ周波数を基準として低周波数側では直列に抵抗が挿入され、高周波数側ではショートした特性を示すイコライザ回路を備えると共に、このイコライザ回路と直列にカットオフ周波数以上の周波数においてインピーダンス整合を行う入力側無損失整合回路を備える。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅器を用いる場合に、小信号レベルと中信号レベルにおいて、ピーク増幅器の利得を高める構成を採用することで、ピークファクタの大きい変調波信号の信号振幅が存在するダイナミックレンジにおける効率低下を抑えることのできる電力増幅器を得ること。
【解決手段】ドハティ増幅器におけるピーク増幅器を、入力される高周波信号の信号レベルの中信号レベルから増幅動作を行う第１の増幅器と前記第１の増幅器が増幅動作を開始した後に増幅動作を行う第２の増幅器とのドハティ増幅器構成とし、高周波信号の信号レベルに応じて、ドハティ増幅器のキャリア増幅器及びドハティ増幅器構成ピーク増幅器の各増幅器への印加電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】出力電力が小さく、ピーク増幅器がオフ状態でも利得低下を防止できる電力増幅器を提供する。
【解決手段】ドハティ型増幅器１００の電力合成手段４１から出力される出力電力レベルを検出する検波回路６３と、ドハティ型増幅器１００の入力部に配置される第１および第２のスイッチ５１、５２と、検波回路６３が検出する出力電力レベルに応じて第１および第２のスイッチ５１、５２の切り替え動作を制御する制御回路７１とを備え、制御回路７１は、検波回路６３が検出する出力電力レベルが所定の閾値より小さい場合は入力信号は入力信号分配器３１に入力せずに直接キャリア増幅器１１に入力し、検波回路６３が検出する出力電力レベルが所定の閾値より大きい場合は入力信号は入力信号分配器３１に入力するように第１および第２のスイッチ５１、５２の切り替え動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積が小さな分布型増幅器を提供する。
【解決手段】この分布型増幅器は、互いに平行に配置され、各々がスラブ型トランスの１次側を構成する複数の第１の線路１と、複数の第１の線路１と平行に交互に配置され、各々がスラブ型トランスの２次側を構成する複数の第２の線路２と、出力端子６に対して複数の第２の線路２を直列接続する接続配線５と、各第１の線路１に対応して設けられ、差動入力信号＋Ｖｉｎ，−Ｖｉｎを増幅して対応の第１の線路１に与えるＮ型トランジスタ３，４とを備える。したがって、複数のスラブ型トランスを平行に配置したので、レイアウト面積が小さくて済む。 （もっと読む）

【課題】バイパスコンデンサを用いた簡易な構成で基本波より低い周波数帯の不要な信号周波数を除去し、ノイズ源や不要スプリアスを抑圧し、さらに出力整合回路とバイパスコンデンサとの簡易回路により電源供給線路をまとめ、電源端子を削減する。
【解決手段】高周波電力増幅器の電源供給線路５と電源端子６間に接続する、複数のバイパスコンデンサ７１にインダクタ（又はマイクロ波伝送線路）７２を直列接続した低周波除去回路７により、基本波より低い周波数の不要な信号を除去する。基本波周波数より低い周波数帯域の受信帯域雑音、発振スプリアス等の不要な信号周波数を除去・抑圧し、無線通信品質を向上する。また、低周波除去回路７により複数の高周波電力増幅器の電源端子を共有して、電源端子を削減する。これにより、回路部の小型化・軽量化・低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 不要放射を抑圧する回路とモジュール出力側のデバイスのアイソレーションを確保できる構造を有する高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】 筐体の内部に載置され、入力部と第１のフィルタ回路を介した出力部を有する増幅回路パッケージと、筐体の内部に載置され、マイクロストリップ線路が形成された誘電体基板と、この誘電体基板を載置するキャリアと、増幅回路パッケージからの不要波を抑圧するマイクロストリップ線路の導体パターンによる第２のフィルタ回路と、この第２のフィルタ回路上に設置され、第２のフィルタ回路からの放射波を遮断し、マイクロストリップ線路の導体パターンに対向する部分に窪み部が形成されたカットオフブロックとを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波伝送回路の回路規模を増大させずに、２倍高調波信号を反射も放射も起こさずに抑圧することができる２倍高調波抑圧回路を得ること。
【解決手段】主線路５の任意箇所において、入力端１側に示す分岐端ａと出力端６側に示す分岐端ｂとの間の区間長は、基本波の１／８波長の長さに定めてある。分岐端ａと接地（地導体）との間に、抵抗体線路２と基本波の１／４波長の線路３とコンデンサ４との直列回路を設けてある。また、分岐端ｂと接地（地導体）との間に、基本波の１／４波長の線路７とコンデンサ８との直列回路を設けてある。２倍高調波に対して分岐端ａ以降の主線路５が開放状態になり、分岐端ａと接地との間が抵抗体線路２とコンデンサ４との直列回路で接続される形となり、２倍高調波の信号は抵抗体線路２にて消費される。 （もっと読む）

【課題】 従来のマイクロ波装置は、半導体素子の接地端子に接続された第１の先端開放スタブと接地導体パターンとが並列共振する周波数でのみ、半導体素子から発生した不要なマイクロ波を吸収させることができる。しかし、これ以外の周波数帯の不要なマイクロ波を吸収させることができないため、マイクロ波装置が発振したり、不安定動作してしまう課題があった。
【解決手段】 直流および所望の周波数で無損失、それ以外の周波数で損失回路となるような所望の周波数で１／２波長を有する伝送線路と、抵抗との並列回路からなる接地回路を介して、半導体素子の接地端子を接地した。 （もっと読む）

【課題】従来技術による高出力化の問題を解決するために、主増幅器と補助増幅器に設けられた高調波処理回路を構成するデバイスの発熱問題を回避し、高効率特性を得ると共に、高出力化を実現可能な高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器１は、準マイクロ波帯からマイクロ波帯の信号を分配する９０度ハイブリッド回路１０と、分配された信号をキャリア増幅器として作動するＦＥＴ１３と、ピーク増幅器として作動するＦＥＴ１４にそれぞれ供給し、ドハティ線路２３で合成した後、インピーダンス変換線路２４で変換した後に出力する。キャリア増幅器は、入力整合回路１１と、ＦＥＴ１３と、位相調整線路１５と、λ／４オープンスタブ１６と、出力整合回路２１と、を有している。また、ピーク増幅器は、入力整合回路１２と、ＦＥＴ１４と、インダクタΔＬと、出力整合回路２２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】信号の周波数特性を適宜切り替え可能であり、かつ簡易な構成で小型化を図ることができる周波数可変回路及びこれを用いた周波数可変増幅器を提供する。
【解決手段】入力端子１に一端が接続した第１の容量３と、入力端子１に一端が接続した第１のインダクタ４と、第１の容量３に一端が接続し、出力端子２に他端が接続した第２のインダクタ６と、第１のインダクタ４に一端が接続し、出力端子２に他端が接続した第２の容量５と、一端が接地された第３の容量７と、第３の容量７と一端が接続するとともに、第１のインダクタ４と第２の容量５の接続点に他端が接続した第３のインダクタ８とを備え、第１の容量３と第２のインダクタ６の接続点と、第１のインダクタ４と第２の容量５の接続点とを、第１のスイッチ１０で接続又は非接続を切り替えることにより、信号の周波数帯域の通過又は遮断を行う。 （もっと読む）

【課題】歪特性を改善することができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のトランジスタセル１１を電気的に並列接続することで、マルチフィンガー型のトランジスタが形成されている。複数のトランジスタセル１１のゲート電極は入力側整合回路１３に接続されている。各トランジスタセル１１のゲート電極と入力側整合回路１３の間に共振回路１７がそれぞれ接続されている。共振回路１７は、トランジスタの動作周波数の２次高調波の周波数又は２次高調波の周波数を中心とした所定の範囲内で共振して、２次高調波に対して高インピーダンス負荷又は開放負荷となる。 （もっと読む）

【課題】
ドハティ（doherty）増幅器において、高価な増幅素子のみを用いることなく、増幅効率を維持したまま、より経済的に有利な増幅器を構成する。
【解決手段】
ドハティ増幅器において、キャリア増幅器に用いる増幅素子としてピーク増幅器に用いる増幅素子よりも効率特性の良好な増幅素子を用い、ピーク増幅器に用いる増幅素子として効率特性がキャリア増幅器で用いられる増幅素子より劣る増幅素子を用いる。
【効果】
効率特性の異なる増幅素子を用いることで、増幅効率を劣化させずに経済的に有利にドハティ増幅器を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 飽和領域で動作する増幅部の低温時の出力増加や出力インピーダンスの変化による消費電力や高調波レベルの変動などを抑制する多段の半導体増幅装置を提供する。
【解決手段】 高周波電力を出力する終段増幅部１に設けられ、マイクロ波帯域の電力を飽和出力電力で増幅する第１増幅素子１ａと、第１増幅素子１ａに前置した前置増幅部２に設けられ、高周波電力を増幅する第２増幅素子２ａと、第２増幅素子２ａに接続され、感温素子の抵抗値変化で第２増幅素子２ａの出力電力を変化させる温度補償回路５と、第１増幅素子１ａの入力側と第２増幅素子２ａの出力側との間に介在し、共振インピーダンスの変化でマイクロ波帯域の中心周波数領域で最大減衰する通過振幅特性を有する振幅イコライザ４とを備え、周囲温度が低下するにつれて第２増幅素子２ａの出力電力を低下させることにより第１増幅素子１ａの出力を飽和出力電力領域で維持するようにした。 （もっと読む）