【課題】出力容量及び出力直列寄生インダクタンスの影響に対して最適化された、超高周波数領域において高効率を実現することができる逆Ｆ級増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明の逆Ｆ級増幅回路は、ＦＥＴ１と、出力負荷回路２とを備えている。出力負荷回路２は、出力負荷回路２の周波数ｆの入力インピーダンスＺ_ｉｎ（ｆ）と、ＦＥＴ１の出力容量Ｃ_ｏｕｔと出力直列寄生インダクタンスＬ_ｏｕｔとを用いて下記式：
【数１】


で定義されるアドミッタンスＹ（ｆ）が、特定の基本波周波数ｆ_０について、Ｙ（２ｆ_０）＝０，Ｙ（３ｆ_０）＝∞を満足するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＷＢＧデバイス等を有する高出力増幅器を低熱伝導率の樹脂基板に搭載する場合、チップキャパシタの僅かな損失による発熱で、チップキャパシタの半田が柔らかくなる、もしくは溶けるため、高出力増幅器の信頼性が著しく低下してしまう。
【解決手段】 高出力増幅素子の出力信号をＤＣカットするキャパシタと電気的に接続し、キャパシタの発熱を熱伝導する誘電体棒と、グランドと接続するスルーホールを含むとともに、誘電体棒と電気的に接続し、誘電体棒を熱伝導するキャパシタの発熱をグランドへ排熱する金属島とを備える排熱回路であり、金属島の容量成分とスルーホールのインダクタ成分とを並列共振させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】進行波管の通常動作時における最大ゲインの低下を招くことなく、安価な汎用部品を用いて、ヘリックス電圧及びコレクタ電圧の立ち上がり時にヘリックスに流れる電流を低減できる電源装置及びそれを備えた高周波回路システムを提供する。
【解決手段】へリックス電極とアノード電極間に接続されたツェナーダイオードと、ツェナーダイオードのカソードとアノード間を短絡または開放するトランジスタと、フォトトランジスタによりトランジスタをオン／オフするフォトカプラと、フォトカプラのフォトダイオードに対して直流電圧を供給または遮断するための第１のスイッチと、フォトダイオードに供給する直流電圧が印加されるコンデンサと、予め第１のスイッチをオンにしてフォトカプラ及びコンデンサに直流電圧を印加しておき、ヘリックス電圧の投入と同時に第１のスイッチをオフさせる制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅装置をより高効率にする。
【解決手段】入力信号をメインアンプ１とピークアンプ２とで増幅して、前記両アンプ１，２の出力を合成して出力するドハティ増幅装置１０において、前記メインアンプ１と前記ピークアンプ２とに共通の電源電圧を供給する可変電源部７と、入力信号のエンベロープ振幅レベルを検出するエンベロープ検出部６と、前記可変電源部７によって前記両アンプ１，２に供給される電源電圧の大きさを調整するために前記可変電源部７を制御する制御部８と、を備え、前記制御部８は、前記エンベロープ検出部６によって検出された入力信号のエンベロープ振幅レベルに応じて、前記両アンプ１，２に供給される電源電圧の大きさを制御するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】高調波処理回路の効果をそれぞれの増幅用トランジスタに対してより均一に働かせることができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】増幅用トランジスタＱ_１〜Ｑ_１０は入力信号をそれぞれ増幅する。増幅用トランジスタＱ_１〜Ｑ_５の出力端子はそれぞれ伝送線路ＴＣ１〜ＴＣ４を介して一列に接続されている。増幅用トランジスタＱ_１〜Ｑ_５のコレクタ（出力端子）の列の一端に高調波処理回路ＳＴＵＢが接続されている。高調波処理回路ＳＴＵＢは、増幅用トランジスタＱ_１〜Ｑ_５の出力電圧に含まれる高調波を抑圧する。伝送線路ＴＲ１とＭＩＭキャパシタＭＩＭ１は、高調波に対して、高調波処理回路ＳＴＵＢに最も近い増幅用トランジスタＱ_５のコレクタと高調波処理回路ＳＴＵＢから最も遠い増幅用トランジスタＱ_１のコレクタを短絡する短絡回路である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの出力電極とインピーダンス整合回路としての伝送線路変圧器ＴＬＴとを接続する際にＴＬＴのインピーダンス整合の条件を維持すること。
【解決手段】ＲＦ増幅装置は、アンテナに供給される送信電力を生成するトランジスタＱの出力電極に接続された伝送線路変圧器ＴＬＴを具備する。ＴＬＴの主線路Ｌｏｕｔの一端Ｉｎ(Ａ)にはトランジスタの出力電極からの送信電力が供給され、ＴＬＴの副線路Ｌｉｎの一端Ｌｉｎ(Ｂ)は交流接地点に接続される。副線路の他端Ｌｉｎ(Ａ)は主線路の一端に接続され、主線路の他端Ｏｕｔ(Ａ)からアンテナに供給される送信電力が生成される。ＴＬＴの主線路と副線路とが近接して対向したエネルギー結合部では、副線路から主線路へ結合エネルギーが伝達される。トランジスタの出力電極と電気的に接続された接続部材ＢＷは、エネルギー結合部の一部の主線路と副線路との一方に形成された接続部ＣＰと接続される。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の電力利用効率を向上するための小型で伝送ロスの少ない高調波制御回路を提供する。
【解決手段】増幅素子２０４と高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７と負荷抵抗２０８にて高周波電力増幅器を構成している。入力端２０１から入力された高周波信号が増幅素子２０４で増幅され、高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７を通過し、負荷抵抗２０８に供給される。高調波制御回路２０９は第１の誘電体共振器２０６と第２の誘電体共振器２０５により構成されている。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器における渦電流損失を、回路占有面積を増大させることなく低減する。
【解決手段】２つのゲインブロック（３ａａ，３ａｂ−３ｄａ，３ｄｂ）が各々に接続される１次インダクティブパス（２ａ−２ｄ，４ａ−４ｄ）および１次インダクティブパスと磁気結合する２次インダクティブパスに屈曲部（５）を設け、この屈曲部が中心を向くように配置する。２次インダクティブパス（４ａ−４ｄ）を、順次配線（１１ａ−１１ｃ）により相互接続し、未接続の２次インダクティブパス端部を出力端（１５ａ、１５ｂ）として利用する。 （もっと読む）

【課題】従来、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器は、回路構成が複雑で製造が困難であるという問題点があり、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器を、簡易な回路配置で容易に実現し、高電力効率及び良好な特性が得られる増幅器を提供する。
【解決手段】キャリア増幅回路４と、複数のピーク増幅回路５ａ、５ｂとを備え、これらの増幅回路からの出力をノード７で合成して出力するドハティ増幅器において、キャリア増幅回路４の出力段にインピーダンス変換器６を設けてキャリア増幅回路の特性を最適とし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの出力段に電気長が（λ／２）×ｎ（ｎは１以上の整数）となる伝送線路１１ａ、１１ｂを設けて回路配置を容易にし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの入力段に移相器１２ａ、１２ｂを設けて合成点における各経路の信号の位相を微調整する増幅器としている。 （もっと読む）

広帯域符号分割多重アクセス及び直交周波数分割多重のような多重変調信号の高ピーク対平均電力比に対して効率領域を拡大するためのＮウェイドハティ構造を使用する電力増幅器が開示される。一実施例において、本発明は、少なくとも１つのメイン増幅器と少なくとも１つのピーク増幅器とのアイソレーションを向上させるべく、かつ、高出力バックオフ電力におけるゲイン及び効率性能双方を向上させるべく、Ｎウェイドハティ増幅器に対してデュアルフィード分散構造を使用する。入力及び出力のいずれか又は双方においてハイブリッドカプラを使用することができる。少なくともいくつかの実装において、増幅、電力分割、及び電力結合の統合により、回路スペースを節約することもできる。
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広帯域電力増幅装置はクォータウェーブトランスフォーマ自体を出力整合回路又は入力整合回路として用いて実質的に２段出力整合回路又は２段入力整合回路を実現することで構成される。前記広帯域電力増幅装置はクォータウェーブトランスフォーマの低い特性インピーダンスによって集積化及び小型化に有利であり、回路構成が単純であるため、チップ及び回路の大きさが小さいだけでなく、受動素子の数を減らして単価が低くなる。 （もっと読む）

【課題】高さを抑えつつ、バイアスラインの寄生容量を低減し、バイアスラインの長さが高周波的に短く見えるのを防ぐことができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】多層基板１１上に半導体チップ１２が実装されている。多層基板１１は、交互に重なった複数の樹脂材３１〜３３及び複数の導体３４〜３６と、最下層の樹脂材３１の下面に設けられた接地電極３７とを有する。半導体チップ１２は、増幅用トランジスタ２１，２２を有する。導体３４は、増幅用トランジスタ２１，２２に駆動電圧を供給するためのバイアスライン２７，２８を有する。最下層の樹脂材３１の厚みは、最上層の樹脂材３３の厚みよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】小形で、かつ、動作周波数の２分の１となる周波数での利得の抑圧が大きく、不要発振を抑圧して安定に動作することを可能にする。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１に接続された整合回路２とを備えた高周波増幅器であって、整合回路２は利得抑圧回路を有しており、当該利得抑圧回路は、一端がグランド５に接地され、動作周波数において４分の１波長以下の電気長となる伝送線路４と、伝送線路４の他端に直列に接続されて、複数のコンデンサを直列接続して構成したコンデンサ部６と、コンデンサ部６に直列に接続された抵抗３とから構成されている。なお、コンデンサ部６と伝送線路４との代わりに、複数のＭＩＭキャパシタを直列接続して構成したＭＩＭキャパシタ部を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】電源効率が十分高く出力電力がサブＷからＷオーダー級のマイクロ波を出力する光マイクロ波変換装置を提供する。
【解決手段】光マイクロ波変換装置は、マイクロ波の周波数により半波整流波形に強度変調された光信号を発生する手段と、逆バイアス電圧が印加され、且つ上記光信号が入力されるとマイクロ波電気信号を出力するフォトダイオードと、を有する。また、他の光マイクロ波変換装置は、マイクロ波の周波数により半波整流波形に強度変調された光信号を発生する手段と、上記光信号から位相差が上記マイクロ波の半周期分である２つの光信号に分岐する手段と、共に逆バイアス電圧が印加され、且つ上記２つの光信号がそれぞれ入力されるとマイクロ波電気信号を出力する２つのフォトダイオードと、上記２つのフォトダイオードから出力するマイクロ波電気信号を互いに逆位相で取り出す手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明はドハティ増幅器に関し、ドハティ増幅器の利得の低下を防ぎ、効率を上げることができるドハティ増幅器を提供することを目的としている。
【解決手段】入力信号を２方向に分岐させる信号分岐回路２１と、該信号分岐回路２１の一方の出力を受けるキャリアアンプ１と、該キャリアアンプ１の出力を受ける第１のλ／４線路２と、前記信号分岐回路２１の他方の出力と、ピークアンプ４の立ち上がり電圧とを比較する比較回路２２と、該比較回路２２の出力に応じて、ピークアンプ４を回路に組み込むか組み込まないかを決める高周波スイッチ２３と、該高周波スイッチ２３の出力を受ける第２のλ／４線路と、該λ／４線路の出力を受けるピークアンプ４と、前記第１のλ／４線路２の出力と前記ピークアンプ４の出力とを合成した信号を受ける負荷５と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧が変動しても効率の低下を緩和することができ、しかも、製造時の歩留まりを向上し得るエンベロープトラッキング法に基づく高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波増幅回路１２ａは、マイクロ波帯の高周波の入力信号が入力される半導体増幅素子２１と、入力信号の包絡線の変動に追随する電源電圧を半導体増幅素子２１に印加する電源回路２２と、半導体増幅素子２１の出力側に接続された出力整合回路２４と、電源電圧が変動しても半導体増幅素子２１の効率が最大となるように当該出力整合回路２４のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の周波数帯域でインピーダンス整合を行うと共に小型に設計可能な整合回路を提供する。
【解決手段】インピーダンスが周波数特性を持つ回路素子１９９と固定のインピーダンスを有する回路１９８との間に、第１整合部１１０、第２整合部１２０、第３整合部１３０が直列接続される。第２整合部１２０はインピーダンス変換機能を持つ。第１整合部１１０はスイッチ１１８、１１９のＯＮ、ＯＦＦの排他的切替で各周波数帯域に応じたリアクタンス値を持つ素子として動作し、第３整合部１３０はスイッチ１３３のＯＮ、ＯＦＦの切替で各周波数帯域に応じたリアクタンス値を持つ素子として動作することで、各周波数帯域で整合を取る。また、第７リアクタンス手段１３１の設計は、第５リアクタンス手段１１５および第８リアクタンス手段１３２の設計との相関で決せられ自由度を持つから、第７リアクタンス手段１３１を小型に設計できる。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＴ技術を利用した電力増幅器において、能動素子として高耐圧トランジスタを用いた場合に、その特性を十分に活用することができる技術を提供する。
【解決手段】３個のほぼ等価なプッシュプル増幅器を具備している。プッシュプル増幅器における１対のトランジスタ３Ａ〜３Ｆのドレインは、金属配線１Ａ〜１Ｈから成る電流経路により相互に接続され、電流経路の中間点が正電源Ｖｄｄに接続されている。金属配線１Ａ〜１Ｈのうちトランジスタのドレインからその正電源Ｖｄｄに至る部分が１本の１次コイルを構成する。１次コイルが、それらと近接して配置された金属配線２から成る２次コイルと磁気的に結合することにより、１次コイルからの出力を合成し２次コイルの出力端子から出力する。１本の１次コイルに相当する金属配線の長さに対する、２次コイル全体に相当する金属配線の長さの比が、およそ３である。 （もっと読む）

【課題】配線のための面積増加なしに各トランジスタの入力信号の強度及び位相を均一にできる並列接続トランジスタを提供する。
【解決手段】並列接続トランジスタ５０は、信号入力端子６０に接続される伝送線路７０、７２と、伝送線路７０及び７２に沿って一列に配列されたトランジスタ８４−１〜８４−８及び８８−１〜８８−８と、伝送線路７０、７２に沿って一列に配列され、伝送線路７０、７２に一端が接続され、トランジスタ８４−１〜８４−８及び８８−１〜８８−８の対応する１つのベース端子に他端が接続された複数の容量素子８２−１〜８２−８及び８６−１〜８６−８とを含み、容量素子８２−１〜８２−８及び８６−１〜８６−８の容量値は、信号入力端子６０からの伝送線路の線路長が大きいほど、小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】入力電力の変化に対する利得変動を抑えて線形性を改善することができる高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】分配器１２で２分配された高周波信号はＦＥＴ２４−１，２６−１で増幅されてから合成される。ＦＥＴ２４−１のゲート端子２４ｇには一定のバイアス電圧が印加される。ＦＥＴ２６−１のゲート端子２６ｇにバイアス電圧を印加するバイアス回路３６は、ＦＥＴ２６−１に入力される高周波信号の一部を分岐するカプラ４２と、カプラ４２で分岐された高周波信号を増幅するモニタ用ＦＥＴ４６と、モニタ用ＦＥＴ４６のドレイン端子４６ｄにおけるバイアス電流が一定値に収束するようにモニタ用ＦＥＴ４６のゲート端子４６ｇに印加するバイアス電圧を調整する定電流バイアス回路４４と、モニタ用ＦＥＴ４６のゲート端子４６ｇにおけるバイアス電圧を所定の利得とオフセットで補正してＦＥＴ２６−１のゲート端子２６ｇに印加する電圧変換回路４８と、を含む。 （もっと読む）