【課題】高い効率で信号を増幅することができるように改良された増幅装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的のために、本発明にかかる増幅装置は、入力信号を第１の分離信号と第２の分離信号とに分離する分離手段と、前記第１の分離信号と前記第２の分離信号とをそれぞれ移相する移相手段と、前記移相された第１の信号を増幅して、第１の出力信号として出力する第１の増幅手段と、前記移相された第２の信号を、前記第１の増幅手段と実質的に同じ特性で増幅して、第２の出力信号として出力する第２の増幅手段と、前記第１の出力信号および前記第２の出力信号それぞれと、前記第１の伝送手段および第２の伝送手段それぞれとを整合させる整合手段と、前記整合手段から負荷に対して第１の出力信号を伝送する第１の伝送手段と、前記整合手段から前記負荷に対して第２の出力信号を伝送する第２の伝送手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の入力ポートと少なくとも１つの出力ポートを備え、高い変圧器結合効率と高い電力合成効率を達成するオンチップ変圧器電力合成器を提供する。
【解決手段】変圧器電力合成器は、複数の一次巻線導体と複数の二次巻線導体とを含む。一次巻線導体は、入力ポートにそれぞれ電気的に接続される。加えて、各一次巻線導体は対応する入力ポートのプラス端子とマイナス端子の間に電気的に接続されている。二次巻線導体は、一次巻線導体にそれぞれ磁気的に結合される。二次巻線導体は、出力ポートのプラス端子とマイナス端子の間に直列接続と並列接続を含むトポロジー構造を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】マジックＴによる合成方式を使用した送信機デュアルシステムにあって、運転モードごとのマジックＴ合成部の位相調整を実現できるようにした位相制御装置を提供する。
【解決手段】上記位相制御部１５において、ＴＸ１単独運転モード時に、ＡＮＤ回路１５ｅにて送信機（ＴＸ１）の出力信号がＮＯＲＭＡＬ状態であるかＢＹＰＡＳＳ状態であるかを判定し、ＢＹＰＡＳＳ状態である場合に送信機（ＴＸ１）の出力信号を９０°移相するようにマジックＴ合成部の位相制御を実行し、一方、ＴＸ２単独運転モード時に、ＡＮＤ回路１５ｇにて送信機（ＴＸ２）の出力信号がＮＯＲＭＡＬ状態であるかＢＹＰＡＳＳ状態であるかを判定し、ＢＹＰＡＳＳ状態である場合に送信機（ＴＸ２）の出力信号を９０°移相するようにマジックＴ合成部の位相制御を実行している。また、デュアル運転モードにおいても同様である。 （もっと読む）

【課題】 スタブを用いることなく高調波インピーダンスの調整を行い、高調波処理可能な高効率で広帯域の高周波半導体増幅器を提供する。
【解決手段】 半導体増幅素子５と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第１インピーダンス変成器１と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第２インピーダンス変成器２と、第１及び第２インピーダンス変成器とで変成されたインピーダンスと整合する高調波インピーダンス調整線路３と、誘導性リアクタンス成分でインピーダンス変換する素子近傍整合回路４とを備え、高調波インピーダンス調整線路３は高調波に対するインピーダンス変換を行い、素子近傍整合回路４は基本波に対しては半導体増幅素子５のインピーダンスと整合するようにインピーダンス変換して収束させ、高調波に対しては開放インピーダンス近傍となるようにインピーダンス変換して収束させるようにした。 （もっと読む）

【課題】電力合成器として用いるとき、設計された合成数よりも少ない任意の数の入力信号が、入力されても出力の損失を低減し、また、電力分配器として用いるときに、設計された分配数よりも少ない任意の数の出力信号を出力しても、出力する電力の損失を低減できるようにした。
【解決手段】一又は二以上の方向性結合器Ｈ１を備える電力合成分配器に対し、所定の伝送線路５０を、方向性結合器Ｈ１の二つの入力端子２１，２２及び二つの出力端子３１，３２のうち、直流的に接続されていない入力端子及び出力端子の組（２２−３２）に接続する。 （もっと読む）

【課題】Ｊ級動作をする増幅器において、電圧波形と電流波形の重なりを小さくする。
【解決手段】電界効果トランジスタ部と、そのドレインとソースとの間に接続された容量性インピーダンス部とを有してＥＪ級動作を行う増幅器であって、容量性インピーダンス部よりも後段に位置するように、ドレインに接続されたインダクタと、このインダクタを介して容量性インピーダンス部に並列接続されたキャパシタとを備えたものにおいて、インダクタは、マイクロストリップ基板２０８上に形成されたマイクロストリップライン２０９によって所定のインダクタンスを確保するものであり、その基本波周波数でのインピーダンスが、容量性インピーダンス部のインピーダンス以上の値に設定されているように構成する。 （もっと読む）

【課題】 従来のＦ級増幅器やドハティ増幅器では、出力レベルが低いと高調波の出力レベルも低くなって、高調波反射による効率向上の効果が小さくなるという問題点があり、広範囲の出力レベルにわたって、高い効率が得られる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 高調波反射回路１６を備えた増幅器２０の入力段に、２次高調波を発生する高調波発生器３２と、発生した２次高調波の位相を調整する可変移相器３３と、２次高調波の振幅を調整する可変減衰器３４とを備え、基本波の入力信号に２次高調波を注入して合成器３６で合成し、合成された信号を増幅器２０に入力して増幅し、更に、高調波反射回路１６で２次高調波をＦＥＴ１４へ反射することで、２次高調波反射レベルを上げて、電圧電流波形の重なりを低減し、電力効率を向上させる高周波電力増幅器である。 （もっと読む）

【課題】ハティ増幅装置において、ＥＴ電源の給電能力が十分でないＥＴ電源を用いても高出力が得られ、低出力レベルにおいても更なる高効率化を図る。
【解決手段】入力信号を増幅するメインアンプ１とピークアンプ２とを備え、入力信号が小信号である時には前記ピークアンプ２がＯＦＦ状態となり、入力信号が大信号である時には前記ピークアンプ２がＯＮ状態となるドハティ増幅装置１０において、固定電圧Ｖｓを前記ピークアンプ２に給電する固定電源部１１と、入力信号のエンベロープ振幅レベルに応じて調整される可変電圧Ｖｄを前記メインアンプ１に給電するエンベロープトラッキング電源部９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で広い周波数帯域幅を持つ高効率かつ安価なドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】入力信号を分配する分配回路７と、分配回路で分配された一方の信号を常時増幅する、内部整合回路を含まないキャリア増幅器１と、キャリア増幅器の出力電力が飽和状態に近づいた場合に、分配回路で分配された他方の信号を増幅する、内部整合回路を含まないピーク増幅器２と、キャリア増幅器の出力電力とピーク増幅器の出力電力を、キャリア増幅器の出力側およびピーク増幅器の出力側の各々に形成されたテーパを有するパターンで整合をとって合成して出力する合成部３〜５を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の正帰還を防止可能なマイクロ波集積回路装置及びマイクロ波集積回路装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波集積回路装置１は、誘電体材料により形成された基板１０の一方の主面に設けられ、マイクロストリップ線路で形成された入力端子１１と、基板１０の他方の主面に設けられコプレーナ線路で形成された出力端子１２と、基板１０の上面に配置されたマイクロ波集積回路素子２０と、を備え、入力端子１１と出力端子１２との偏波面が直交する構成とする。 （もっと読む）

【課題】雑音、消費電力の増大をさせることなくカスコード増幅器を用いた回路を安定的に動作させることのできる構成を提供する。
【解決手段】カスコード増幅器からなるユニットセルを並列に接続した回路において、ユニットセルの出力側の配線の分岐部に方向性結合器を用いる。配線を単純に分岐しただけだと、ユニットセルの出力側から見ると、配線が並列に２本接続されているように見え、分岐部の抵抗値が下がり、したがって、カスコード増幅器の出力側の抵抗が下がり、カスコード増幅器が発振しやすくなってしまう。分岐部に方向性結合器を使えば、ユニットセルの出力側の抵抗値を小さくせずに、信号を分岐することが出来る。 （もっと読む）

【課題】制御電圧に応じて増幅素子のアイドル電流をアナログ的に制御することができ、かつ制御電圧に応じてバイアスモードを切り替えることもできる電力増幅器を得る。
【解決手段】増幅素子Ｔｒ１は、ＲＦ信号を増幅する。エミッタフォロワ部は、外部から参照端子Ｖｒｅｆに印加された参照電圧に応じて増幅素子Ｔｒ１を定電圧駆動する。電流注入部は、参照電圧に応じて増幅素子Ｔｒ１を定電流駆動する。アナログ制御部は、外部から制御端子Ｖｃｏｎに印加された制御電圧に応じてエミッタフォロワ部の出力電圧をアナログ的に制御する。モード切替部は、制御電圧に応じてエミッタフォロワ部を動作させるか否かを切り替える。 （もっと読む）

【課題】良好な電力効率と歪み特性と、インピーダンス変換による回路損失の低減及び周波数帯域の広帯域化の両方を実現できる増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明のドハティ増幅回路は、互いに位相が逆の１対の信号がそれぞれに入力される第１及び第２ノードと、キャリア増幅器１３と、キャリア増幅器１３の入力と前記第１ノードとの間に接続された伝送線路１２と、前記第２ノードに入力が接続されたピーク増幅器１４と、出力側伝送線路バラン１６と、伝送線路１２と同じ電気長を有する伝送線路１５とを具備している。出力側伝送線路バラン１６の２つの平衡ポート２６、２７の一方は、キャリア増幅器１３の出力に接続され、他方は、伝送線路１５を介してピーク増幅器１４の出力に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高周波成分を抑圧するためのスタブの接続位置の調整を容易化する。
【解決手段】ＦＥＴ１０の入力端子に入力整合回路１２、出力端子に出力整合回路１４が接続された増幅器において、高周波成分を抑圧するためにＦＥＴ１０の出力端子にリング型スタブ１８を接続する。リング型スタブ１８は、その一辺が伝送線路１６と平行になるように配置される。リング型スタブ１８の全長は、ｎ次の高調波を抑制する場合に、基本波の波長をλとしてλ／（２ｎ）に設定される。 （もっと読む）

【課題】広帯域に高調波整合を図ることができて、広帯域で効率を高めることができるとともに、高調波整合に対する設計自由度を高めることができる高周波増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】整合回路３の表面に形成されている配線パターン４が、ＦＥＴ１と電気的に接続されている主線路５と、一端が主線路５と接続されて、主線路５の外側に配置されているオープンスタブ６と、一端が主線路５と接続されて、主線路５の外側に配置されており、ＦＥＴ１から発生する高調波のインピーダンスがショートになる寸法の線路長を有するオープンスタブ７とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】出力電力を所望の値に精度よく制御し得る高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】準マイクロ波帯およびマイクロ波帯などの高周波帯の高周波信号Ｓ１を増幅して出力ライン２１に出力する増幅器１３と、出力ライン２１に介装されて増幅器１３によって出力ライン２１に出力された高周波信号Ｓ２の進行波成分Ｓｔを検出する方向性結合器１５と、方向性結合器１５によって検出された進行波成分Ｓｔに基づいて増幅器１３の利得を制御する第１制御部１６とを備えた高周波増幅器１であって、出力ライン２１における増幅器１３と方向性結合器１５との間の部位にアイソレータ１４が配設されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域かつ高効率で、容易に実現可能な電力合成形増幅器を提供する。
【解決手段】所定の入力信号が分配される２つの経路の一方に設けられて入力信号を増幅するＢ級動作トランジスタ３と、他方の経路に設けられて入力信号を増幅するＣ級動作トランジスタ４と、Ｂ級動作トランジスタ３の出力電力とＣ級動作トランジスタ４の出力電力とを合成するＴ分岐１１とを有する電力合成形増幅器である。Ｂ級動作トランジスタ３の出力電力は、第１アイソレータ９を介してＴ分岐１１に送られ、Ｃ級動作トランジスタ４の出力電力は、第２アイソレータ１０を介してＴ分岐１１に送られる。第１アイソレータ９によりＢ級動作トランジスタ３の負荷インピーダンスを一定値にし、第２アイソレータ１０がＣ級動作トランジスタ４の負荷インピーダンスを一定値にする。 （もっと読む）

マルチポート増幅器を通る通信信号をモニタリングすることによって、通信衛星のマルチポート増幅器における信号の絶縁を維持するとともに、混信成分を低減するために、マルチポート増幅器の出力信号が、検出されるとともにベースバンドにダウンコンバートされて、マルチポート増幅器のエミュレーションメカニズムに入力される。エミュレーションメカニズムは、混信成分と共にマルチポート増幅器の入力信号をリカバーするマルチポート増幅器の逆行列と、ＦＦＴによって混信成分の周波数解析を実行するデジタル信号プロセッサと、そのような混信成分をもたらすマルチポート増幅器の状態を判断するマルチポート増幅器のデジタルモデルとを含む。デジタル信号プロセッサは、遠隔測定リンクを介して通信する地上局に配置される。
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【課題】特別な信号源の搭載を不要にして、回路の簡単化を図ることができるとともに、タイミングの調整精度を高めて、高効率化と低歪み化を実現することができるようにする。
【解決手段】ＲＦ電力増幅トランジスタ２により増幅されたＲＦ信号の電力を検波する電力検波装置７と、電力検波装置７により検波されたＲＦ信号の電力から、ＲＦ電力増幅トランジスタ２に対するＲＦ信号と制御信号ＡＦに対応するドレイン電圧信号の入力タイミングのずれを検出する位相制御装置８とを設け、入力タイミングのずれの検出結果に応じて制御信号ＡＦの位相を調整して、入力タイミングのずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】高周波数帯で高出力及び高効率な特性並びに低消費電力の半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器であって、III−Ｖ族窒化物半導体から構成された高周波電力を増幅するＦＥＴを有する最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３と、商用電源１０５から供給される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路１０６を有し、直流電圧を最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３のＦＥＴのドレインに印加するドレイン電圧源１０２とを備える。 （もっと読む）