【課題】 モノリシックアレイについての改良されたバイアス線バイパス技術を提供する。
【解決手段】 バイアス線バイパス構造(300)が具備する複数のバイアス線バイパス回路（306）は、複数のアンプユニット（202）のそれぞれの周囲の少なくとも一部において繰り返し構造を構成し、アンプユニットとグリッドバイアスネットワーク（204）との間のＲＦ電流フローを減少させる。各バイアス線バイパス回路は、薄膜キャパシタ（308）と、誘導ワイヤブリッジ（310）と、グランドビア（314）に接続された薄膜抵抗（312）と、を具備し得る。薄膜キャパシタは、誘導ワイヤブリッジの関連する１つおよび薄膜抵抗の関連する１つと共振してＲＦ周波数に亘ってＲＦ電流フローを分流するよう選択された異なる値を有する。実施形態によっては、誘導ワイヤブリッジは、薄膜キャパシタの関連する１つがグランドにショートした場合に回路を開放する誘導ワイヤブリッジヒューズを具備し得る。 （もっと読む）

【課題】従来のマイクロ波増幅回路ではRF信号の漏洩により不要共振が生じたり、トランジスタ同士のアイソレーションが劣化する。
【解決手段】一面に接地導体が設けられ、反対側面にパッケージトランジスタが実装された誘電体基板に、トランジスタの電極と接地導体との間に空間が形成されるよう穴が設けられたマイクロ波回路と、誘電体基板の接地導体面側にこの接地導体面とは空間を形成するよう掘り込みを有して装荷される筐体と、誘電体基板のトランジスタ実装面側に装荷される筐体とでマイクロ波回路を囲繞する構成にされたマイクロ波増幅回路の穴を誘電体基板の接地導体面で覆い電磁波を遮蔽する遮蔽物を設けた。 （もっと読む）

本発明はアダプタデバイス３を介して負荷インピーダンス２と並列に結合された特定数Ｎ個の能動部品１１から１Ｎを備え、少なくとも特定数Ｎ個の基準サセプタンス補償回路４１から４１Ｎを含む増幅器に関する。サセプタンス補償回路４１から４１Ｎは、能動部品の出力サセプタンスを補償するためにＮ個の能動部品１１から１Ｎの出力に、またＮ個のサセプタンス補償回路の出力にそれぞれ接続されたＮ個の入力と、増幅器の負荷インピーダンス２に接続された出力とを有するコンダクタンス結合および適合回路にそれぞれ接続されている。本発明は高い出力パワーダイナミックスを有するマイクロ波増幅器に適用可能である。
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増幅器(20)は、主増幅器回路(22)および少なくとも1つの補助増幅器回路(24)を含む。増幅されるRF信号(26)の一部が、主増幅器(22)および補助増幅器(24)に送られる。補助増幅器回路(24)は、選択的に動作可能であり、RF信号(26)のレベルに基づくなどして、主増幅器回路(22)と組み合わせて動作する。少なくとも1つのハイブリッドカプラ回路(44)は、主増幅器回路(22)および補助増幅器回路(24)の出力と結合された入力ポートを備える。ハイブリッドカプラ回路(44)は、カプラ第1出力ポート(29)で増幅器回路出力信号を組み合わせるように動作可能である。カプラ第2出力ポート(28)は、短絡回路および開回路の一方で終端される。
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【課題】反対方向に伝搬する送信信号及び受信信号双方を増幅する送受信機モジュール用双方向増幅器を提供する。
【解決手段】増幅器（１０）は、共通伝送線路（２０）に沿って電気的に結合される第１及び第２の共通ゲートＦＥＴ（２２、２４）を含む。送信信号入力ポート（１２）と第１ＦＥＴ（２２）との間で、第１可変整合ネットワーク（２８）が伝送線路（２０）に電気的に結合され、受信信号入力ポート（１４）と第２ＦＥＴ（２４）との間で、第２可変整合ネットワーク（３０）が伝送線路（２０）に電気的に結合される。第１及び第２ＦＥＴ間において、段間可変整合ネットワーク（３２）が伝送線路に電気的に結合される。ＤＣ電圧レギュレータ（３４）が、整合ネットワーク（２８、３０、３２）及びＦＥＴにＤＣバイアス信号を供給し、送信信号及び受信信号に対し、異なる信号増幅特性及び異なるインピーダンス整合特性を与える。 （もっと読む）

【課題】多層基板の内層の面積を有効活用し、これによりチップ部品搭載可能な多層基板表層の面積を確保し、高周波ＰＡモジュールなどの小型化をはかる。
【解決手段】多層基板上に増幅用半導体素子を設け、上記増幅用半導体素子の下に設けたサーマルビアを半導体素子を搭載した面の次の層のアース導体層までとし、その下の層に伝送線路を設ける構造とした。 （もっと読む）

【課題】従来より著しく小型で、伝送信号の波長によっては、定在波が発生することのない特性の安定した高信頼度の電力増幅モジュールを提供する。
【解決手段】伝送信号の周波数ｆ（Ｈｚ）、真空中での波長λ０（ｍ）、光速Ｃｏ（ｍ／ｓ）、誘電体基板１５の比誘電率εｒに関して、｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４に対応する長さを持つ導体パターン２０を含む。導体パターン２０は誘電体基板１５によって支持されている。誘電体基板１５は、その最大差し渡し寸法をＬｍ（ｍ）としたとき、Ｌｍ＜｛（Ｃｏ／ｆ）／（εｒ）^1/2｝／４を満たす。誘電体基板は、エポキシ樹脂材料とセラミック材料とを含む複合材料でなる。 （もっと読む）

【課題】 強度低下や寸法増大を抑えながら、バイアホールの接地インダクタンスを低減できる半導体装置とその製造方法およびＭＭＩＣを提供する。
【解決手段】 このマイクロ波帯用増幅器ＧａＡｓＭＭＩＣは、その接地電極８が、３個のバイアホール１１からなるバイアホール群１２を有し、この３個のバイアホール１１は、その内側に充填されたメッキ金属１０ａが近接されて形成され、その相互作用によって高周波的な電磁界結合が発生して、接地インダクタンスが低減された。 （もっと読む）

【課題】通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路から電力増幅器までを構成する回路要素を一体化して小型化できるとともに、良好な特性を有する高周波モジュールを提供する。
【解決手段】複数の誘電体層１１〜１８を積層してなる積層基板に、複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路ＤＩＰ１０と、各送受信系を送信系ＴＸと受信系ＲＸに切り替えるスイッチ回路ＳＷ１０、２０と、各送信系ＴＸの通過周波数での送信信号を増幅する高周波増幅用半導体素子及び整合回路ＭＡＴ１０、２０からなる電力増幅器ＡＭＰ１０、２０とを設けてなる。 （もっと読む）

【課題】通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路から電力増幅器までを構成する回路要素を一体化して小型化できるとともに、良好な特性を有する高周波モジュールを提供する。
【解決手段】複数の誘電体層１１〜１８を積層してなる積層基板に、複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路ＤＩＰ１０と、各送受信系を送信系ＴＸと受信系ＲＸに切り替えるスイッチ回路ＳＷ１０、２０と、各送信系ＴＸの通過周波数での送信信号を増幅する高周波増幅用半導体素子及び整合回路ＭＡＴ１０、２０からなる電力増幅器ＡＭＰ１０、２０と、出力をモニタするためのカップラＣＯＰ１０、２０とを設けてなる。 （もっと読む）

【課題】組立が容易で、かつ安価な導波管ＭＭＩＣモジュールを提供する。
【解決手段】ミリ波またはマイクロ波信号用ＭＭＩＣと、金属筐体上部１と金属筐体下部２で直線状に形成され、かつ金属筐体を貫通している導波路と、金属配線パターンを有する誘電体基板３と、ＭＭＩＣを搭載した高周波基板およびＭＭＩＣを密封する密封蓋からなる硬質パッケージ４と、電源供給等マイクロ波以下の低周波信号を扱う入出力端子５と、高周波基板と金属筐体上部１との間の緩衝材として機能する緩衝フィルム６とを備えた導波管ＭＭＩＣモジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】小型で、放熱性に優れ、オン抵抗増加による出力低下や効率低下を防止するのに有効なパワーアンプモジュールを提供する。
【解決手段】誘電体基板１は、誘電体層１１〜１５を含む。誘電体層１１〜１５の少なくとも一つは、有機樹脂材料とセラミック誘電体粉末とを含む混合材料でなるハイブリッド層である。ハイブリッド層は、比誘電率が７〜１４の範囲にあり、誘電正接が０．０１〜０．００２の範囲にある。回路要素の少なくとも一部は誘電体層１１〜１５の内のハイブリッド層を利用する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高周波接地を確実に行うことにより、増幅器の増幅率の低下を防止し、かつ異常発振を防ぐ等の良好な高周波特性を得ることができる高周波接地構造を提供する。
【解決手段】 回路基板上のパッケージＭＭＩＣ３０の部品直下に、実装するＭＭＩＣ３０の部品よりも若干小さな貫通穴３８を開け、回路基板下部の金属基板３５との間隙に高周波接地を強化する良導電性の金属部材３２を配置する高周波接地構造である。 （もっと読む）

【課題】 部品点数を減らし、且つ回路を縮小することができ、さらにはアイソレーションを向上させることができるマイクロ波回路を得る。
【解決手段】 一側に接地導体１５が設けられた誘電体基板１６と、誘電体基板１６の接地導体１５と反対側に実装されマイクロ波を増幅するパッケージトランジスタ２とを有するマイクロ波回路において、パッケージトランジスタ２の電極３，５，７と接地導体１５との間に空間が形成されるように誘電体基板１６に穴１４ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 所期のインピーダンスを容易に得ることができ、かつ、インピーダンスの微調整が容易に可能な伝送線路トランスおよび該伝送線路トランスを用いた電力増幅器を提供すること。
【解決手段】 入力側ランドパターン１，２それぞれにおいて、入力端９，９’のより近くに接続された同軸線路５，７を、出力側ランドパターン３，４において、入力側ランドパターン１，２で同軸線路５，７より入力端９，９’から遠くに接続された同軸線路６，８よりも、出力端１０，１０’から遠い位置に接続する。 （もっと読む）